62890 (Радиоволновые, радиационные методы контроля РЭСИ. Методы электронной микроскопии), страница 3
Описание файла
Документ из архива "Радиоволновые, радиационные методы контроля РЭСИ. Методы электронной микроскопии", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "коммуникации и связь" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "рефераты, доклады и презентации", в предмете "коммуникации и связь" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "62890"
Текст 3 страницы из документа "62890"
ЭЭМ используют для визуализации микрополей. Если р-п-переход (1) (рис. 9) поместить в однородное электрическое поле (2) и подать на него запирающее напряжение, то поле, создаваемое р-п-переходом (3) (при больших токах утечки), будет искривлять линии основного поля.
Искривление линий позволяет определить распределение потенциала по поверхности образца.
Электронно-отражательная спектроскопия (ЭОС).
В ЭОС поверхность наблюдаемого образца поддерживается при таком потенциале, что все или большая часть облучающих электронов не попадают на поверхность образца.
Принцип его работы показан на рис. 10. Коллимированный электронный луч направлен на поверхность образца перпендикулярно к ней. Электроны,
Рисунок 8 – Принцип работы эмиссионного микроскопа
Рисунок 9 – Визуализация p-n-перехода с помощью ЭЭМ
- p-n-переход, включенный в обратном направлении;- электронные
траектории поля р-п-перехода.
Пролетевшие через последнюю апертуру линз, быстро замедляются и поворачиваются обратно в точке, определяемой потенциалом поверхности образца относительно катода и напряженностью электрического поля на поверхности образца. После поворота электроны вновь ускоряются, пролетая обратно через линзы, и увеличенное изображение проецируется на катодолюминесцентный экран. Дополнительное увеличение можно получить, отделяя выходящий пучок от входящего в слабом магнитном поле и используя дополнительные увеличительные линзы на пути выходящего пучка.
Контрастность в выходящем пучке определяется топологией поверхности и изменениями электрического потенциала и магнитных полей на ней.
Напряжение на образце
Рисунок 10 – Принцип работы электронного отражательного микроскопа
ЛИТЕРАТУРА
-
Глудкин О.П. Методы и устройства испытания РЭС и ЭВС. – М.: Высш. школа., 2001 – 335 с
-
Испытания радиоэлектронной, электронно-вычислительной аппаратуры и испытательное оборудование/ под ред. А.И.Коробова М.: Радио и связь, 2002 – 272 с.
-
Млицкий В.Д., Беглария В.Х., Дубицкий Л.Г. Испытание аппаратуры и средства измерений на воздействие внешних факторов. М.: Машиностроение, 2003 – 567 с
-
Национальная система сертификации Республики Беларусь. Мн.: Госстандарт, 2007
-
Федоров В., Сергеев Н., Кондрашин А. Контроль и испытания в проектировании и производстве радиоэлектронных средств – Техносфера, 2005. – 504с.