110250 (Электротехника и основы электроники)
Описание файла
Документ из архива "Электротехника и основы электроники", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "остальные рефераты" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "остальные рефераты" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "110250"
Текст из документа "110250"
Министерство общего и профессионального образования
Российской Федерации
Санкт-Петербургская государственная академия
холода и пищевых технологий
Кафедра электротехники
ОСНОВЫ ЦИФРОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Методические указания
для самостоятельного изучения дисциплины
''Электротехника и основы электроники''
для студентов всех специальностей
Санкт-Петербург 1999
УДК 621.3
Евстигнеев А. Н. | , Кузьмина Т.Г. , Новотельнова А. В. Основы |
цифровой электроники: Метод. указания для сомостоятельного изучения дисциплины '' Электротехника и основы электроники '' для студентов всех спец. - СПб.: СПбГАХПТ , 1999. - 41 с.
Содержит основные сведения о современной элементарной базе цифровых электронных схем.
Ил. – 25 , табл . – 7 , библиогр. – 10 назв.
Рецензент
Канд. техн. наук, доцент А. И. Васильев
Одобрены к изданию советом факультета техники пищевых производств
©
Санкт-Петербургская государственная
академия холода и пищевых технологий, 1999
ВВЕДЕНИЕ
Любая электронная схема от простейшего выпрямителя до сложней-шей ЭВМ предназначена для обработки электрического сигнала: усиление (масштабирование), выпрямление, сглаживание (изменение формы, запоми-нание, суммирование и пр.). По способу представления обрабатываемого сигнала электронные устройства принято подразделять на аналоговые и цифровые.
В аналоговых устройствах используются переменные, изменяющие свое значение в определенном диапазоне значений между верхним и ниж-ним пределами. Это естественно, когда обрабатываемые сигналы являются непрерывными по своей природе или представляют собой непрерывно изменяющиеся напряжения, поступающие от измерительных приборов (например, от устройств для измерения температуры, давления, влажности и т.п.). Пример аналогового сигнала U (t) приведен на рис. 1,а.
Однако входной сигнал по своей природе может быть и дискретным, например, импульсы в детекторе частиц или ''биты'' информации, поступаю- щие от ключа, клавиатуры или ЭВМ. В подобных случаях удобно использо-вать цифровую электронику, т.е. схемы, которые имеют дело с информацией, представленной в виде ''единиц'' и ''нулей''. Цифровые переменные имеют только два уровня, (рис. 1,б). Эти уровни напряжения называют верхним и нижним, или обозначают терминами ''истина'' и ''ложь'', которые связаны с булевой логикой, или ''включено'' и ''выключено'', которые отражают состояние релейной системы, а чаще ''нулем'' и ''единицей''.
Благодаря высокой эффективности цифровые методы широко используются для передачи, отбора и запоминания информации, даже в тех случаях, когда входные и выходные данные имеют непрерывную или анало- говую форму. В этом случае информацию необходимо преобразовывать при помощи цифро-аналоговых (ЦАП) и аналогово-цифровых преобразователей (АЦП).
а б
верхний предел высокий уровень
нижний предел низкий уровень
а –аналоговый сигнал; б –цифровой сигнал;
ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Интегральная микросхема – это микроэлектронное изделие выпол-няющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее не менее пяти элементов (транзисторов, диодов, резисторов, кон- денсаторов), которые нераздельно связаны и электрически соединены между собой так, что устройство рассматривается как единое целое.
Высокая надежность и качество в сочетании с малыми размерами, массой и низкой стоимостью интегральных микросхем обеспечили их широ- кое применение во многих отраслях народного хозяйства.
По конструктивно-технологическим признакам различают пленочные, полупроводниковые и гибридные микросхемы.
Пленочные микросхемы изготавливают посредством послойного нанесения на диэлектрическое основание (подложку) пленок различных материалов с одновременным формированием транзисторов, диодов и т.п. Пленочные микросхемы делятся на тонкопленочные (толщина пленки до 1мкм) и толстопленочные.
Полупроводниковая интегральная микросхема – это интегральная микросхема, все элементы и межэлектродные соединения которой выполне- ны в объеме и на поверхности проводника (рис. 2 а,б).
При изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем обычно используют планарную технологию.
Активные и пассивные элементы полупроводниковой интегральной микросхемы избирательно формируют в одном монокристалле полупровод- ника. Соединение элементов между собой в полупроводниковой интеграль- ной микросхеме может быть выполнено как в объеме, так и на поверхности монокристалла полупроводника путем создания на окисленной поверхности полупроводника токоведущих дорожек, например, методом вакуумного на-пыления металла. В качестве конденсаторов в микросхемах используют об-ратно смещенные p-n-переходы или конденсаторные структуры Si-SiO2-металл. Роль резисторов выполняют участки поверхности полупроводни-кового кристалла или p-n-переход, смещенный в прямом или обратном нап-равлении, а также канал МДП-транзисторов.
В интегральной микросхеме не всегда можно указать границу между отдельными элементами. Например, вывод конденсатора может одновре-менно являться электродом конденсатора. Из-за малых межэлектродных расстояний и наличия общего для всех элементов схемы кристалла (подлож-ки) в микросхемах создаются достаточно сложные паразитные связи, а так же появляются паразитные элементы, которые, как правило, ухудшают все парараметры микросхемы, как функционального узла радиоэлектронной аппаратуры.
а
б
в
Рис. 2
а – эквивалентная схема; б – структура полупроводниковой интегральной микросхемы;
в – структура гибридной интегральной микросхемы;
Гибридная интегральная микросхема – это интегральная микросхема пассивные элементы которой выполнены посредством нанесения различных пленок на поверхность диэлектрической подложки из стекла, керамики или ситалла, а активные элементы – навесные полупроводниковые приборы без корпусов (рис. 2,в).
Гибридные интегральные микросхемы позволяют использовать пре- имущества пленочной технологии в сочетании с полупроводниковой тех-нологией.
Полупроводниковая интегральная микросхема может быть изготов- лена по совмещенной технологии – активные элементы выполнены в объеме полупроводникового монокристалла, а пассивные элементы – на защищен-ной (например, окислом) поверхности монокристалла в тонкопленочном ис-полнении. На этой же поверхности сделаны и токопроводящие дорожки и площадки. Поскольку транзисторы и диоды полупроводниковой интеграль- ной микросхемы, изготовленной по совмещенной технологии находятся внутри монокристалла (подложки), размеры такой интегральной микросхе-мы могут быть значительно уменьшены по сравнению с размерами гибрид-ной интегральной микросхемы, в которой используются дискретные актив-ные элементы, занимающие сравнительно много места на подложке.
1.1. Основные параметры интегральных микросхем
Плотность упаковки – это число элементов электронной схемы в одном кубическом сантиметре объема интегральной микросхемы.
Степень интеграции x определяется количеством элементов n, вхо- дящих в состав интегральной микросхемы.
x = lg n
Микросхема 1 степени интеграции содержит до 10 элементов (мало- масштабная интегральная схема – мис). Микросхема 2 степени интеграции (среднемасштабная – сис) содержит от 10 до 100 элементов. Микросхема 3 степени интеграции содержит от 10² до 10³ элементов и относится к катего-рии больших интегральных микросхем (БИС). Сверхбольшие (СБИС) имеют
степень интеграции более 1000 элементов (табл. 1).
Таблица 1
Уровень сложности ИС | Количество интегрированных элементов | Параметры функционального назначения ИС | ||
МИС | ≤ 10 | Биполярные ячейки, простые логические элементы, дифференциальные усилительные каскады | ||
СИС | 10 – 100 | Триггеры, регистры, сумматоры, операцион- ные усилители, коммутаторы | ||
БИС | 100 – 1000 | Полупроводниковые запоминающие и ариф- метико-логические устройства | ||
СБИС | > 1000 | Микропроцессоры, однокристальные микро- ЭВМ, аналого-цифровые преобразователи |
1.2. Серии и семейства серий интегральных схем
Серия – это комплект из нескольких типов интегральных схем, имею- щих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначен- ных для совместного применения в аппаратуре. Интегральные схемы, входя- щие в серию, имеют единые эксплутационные показатели и используются как совместимые наборы деталей, пригодные для создания электронной ап- паратуры любой степени сложности.
Серии интегральных схем, совместимые друг с другом по логическим
уровням, условиям эксплуатации и конструктивным показателям, могут образовывать семейства серий интегральных схем.
2. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Логические и запоминающие элементы составляют основу устройств цифровой обработки информации – вычислительных машин, цифровых измерительных приборов и устройств автоматики. Логические элементы выполняют простейшие логические операции над цифровой информацией: преобразуют по определенным правилам входную информацию в выход-ную. Операции, используемые при обработке цифровой информации, осно-ваны на двоичной системе счисления, представляющей информацию в виде слов – комбинаций символов 1 и 0.
Обработка цифровой информации логическими элементами произво-дится по законам и правилам алгебры логики, разработанной в XIX веке английским ученым Дж. Булем.
Логические преобразования двоичных сигналов включают три элементарные операции:
-
логическое сложение (дизъюнкцию) или операцию ИЛИ
F=x1+x2+…+xn
2. логическое умножение (конъюкцию) или операцию И
F= x1 · x2·…·xn
-
логическое отрицание (инверсию) или операцию НЕ
F= x
Определение этих операций дается с помощью таблиц истинности, содержащих перечисление всех возможных сочетаний (наборов) входных переменных (входных слов).
Каждая простая логическая функция может быть технически реализо- вана простыми элементами, к которым относятся элементы И, ИЛИ, НЕ и их комбинации.
На рис. 3 приведены условные обозначения логических элементов и таблицы истинности.
Из простых элементов можно составить сколь угодно сложные логи-ческие устройства, например, счетчики импульсов, регистры, сумматоры, блоки памяти и т.п.
На практике применяют комбинированные элементы, реализующие две логические операции, например, элементы И-НЕ и ИЛИ-НЕ. Они назы-ваются функционально полными, т.к. позволяют реализовать любую логи-ческую функцию. Например, имея набор элементов И-НЕ можно построить схему ИЛИ.
Наименование функции | Условное графи- ческое обозначение | Выражение функции | Таблицы истинности | ||||
x1 | 0 | 0 | 1 | 1 | |||
x2 | 0 | 1 | 0 | 1 | |||
ИЛИ | y= x1+x2 | y | 0 | 1 | 1 | 1 | |
И | y= x1 ·x2 | y | 0 | 0 | 0 | 1 | |
НЕ | _ y= x1 | y | 1 | 1 | 1 | 0 | |
ИЛИ-НЕ | ___ y= x1+x2 | y | 1 | 0 | 0 | 0 | |
И-НЕ | ____ y= x1 ·x2 | y | 1 | 1 | 1 | 0 |
Рис. 3
Элемент И-НЕ (штрих Щеффера) выполняет операцию
___________
F= x1 · x2 · x3 ·…· xn
Элемент ИЛИ-НЕ (стрелка Пирса) выполняет операцию