176

Лекция 16 166

Лекция 17 169

Лекция 18 173

Содержание

5. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

5.1. Особенности полевых транзисторов

5.2. Полевые транзисторы с управляющим pn переходом

5.2.1. Принцип работы. Вольтамперные характеристики

5.2.2. Эквивалентная схема.

5.2.3. Влияние температуры на параметры транзистора с управляющим переходом

5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП)

5.3. 1. Свойства МДП структуры

5.3 2. МДП транзисторы

6. КОМБИНИРОВАННЫЕ ПРИБОРЫ

3. КЛАССИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Лекция 16

4.7. Работа транзистора в импульсном режиме.

4.7.1. Режим переключения

В режиме переключения транзистор работает как электронный ключ он либо заперт и обладает высоким сопротивлением, либо включен и его сопротивление мало. В ключевом режиме транзистор включается последовательно с нагрузкой и когда он выключен ток через нагрузку близок к нулю и все напряжение от внешнего источника прикладывается к транзистору (т. А на рис. 67). Когда транзистор включен (т. В на рис. 67), то ток через транзистор большой и приближается к предельно возможному в данной схеме Eк/Rк , где Rк - нагрузочное сопротивление в коллекторной цепи.

Когда транзистор выключен на его эмиттер либо подается отрицательное смещение, либо не подается никакого и транзистор находится в режиме отсечки. Когда транзистор включен, то на его эмиттерный переход подано прямое смещение, а коллекторный переход находится, либо под небольшим положительным смещением, либо под нулевым смещением, т.е. в режиме насыщения.

Рис. 67 Рабочие точки на нагрузочной характеристике (активная нагрузка) при работе транзистора в режиме переключения.

К достоинствам режима переключения относится то, что во включенном и выключенном состоянии мощность рассеиваемая на транзисторе может быть существенно меньше, чем мощность рассеиваемая в нагрузке и таким образом он может коммутировать мощность превосходящую предельно допустимую мощность рассевания самого транзистора (см. рис. 67) . Помимо статической в транзисторе может рассеиваться значительная динамическая мощность во время включения и выключения транзистора, причем при большой частоте коммутаций эта мощность может превосходить мощность, рассеиваемую в статическом режиме, поэтому желательно, чтобы время включения и выключения (в течение которого рассеивается динамическая мощность) было как можно меньше. На рис. 68 показаны соответствующие экспериментальным результатам диаграммы токов транзистора, при различных значениях амплитуды входных импульсов.

Рис. 67. Форма импульсов токов транзистора, при его работе в импульсном режиме

В представленных на рис. 67 диаграммах кривые 1 соответствуют усилительному режиму для которого выполняется условие Iк = βIб, кривые 2, 3, 4 соответствуют случаям, когда во включенном состоянии транзистор находится в режим насыщения в котором для тока коллектора справедливо Iк ≤ βIб. Для характеристики глубины насыщения вводят коэффициент насыщения S = Iк/ Iкн, где Iкн = βIбн соответствует границе насыщения. Как видно из графиков, чем глубже заходит транзистор в область насыщения (чем больше S), тем меньше время включения и больше время рассасывания заряда (полочка предшествующая спаду тока) и соответственно время выключения.

4.7.2. Расчет времени включения

Для анализа переходных процессов при работе транзистора в ключевом режиме можно воспользоваться законом сохранения заряда:

(4_115)

Помножим левую и правую части этого уравнения на q и проинтегрируем по объему базы. Получим, что изменение суммарного, накопленного в результате инжекции в базу заряда изменяется в результате рекомбинации этого заряда и протекающего через базу тока:

(4_116)

Решением этого неоднородного уравнения первого порядка будет сумма общего решения однородного уравнения (Qp = Ae^-t/τp₎ и частного решения неоднородного:

(4_117)

То, что Q = J_pτ_p является частным решением можно уюедиться подставив эту величину в (4_116). Для нахождения А воспользуемся тем, что до подачи входного импульса заряд в базе отсутствовал: Q(0) = 0. Тогда получим, что A= J_pτ_p и соответственно:

(4_118)

Чтобы записать выражение для тока учтем, что Q(t) = J_кτ_α β = τ_p/ τ_α, тогда используя эти соотношения из (4_118) получим:

(4_119)

Используя (4_119) можем определить время t_ф в течение которого достигается заданный ток Jкн ~ Eк/Rк (в режиме насыщения S > 1):

(4_120)

Как видно из этого уравнения с ростом тока базы (при увеличении S) для насыщенного во включенном состоянии транзистора время включения уменьшается.

4.7.3. Расчет времени рассасывания

П
редположим, что транзистор работает в ключевом режиме при управляющем токе показанном на рис. 68.

Рис. 68. Диаграмма переключающего сигнала

Уравнение, описывающее накопление заряда в базе транзистора, запишется в виде:

(4_121)

Начальное значение равно заряду, накопленному в базе транзистора за время, в течение которого он находился при прямом смещении, т.е. при t = 0, Q = J_бτ_p. Решением, так же как и в предыдущем случае будет сумма общего решения однородного уравнения (Qp = Ae^-t/τp₎ и частного решения неоднородного т.е.:

(4_122)

Используя начальное условие определим величину неизвестной константы в (4_117) и запишем решение:

(4_123)

Обозначим через t_s время задержки спада тока после прекращения прямого имульса, это время обусловлено рассасыванием избыточного относительно равновесного заряда дырок около коллектора. В момент t = t_s концентрация дырок около коллекторного перехода становится равной равновесной: p_n(w) = p_n0, Uкб = U_Tln[p_n(w)/p_n0] = U_Tln[p_n0/p_n0] = 0 , при этом ток коллектора соответствует граничному Jкн (при активной нагрузке Jкн ~ Ек/Rк), соответствующее значение базового тока Jбн=Jкн/β и заряд в базе Q(t_s)= J_бнτ_p. Подставив эти значения в (4_118) получим:

(4_124)

Допустим, что выключение транзистора происходит при J_б1 = 0, тогда:

, (4_125)

т.е. чем глубже транзистор находится в насыщении (больше коэффициент насыщения S), тем больше время рассасывания t_s, и соответственно длиннее ступенька (см. кривые 3, 4 на рис. 67).

Рис. 69. Зависимость времени рассасывания при выключении от степени насыщения

Лекция 17

5. ТИРИСТОРЫ

Т
иристоры - многослойные структуры с чередующимися электронно-дырочными областям, двухэлектродные тиристоры называют динисторами, трехэлектродные - тринисторами. Иногда тиристоры называют кремниевыми управляемыми вентилями, что подчеркивает их основное назначение в силовой электронике - управление мощностью в нагрузке. На рис. 70 приведены примеры некоторых возможных структур тиристоров и их графические обозначения.

Рис. 70. Примеры структур тиристоров: динисторы (а, г), управляемые тиристоры (б, в, д, е). Обозначения: А - анод, К - катод, У - управляющий электрод.

Функционально тиристоры являются электронными ключевыми элементами, сопротивление которых при определенном пороговом напряжении на них изменяется с высокого (выключенное состояние) на низкое (включенное состояние). Динистор имеет постоянный порог срабатывания, порог тринистора может изменяться током управляющего электрода. Пример характеристик динистора приведен на рис. 71а и тринистора на рис. 71б.

Р
ис. 71. Схематичное представление вольтамперных характеристик тиристоров: ф) динистор; б) тринистор. Значения тока управляющего электрода I_у0­ = 0, I_у1< I_у2.

К катоду тиристора прикладывается отрицательное напряжение, к аноду положительное, поэтому центральный pn переход для запертого тиристора (т.А на рис. 71) оказывается смещенной в обратном направлении.

Рис. 72. Энергетические диаграммы pnpn структуры теристора в выключенном состоянии (т. А) и включенном состоянии (т. В). Пунктиром обозначено положение уровней Ферми.

Соответствующие энергетические диаграммы для областей тиристора показаны на рис. 72. Центральный, смещенный в обратном направлении переход можно рассматривать как коллектор для расположенного слева pnp транзистора и расположенного справа npn транзистора. Действительно он собирает и перебрасывает в соседнюю область подходящие к нему неосновные носители заряда (дырки со стороны n - базы и электроны со стороны p- базы).и Как видно из диаграмма рис. 72 n и p базы тиристора являются потенциальными ямами соответственно для электронов и дырок как генерируемых в их объеме, так и поступающих. через коллекторный переход.

Генерируемые в области ОПЗ коллекторного перехода электроны и дырки разделяются полем этого перехода и поступают соответственно в n и p базы (см. левую диаграмму рис. 72. Для запертого тиристора (т.А) количество поступающих в базу неосновных носителей в результате тепловой генерации в области базы и области ОПЗ коллектора равно количеству носителей рекомбинирующих в базе и выходящих через эмиттерный переход создавая тепловой ток запертого тиристора (соответствующий т. А). При этом высота барьеров эмиттер-база для pnp и npn транзисторов близка к соответствующим значениям контактных разностей потенциалов.

При увеличении напряжения коллекторного перехода, в области ОПЗ коллектора начинается лавинное умножение неосновных носителей, что приводит к росту потоков электронов и дырок и их накопление в соответствующих базах. Появление дополнительного отрицательного заряда электронов в n базе приводит к приоткрыванию эмиттерного перехода pnp и инжекции дырок, заряд которых нейтрализует накопленный в базе заряд электроны. Появление дополнительного положительного заряда дырок в p базе приводит к приоткрыванию эмиттерного перехода pnp транзистора и инжекции электронов, заряд которых нейтрализует накопленный в базе заряд дырок. Инжектированные дополнительно носители через коллектор попадают в соседнюю базу, способствую дальнейшему открыванию соответствующих эмиттерных переходов и нарастанию тока. Процесс будет повторяться до тех пор, пока не будет достигнут предельно возможный в данной цепи ток, обусловленный внешней нагрузкой (если нагрузка активная, то это Imax ~ Eк/Rн). При этом тиристор переходит во включенное состояние (т. В на рис. 71) в котором он обладает минимальным сопротивлением. При этом как pnp транзистор (в дальнейшем будем связанные с ним величины обозначать индексом "p"), так и npn транзистор (в дальнейшем будем связанные с ним величины обозначать индексом "n") попадают в режим насыщения. Схематическое распределение носителей в базах тиристора для выключенного и включенного состояния показаны на рис. 73. На рисунке обозначены значения основных носителей для каждой из областей, однако следует иметь ввиду условность этих обозначений (концентрация основных носителей на несколько порядков выше, чем неосновных и в выбранном масштабе можно только отобразить факт их наличия и превосходства по концентрации).