magisterLec1 (Основы схемотехники)
Описание файла
Файл "magisterLec1" внутри архива находится в папке "Основы схемотехники". Документ из архива "Основы схемотехники", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "схемотехника" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лекции и семинары", в предмете "схемотехника аэу" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "magisterLec1"
Текст из документа "magisterLec1"
Принцип работы простейшего усилителя напряжения
Оставаясь в рамках схем с постоянными параметрами, в качестве простейшего (базового) усилителя исторически предложена единственная схема: последовательно соединенные резистор RL и управляемый источник питания (т.е. активный элемент), на управляющий вход которого подается сигнал, который требуется усилить. Известным нам интегральным управляемым активным элементом является транзистор (в нашем случае МДП транзистор), имеющий в некотором диапазоне характеристику, близкую к характеристике источника тока, то упомянутым управляемым источником питания является Источник Тока, Управляемый Напряжением (ИТУН). (см. Рис.1).
Р ис.1.1. Простейший (базовый) усилитель.
Очевидно, что для достижения наибольшего размаха выходного сигнала VOUT, потенциал на выходе в отсутствие переменного входного сигнала (т.е. «рабочая точка») должен быть VDDA/2. Для простейшего усилителя это достигается соответствующей постоянной составляющей входного управляющего напряжения . При приложении ко входу ИТУН сигнала , ток , генерируемый в ИТУН, равен сумме постоянной и переменной составляющих : .Напряжение на резисторе изменяется на величину , где --- так называемая крутизна ИТУН. Изменение напряжения на резисторе RL, называемом резистором нагрузки, есть выходной сигнал, т.е. . Отсюда коэффициент усиления по напряжению равен: . Потенциал верхнего вывода резистора постоянен и равен , поэтому увеличение вследствие увеличения тока, генерируемого в ИТУН, происходит в сторону , т.е. в отрицательную сторону по отношению к . Поскольку увеличение тока ИТУН происходит вследствие увеличения , то усиление всегда происходит с инверсией фазы.
МОП транзисторы с коротким каналом в аналоговых (аналогоцифровых) КМОП ИС.
Специфика применения МОП транзисторов (MOST) в аналоговых ИС во многом ясна из рассмотрения простейшего КМОП усилителя.
Простейший КМОП усилительный каскад.
О бщее положение, применяемое к любым усилителям класса А, имеющим достаточно высокий коэффициент усиления: размах входного сигнала, как правило, много меньше постоянного смещения на входе (т.е. постоянной составляющей входного напряжения, жизненно необходимого для любого усилителя, для того, чтобы при заданных характеристиках нагрузки рабочая точка на выходе находилась в середине диапазона изменения выходного сигнала). При этом изменение крутизны входного транзистора много меньше её значения при наличии на входе только постоянного смещения. Можно сказать, что крутизна входного транзистора в каскаде с достаточно высоким коэффициентом усиления постоянна и не зависит от входного напряжения. Такой режим работы усилителя называется режимом малого входного сигнала.
Рис. 1.2. Простейший КМОП усилительный каскад.
Итак, если у усилительного каскада статический (низкочастотный) коэффициент усиления К0 достаточно велик, то ввиду ограниченности диапазона VВЫХ изменения выходного напряжения, диапазон VВХ изменения входного сигнала также ограничен, мал по величине и равен: малая величина при большом К0 (при этом предполагается, что входной сигнал достаточно низкочастотный, т.е. медленно изменяется во времени. О зависимости коэффициента усиления усилителя K(f) от частоты f – в дальнейших лекциях). Пусть , где - постоянная составляющая входного напряжения, или входное смещение. - переменная составляющая входного напряжения, или сигнал. Тогда VВЫХ также имеет постоянную составляющую , или рабочую точку и переменную составляющую , или выходной сигнал.
На величину рабочая точка отличается от . - постоянная составляющая тока IRн в нагрузочном резисторе Rн и МОSТ или режимный ток. Переменная составляющая является малой величиной ввиду малости , а, именно, . Здесь g- крутизна MOST для данного режимного тока . Выходной cигнал , т.е. .
Примечание: Увеличивать Rн целесообразно лишь до величины, сравнимой с RDS, дифференциальным сопротивлением MOST в пологой области при протекании через него режимного тока (см. дальнейшие лекции). Для увеличения К0 можно увеличить Rн (см. Примечание), однако при этом растёт . Очевидно, что должно быть приблизительно равным , т.е. должно быть .Итак, получается, что чтобы надо ,но при этом уменьшается крутизна и уменьшается усиление каскада К(f) на высоких частотах (см. след. лекции). Концепция активной нагрузки позволяет преодолеть этот недостаток.
Активная нагрузка.
Рис.1.3А. Простейший каскад с активной Рис.1.3Б. Совместная ВАХ
нагрузкой - это применение вместо Р – канальной нагрузки
резистора транзистора противоположного и N – канального
типа проводимости в режиме источника входного транзистора
постоянного тока.
Через оба MOST течет режимный ток , который получается в точке пересечения ВАХ в NМОSТ и РМОSТ. Ток задаётся напряжением смещения на затворе РMOST. В нашей простейшей схеме напряжение задаётся простой подгонкой. В практических задачах формируется автоматически с помощью токового зеркала (см. далее). Из рисунка видно, что применение в нагрузке каскада обыкновенного резистора такой же величины, как величина дифференциального сопротивления активной нагрузки, требует в несколько раз большего напряжения питания.
Рис. 1.4. Каскад с активной нагрузкой и автоматическим формированием . (Резистор R подводит к затвору Nmos1 входное смещение ; конденсатор СФ вместе с резистором R образуют ФНЧ и отфильтровывают переменную составляющую в узле В с целью уменьшения величины нежелательного изменения потенциала VA; СВХ – паразитная входная емкость каскада).
Р ис. 1.5. ВАХ идеального (пунктир) и реального (сплошная линия) МОП транзисторов.
Прежде чем рассмотреть схему на рис. 1-4, определим метод инженерного расчета напряжения на МОП диоде (на рис. 1-4 это транзистор N2), через который протекает ток I ( см. рис. 1-5). Ток I, протекающий при некотором превышении над порогом (VЗИ-VТ), складывается из граничного тока IГР, который протекал бы на границе крутой и пологой областей идеального MOST (модель Шичмена-Ходжеса) при той же величине (VЗИ-VТ), и добавки , всегда существующей ввиду увеличения тока стока в пологой области в зависимости от напряжения VСИ между стоком и истоком. Реальность для правильно спроектированного MOST такова, что составляет небольшую долю (как правило меньше 10%) от IГР, поэтому вполне правомерно пренебречь величиной при инженерной (предварительной) оценке статического состояния схемы, т.е. для этой цели принимают I=IГР.
Итак, пусть на рис. 1-4 через N2 идет ток IN2, генерируемый транзистором Р2, т.е. IN2=IР2.Аналогично .С учётом изложенных выше замечаний,: . Следовательно . Пусть транзистор Р1 во всём одинаков с транзистором Р2, а N1 - с N2. Тогда очевидно, что , генерируемый в Р1, равен . Аналогично: = . Принимая во внимание конечность дифференциального сопротивления в пологих областях всех MOST ясно, что совпадает с не на всём протяжении пологих участков, что было бы, если бы N1 и Р1 были идеальными, а в одной точке, как на рис. 1-3В. Также можно утверждать, что .
Примечание. Комбинация двух транзисторов, в которой потенциал с диода, сформированного из одного транзистора (N2 на рис. 1-4), подается на затвор другого транзистора (N1 на рис. 1-4), работающего генератором тока, называется токовым зеркалом. Назначение токового зеркала – в генерации тока, равного по величине или пропорционального току, протекающего через диод (см. также рис.1-6), однако истекающего из другого полюса источника питания.
Итак, имеем усилитель, на затворе которого при и при , нижней частотной границе входного сигнала VВХ, подаётся почти вся величина входного сигнала.
Из рассмотрения рис. 1-7 очевидно, что каскад с активной нагрузкой на транзисторах N1 и Р1 должен иметь следующие особенности: 1.Рабочая точка должна быть симметрична относительно потенциалам источника питания, т.е. должна быть ; 2. Условные точки и перехода ВАХ из пологих областей в крутые должны быть, во-первых, симметричны относительно и, во-вторых, быть как можно ближе к потенциалам питания. Чтобы удовлетворить требованиям п.1, необходимо слегка изменить VB, т.е. , где VСM – напряжение смещения нуля. Если дифференциальное сопротивление RCИ в пологой области MOST принять не зависимым от VCИ, то, очевидно, , где К0 – к-нт усиления каскада при . Практически способы уменьшения VCM будут узложены в дальнейших лекциях.