ПРИМЕРНАЯ ПРОГРАММА ЭКЗАМЕНА

1. Анализ основных уравнений п/п электроники. Уравнение электронейтральности. Уравнение плотностей тока.

2. Анализ ВАХ p-n перехода (энергетические диаграммы, выпрямление на p-n переходе)

3. Анализ влияния внешнего эл. поля на толщину запорного слоя, высоту потенциального барьера, контакта Ме- п/п

4. Емкости p-n структуры. (Зарядная, диффузионная, поверхностная)

5. Контакт двух вырожденных п.п. (ВАХ, энергетическая диаграмма)

6. Контакт двух п/п с различной шириной запрещенной зоны.

7. Контакт Ме – п/п. Выпрямление на контакте Ме – п/п.

8. Контактное явление гетероперехода.

9. Анализ электронно-дырочного перехода. Равновесное состояние. Расчет ОПЗ. Выпрямление на p-n переходе. Виды потенциала (???) эл. поля. (резкий/плавный?)

10. ВАХ контакта двух вырожденных п/п. Образование отрицательного сопротивления.

11. ВАХ структуры с р-n переходом.

12. Виды пробоя структуры, содержаший p-n переход. Лавинный пробой. Тепловой пробой. Туннельный пробой.

13. Влияние внешнего эл. поля на p-n переход

14. Влияние высокого уровня инжекции на параметры структуры.

15. Влияние толщины п/п на прямую ветвь характеристики диода.

16. Гетеропереход. Энергетическая диаграмма, перенос тока. Сопоставление с монопереходом. Принципиальные особенности.

17. Диодная теория выпрямления диода. (Этот вычеркнули, по-моему.)

18. Диффузионная емкость p-n перехода (диода).

19. Как влияет омическое сопротивление (???) полупроводника на ВАХ p-n структуры.

20. Контактные явления. Виды контактов.

21. Основные соотношения в п/п электронике (конц. зарядов, уровень Ферми)

22. Основные уравнения п\п электроники.

23. Проводимость п/п. Влияние высокого уровня инжекции на параметры диода.

24. Проводимость п/п. Влияние проводимости базы на параметры структуры.

25. Различия обратной ветви ВАХ Ge и Si диодов.

26. Стабилитрон. Принцип действия, основные параметры.

27. Уравнение Пуассона. Физический смысл. Применение.