135821 (Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора), страница 2
Описание файла
Документ из архива "Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "радиофизика и электроника" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "радиоэлектроника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "135821"
Текст 2 страницы из документа "135821"
Можно уменьшить количество наименований схем. Это можно сделать путем преобразования с помощью формул:
В результате получаем только схемы “И-НЕ” и схемы отрицания
Повторяющиеся значения формул СДНФ
1.6. Выбор и обоснование элементной базы.
Для проектирования было предложено выбрать элементы ТТЛ серий 155 и 555. После сравнения характеристик этих двух серий мною была выбрана 555 серия.
Потому что:
-
во-первых, коэффициент разветвления у неё в два раза больше, чем у 155 серии, что в дальнейшем даст возможность не использовать дополнительные резисторы на входе схемы
-
во-вторых, элементы 555 серии потребляют меньше мощности в отличие от серии 155, так как их максимальное напряжение и сила тока меньше, чем у 155 серии.
В 555 серию входят различные логические элементы общим числом 98 наименований. Их назначение заключается в построении узлов ЭВМ и устройств дискретной автоматики с высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью.
Элементы И – НЕ в 555 серии содержат простые n-p-n транзисторы VT2 – VT4, многоэмиттерный транзистор VT1, а так же резисторы и диоды, количество которых зависит от конкретного элемента. Такая схема обеспечивает возможность работы на большую емкостную нагрузку при высоком быстродействии и помехоустойчивости.
В качестве индикатора выбран семисегментный индикатор АЛС320Б, один из немногих индикаторов способный отображать не только цифровую информацию, но и буквенную, что необходимо в проектируемом устройстве.
В моей схеме используется следующие микросхемы серии К555:
К555ЛА1, К555ЛА2, К555ЛА4, К555ЛН1, К555ЛН2
1.7. Описание используемых в схеме ИМС и семисегментного индикатора.
К555ЛА1
Два логических элемента 4И-НЕ
| № | Назначение | № | Назначение |
| 1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Вход Х2 Свободный Вход Х3 Вход Х4 Выход Y1 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y2 Вход Х5 Вход Х6 Свободный Вход Х7 Вход Х8 Ucc |
DIP14
Пластик
| Тип микросхемы | К555ЛА1 |
| Фирма производитель | СНГ |
| Функциональные особенности | 2 элемента 4И-НЕ |
| Uпит | 5В ± 5% |
| Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
| Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
| Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 2,2мА |
| Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 0,8мА |
| Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0.36|мА |
| Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
| P | 7,88мВт |
| tзадержки | 20нСек |
| Kразвёртки | 20 |
| Корпус | DIP14 |
К555ЛА2
Логический элемент 8И-НЕ
| № | Назначение | № | Назначение |
| 1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Вход Х2 Вход Х3 Вход Х4 Вход Х5 Вход Х6 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y1 Свободный Свободный Вход Х7 Вход Х8 Свободный Ucc |
1
2
&
3
4
8
5
6
11
12
DIP14
Пластик
| Тип микросхемы | К555ЛА2 |
| Фирма производитель | СНГ |
| Функциональные особенности | элемент 8И-НЕ |
| Uпит | 5В ± 5% |
| Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
| Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
| Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 1,1мА |
| Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 0,5мА |
| Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0,4|мА |
| Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
| P | 4,2мВт |
| tзадержки | 35нСек |
| Kразвёртки | 20 |
| Корпус | DIP14 |
К555ЛА4
Три логических элемента 3И-НЕ
| № | Назначение | № | Назначение |
| 1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Вход Х2 Вход Х4 Вход Х5 Вход Х6 Выход Y2 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y3 Вход Х7 Вход Х8 Вход Х9 Выход Y1 Вход Х3 Ucc |
DIP14
Керамический
| Тип микросхемы | К555ЛА4 |
| Фирма производитель | СНГ |
| Функциональные особенности | 3 элемента 3И-НЕ |
| Uпит | 5В ± 5% |
| Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
| Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
| Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 1,2мА |
| Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 0,8мА |
| Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0.36|мА |
| Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
| P | 11,8мВт |
| tзадержки | 15нСек |
| Kразвёртки | 20 |
| Корпус | DIP14 |
К555ЛН1
Шесть инверторов
| № | Назначение | № | Назначение |
| 1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Выход Y1 Вход Х2 Выход Y2 Вход Х3 Выход Y3 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y4 Вход Х4 Выход Y5 Вход Х5 Выход Y6 Вход Х6 Ucc |
12
DIP14
Пластик
| Тип микросхемы | К555ЛН1 |
| Фирма производитель | СНГ |
| Функциональные особенности | 6 инверторов |
| Uпит | 5В ± 5% |
| Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
| Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
| Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 6,6мА |
| Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 2,4мА |
| Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0.36|мА |
| Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
| P | 23,63мВт |
| Tзадержки | ≤ 20нСек |
| Kразвёртки | 20 |
| Корпус | DIP14 |
К555ЛН2
Шесть инверторов с открытым коллекторным выходом
| № | Назначение | № | Назначение |
| 1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Выход Y1 Вход Х2 Выход Y2 Вход Х3 Выход Y3 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y4 Вход Х4 Выход Y5 Вход Х5 Выход Y6 Вход Х6 Ucc |
12
