Островки_Кузищева (Контроль роста островковых наноструктур)
Описание файла
Файл "Островки_Кузищева" внутри архива находится в папке "Контроль роста островковых наноструктур". Документ из архива "Контроль роста островковых наноструктур", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "метрология, стандартизация и сертификация (мсис)" из 11 семестр (3 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лабораторные работы", в предмете "метрологическое обеспечение инновационных технологий" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Островки_Кузищева"
Текст из документа "Островки_Кузищева"
Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана
Ж У Р Н А Л
практического занятия
«Контроль роста
островковых наноструктур»
Фамилия и инициалы студента ____Кузищева Д.М._____________________
Факультет __МТ___________ Группа _11-38___________ 2016 учебный год
Практическое занятие «Контроль роста островковых наноструктур (ОНС)»
-
Цель работы:
Исследование процесса роста ОНС методами АСМ микроскопии и измерения малых токов
-
Анализ процесса роста тонкой пленки в вакууме
Заполните таблицу 1.
Таблица 1
| № | Этап | Суть этапа |
| 1 | Образование зародышей | Появление и рост зародышей |
| 2 | Рост зародышей | Рост зародышей преимущественно в направлении подложки |
| 3 | Коалесценция (п3 и 4) | Зародыши срастаются и увеличиваются по высоте |
| 4 | Образование каналов | Островки образуют сетчатую структуру |
| 5 | Образование дыр | Происходит зарастание каналов, образование вторичных зародышей |
| 6 | Образование сплошной пленки | Полное зарастание каналов |
-
Описание методов контроля процесса роста ОНС
Заполните таблицу 2.
Таблица 2
| № | Метод | Контролируемая величина (величины) | Погрешность измерения |
| 1 | АСМ | расстояние | |
| 2 | Пикоамперметр | ток | 0,25% |
-
Описание исследуемого образца
Заполните таблицу 3.
Таблица 3
| № | Параметр | Значение |
| 1 | Материал подложки | ситалл |
| 2 | Материал тонкой пленки | медь |
| 3 | Метод осаждения тонкой пленки | Термо-вакуумное испарение |
| 4 | Расстояние от испарителя до подложки | 25..45 мм |
-
Анализ результатов контроля малых токов
Изобразите схематично полученную зависимость силы тока от времени I(t). Выделите точки, соответствующие моменту начала образования зародышей, начала и окончания этапа коалесценции:
-
Определение параметров системы ОНС, соответствующих моменту образования зародышей и началу и окончания этапа коалесценции
Вид модели: D=182+85X1-18X2
X1 – время; X2 – расстояние; D – размер островка
Заполните таблицу 4.
Таблица 4
| № | Точки | Время, с / время, б/р | Сила тока, А | Размер ОНС, нм | Минимальное расстояние между ОНС, нм |
| 1 | Образование зародышей | (-1) 7.5 с | 2.05х10-9 | 115 | ----- |
| 2 | Начало коалесценции | 21.7 с | 7.99х10-8 | 171.95 | 215 |
| 3 | Окончание коалесценции | (+1) 40.2 с | 2.17х10-8 | 249 | 137 |
-
Определение характера зависимости тока от расстояния между ОНС
Изобразите схематично зависимость силы тока от расстояния между ОНС I(L).
-
Выводы
Сформулируйте краткие выводы по работе.
Методами АСМ можно при помощи измерения тока определить размеры зародышей, а также проследить процессы образования пленки.
Отметка о защите практической работы ___________________Дата_________________
ФИО преподавателя_______________________Подпись преподавателя______________
