work_text (СВЧ тракт приёма земной станции спутниковой системы связи), страница 6
Описание файла
Документ из архива "СВЧ тракт приёма земной станции спутниковой системы связи", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "радиофизика и электроника" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "радиоэлектроника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "work_text"
Текст 6 страницы из документа "work_text"
С выхода второго смесителя сигнал поступает на полосовой LC фильтр с полосой пропускания МГц. Далее сигнал поступает на второй усилитель промежуточной частоты, который выполняет функцию усиления выделенного потока данных шириной МГц на частоте 70 МГц.
Таким образом, за счёт перестройки первого гетеродина с заданным шагом частот и фиксированной частоте второго гетеродина обеспечивается выделение любого из 12-ти стволов шириной МГц и перенос его на несущую частоту 70 МГц.
Дальнейнее преобразование информационного сигнала происходит в демодуляторе.
3.3. Выбор системы АРУ
АРУ применяется для расширения динамического диапазона приёмника и поддержания в заданных пределах выходного напряжения. При этом устраняются перегрузки в каскадах при приёме сильных сигналов и, таким образом, предотвращается появление недопустимых нелинейных искажений и достигается нормальная работа демодуляторов.
Принцип действия системы АРУ состоит в автоматическом изменении коэффициентов усиления (передачи) отдельных каскадов приёмника при изменении уровня принимаемого сигнала. Система АРУ должна содержать регулируемые каскады усиления и цепь регулирования. Цепь регулирования вырабатывает управляющее напряжение, воздействующее на регулируемые элементы усилительного тракта. Обычно ЦР содержит выпрямитель (амплитудный детектор) и ФНЧ.
В качестве АРУ выберем систему АРУ с обратным регулированием, которая находит наиболее широкое применение (рис. 3.3). В данной системе управляющее напряжение определяется уровнем напряжения сигнала на выходе регулируемого каскада. Такая система АРУ является наиболее простой и позволяет получить амплитудную характеристику приёмника, близкой к идеальной.
Рис. 3.3. Структурная схема системы АРУ с обратным регулированием
В СВЧ трактах регулируемыми каскадами являются обычно каскады МШУ и УПЧ. Как правило регулируют усиление каскадов, усиливающих сигналы сравнительно малого уровня. Регулировка усиления в одном из последних каскадов нежелательна, а иногда и недопустима, поскольку при больших уровнях сигнала на входе регулируемого каскада трудно избежать больших нелинейных искажений. С учётом сказанного регулировку усиления необходимо применить в МШУ.
В каскадах на ПТШ для регулировки усиления используют зависимость крутизны стоко-затворной характеристики от напряжения на затворе.
Регулировка усиления каскада на ПТШ может быть обратной и прямой. При обратной регулировке, когда транзистор запирается с целью уменьшения усиления, для получения большей чувствительности регулировки необходимо, чтобы сопротивление нагрузки каскада было много меньше внутреннего сопротивления транзистора, а сопротивление источника сигнала было много меньше входного сопротивления каскада.
Наиболее часто используют прямую регулировку усиления. В каскадах на ПТШ она осу-
ществляется путём изменения напряжения смещения на затворе, что приводит к изменению то-ка транзистора, а следовательно и коэффициента усиления каскада.
3.4 Распределение усиления по трактам приёмника
Расчёт коэффициентов передачи трактов приёмника произведём по методике, изложенной
в работе [10] исходя из реальной чувствительности приёмника мкВ и допустимых амплитуд на входах:
- демодулятора (для частотного и фазового).
Мощность сигнала на входе демодулятора (выходе приёмника) составит:
Требуемый коэффициент усиления приёмного тракта составит:
Коэффициент усиления приёмного тракта определяется как сумма усилений и затуханий, вносимых его каскадами. Для структурной схемы тракта, приведенной на рис.2.5:
где – коэффициент усиления МШУ;
– коэффициенты усиления УПЧ1 и УПЧ2 соответственно;
– потери преобразования в первом и во втором смесителе. Для балансного
Для обеспечения величины с учётом потерь преобразования в смесителях и допустимых амплитуд напряжений на их входах, коэффициенты усиления УРЧ, УПЧ1 и УПЧ2
рассчитываются следующим образом:
где = 5...10 – коэффициент запаса усиления.
Проверим полученные результаты. Подставляя полученные значения коэффициентов усиления трактов в выражение (3.1) получим :
Таким образом можно сделать вывод, что требуемый коэффициент усиления приёмного тракта обеспечивается.
На основании полученных данных составляем функциональную схему тракта (рис.3.4)
3.3 Формулировка требований к приёмной системе
Итак, на основе проведенного энергетического расчёта а также распределения усиления по трактам приёмника сформулируем основные требования:
-
обеспечение коэффициента усиления приёмного тракта не менее дБ;
-
обеспечение требуемого по ТЗ подавления помех по зеркальному каналу, каналу ПЧ, соседнему каналу приёма;
-
обеспечение суммарного коэффициента шума приёмного тракта не более дБ.
Рис.3.4. Функциональная схема приёмного СВЧ тракта
4. Выбор и расчёт СВЧ малошумящего усилителя
4.1. Бесструктурные модели транзистора СВЧ
В основу расчёта и анализа транзисторного МШУ СВЧ должна быть положена модель транзистора. Это может быть структурная (физическая) модель, т. е. эквивалентная схема тран-зистора, либо бесструктурная модель, представляющая транзистор в виде эквивалентного четырёхполюсника.
Преимуществом структурной модели является высокая информативность; эквивалентная схема характеризует поведение транзистора в диапазоне частот и позволяет устанавливать связь между её элементами и характеристиками транзистора. Бесструктурная модель транзистора менее информативна, она строго справедлива лишь на одной частоте. Для определения частотной зависимости параметров транзистора надо провести измерения на разных частотах. Однако бесструктурные модели более точны, поскольку их параметры могут быть измерены значительно точнее, чем параметры эквивалентной схемы.
Транзистор СВЧ как эквивалентный четырёхполюсник может быть описан, например, Y- или H-параметрами, которые обычно используются на более низких частотах. Но для измерения этих параметров необходимо обеспечить режимы холостого хода и короткого замыкания, трудно осуществимые на СВЧ из-за влияния паразитных элементов схемы. Более подходят для его описания параметры матрицы рассеяния или S-параметры, поскольку они измеряются в линиях с согласованными нагрузками, что на СВЧ наиболее просто.
Расчёт МШУ СВЧ принято проводить с использованием бесструктурной модели транзистора в S-параметрах. При необходимости бесструктурная модель может быть дополнена структурной моделью. Обе модели взаимосвязаны: по S-параметрам транзистора, измеренным на нескольких частотах, можно определить (или уточнить) элементы его эквивалентной схемы и наоборот, известная эквивалентная схема позволяет рассчитать S-параметры на любой частоте диапазона, в котором эта схема корректна.
4.2. Системы S- и S'- параметров транзистора
В системе S-параметров транзистор представляется в виде четырёхполюсника, включенного в линию передачи с волновым сопротивлением Z0. Линия согласована с генератором (источником сигнала) и нагрузкой, т. е. сопротивления генератора ZГ и нагрузки ZH равны волновому сопротивлению линии (рис. 4.1).
Рис. 4.1. К определению S-параметров транзистора
Четырёхполюсник в согласованной линии передачи с волновым сопротивлением передачи Z0
Для определённости примем Z0=50 Ом. На входе и выходе четырехполюсника имеются падающие и отражённые волны напряжения , (i =1 для входа, i = 2 для выхода), связь между которыми задается параметрами матрицы рассеяния волн напряжения (S-параметрами):
Матрицу рассеяния волн напряжения принято называть просто матрицей рассеяния. Параметры матрицы рассеяния имеют ясный физический смысл:
- коэффициенты отражения напряжения от входа и выхода четырёхполюсника при согласова-нии на его выходе ( ) и входе ( ) соответственно;
- коэффициенты прямой и обратной передачи напряжения, определённые при тех же усло-виях.
Матрица рассеяния характеризует четырёхполюсник, нагруженный на чисто резистивные сопротивления Z0. В реальных же усилителях транзистор оказывается нагруженным на сопротивления, не только не равные Z0, но в общем случае комплексные. Произвольно нагруженный четырёхполюсник принято описывать параметрами матрицы рассеяния волн мощности (S'-параметрами).