курсач (Курсовой проект Разработка конструкции и технологии изготовления усилителя в гибридно-плёночном исполнении), страница 3
Описание файла
Файл "курсач" внутри архива находится в следующих папках: Курсовой проект Разработка конструкции и технологии изготовления усилителя в гибридно-плёночном исполнении, Курсовой. Документ из архива "Курсовой проект Разработка конструкции и технологии изготовления усилителя в гибридно-плёночном исполнении", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "проектирование и технология радиоэлектронных средств (рэс)" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "проектирование и технология рэс" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "курсач"
Текст 3 страницы из документа "курсач"
| Итоговые размеры резисторов. 3.5.1 Для резистора R1 = 450 Ом ±10%. 3.5.2 Допуск резистора R2 = 4,5 кОм ±20% позволяет обойтись без доводки. 3.5. Для резистора R3 = 6,5 кОм ±5%. Таблица 5
 б) Корректировки емкости конденсаторов Используемые для доводки пленочных резисторов физические, химические или механические воздействия на резистивную пленку не применимы к пленочным конденсаторам, т.к. приведут к разрешению их структуры. Поэтому для изменения емкости пленочных конденсаторов применяется конструктивный способ. | ||||||||||||||||||
| МАИ.468714.304.009 | Лист 15 | |||||||||||||||||
| Изм. | Лист | № докум. | Подпись | Дата | ||||||||||||||
| Сущность этого способа состоит в следующем. Корректировка емкости толстоплёночного конденсатора производится путём подсоединений в процессе доводки к конденсатору дополнительных элементов, заранее предусмотренных на верхней обкладке. Конденсатор изготавливается с заранее заниженной ёмкостью. Для конденсатора C2 = 1400 пФ ±10% Количество и размеры дополнительных обкладок выбирается в зависимости от установленной величины допустимого отклонения. Таблица 6
Площадь участков дополнительной обкладки Зазоры между основной обкладкой и дополнительной, а также между дополнительными обкладками равны 0,6 мм. При изготовлении следует обеспечить «заниженное» значение емкости корректируемых конденсаторов. | ||||||||||||||||||||||
| МАИ.468714.304.009 | Лист 16 | |||||||||||||||||||||
| Изм. | Лист | № докум. | Подпись | Дата | ||||||||||||||||||
| Произведем корректировку: Для получения значения емкости наиболее близкого к номиналу, необходимо подключить дополнительные площадки C1, C2, C3, C4. 3.6 Разработка топологии платы. Исходными данными для разработки топологии являются: - принципиальная электрическая схема; -·геометрические размеры плёночных элементов; -·габаритные размеры внешних и внутренних контактных площадок, используемых для присоединения навесных ЭРК и ИМС; - конструктивные нормы и технологические ограничения. Разработка топологии начинается с анализа принципиальной схемы на возможность использования ее в гибридно-пленочном варианте. При этом необходимо учитывать такие параметры, как разброс номиналов пассивных элементов, наличие бескорпусных аналогов навесных активных элементов, и суммарной мощности рассеивания элементов схемы. | ||||||
| МАИ.468714.304.009 | Лист 17 | |||||
| Изм. | Лист | № докум. | Подпись | Дата | ||
| Разработка схемы соединения осуществляется в следующей последовательности: - определение взаиморасположения пленочных элементов; - определение расположения навесных элементов, тип элемента задан в перечне элементов, а геометрические размеры и способ установки – по ТУ; - расчет пленочных элементов; - компоновка навесных и пленочных элементов, разработка эскизов топологии в увеличенном масштабе (5:1 или 10:1). Основными требованиями являются минимальная длина проводника и наименьшее количество перемычек. При разработке топологии обязательно надо учитывать следующие размеры: - погрешность размеров должна быть не больше 50 мкм; - расстояние между элементами одного слоя 300 мкм; - расстояние от проводника или пленочного элемента до края подложки 1000 мкм; - расстояние от навесного элемента до края подложки и от пленочного резистора до навесного элемента или края подложки 1000 мкм; - расстояние от навесного элемента до контактной площадки 100 мкм; размеры контактных площадок для пайки 600600 мкм. По внешнему контуру эскиза топологии производят предварительную оценку габаритных размеров платы. Исходя из стандартного габаритного размера платы, производят корректировку размеров топологии. В случае наличия свободных технологических полей на краях платы размеры выбирают из таблицы 7. Таблица 7
Размеры плат следует выбирать с учётом площади, отведённой в корпусе для их размещения и его конструкции. Характеристика основных норм и ограничений для толстоплёночной технологии приведена в таблице 8. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МАИ.468714.304.009 | Лист 18 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Изм. | Лист | № докум. | Подпись | Дата | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Таблица 8
Элементы каждого слоя на первом листе топологических чертежей штрихуют, условное обозначение штриховки расшифровывают в таблице, приводимой на поле первого листа топологического чертежа. На изображении контактных площадок проставляют условную маркировку – порядковые номера, начиная с 1 в левом углу в направление часовой стрелки по всему контуру. Если подложка микросхемы помещается в нормализованный корпус, то нумерация внешних контактных площадок должна соответствовать нумерации выводов. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МАИ.468714.304.009 | Лист 19 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Изм. | Лист | № докум. | Подпись | Дата | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
