240-1952 (Электронный документооборот страхового общества), страница 18

SDRAM в настоящий момент, безусловно, является более перспективной хотя бы за счет того, что ее поддерживают все новые чипсеты. А так как чипы SDRAM устанавливаются обычно на модулях DIMM, разъемы под которые устанавливаются на материнских платах чаще, чем разъемы под SIMM, применение EDO, выпускаемой в модулях SIMM, становится все более затруднительным.

Однако не все так просто. Во-первых, применяемые в настоящее время модули SDRAM, не будут работать с чипсетом 440BX и будут иметь проблемы с 440LX, в силу того, что ими не поддерживается спецификация Intel SPD. Во-вторых, память типа SDRAM не применяется в системах с процессором Pentium Pro, являющимся лучшим в серверных применениях.

Cтарая память типа EDO может быть применена в настоящее время практически во всех системах, имеющих разъемы под SIMM. Скорость работы EDO RAM не намного ниже, чем у SDRAM. Теоретически она отличается лишь временем передачи второго и последующих двойных слов, идущих подряд, что встречается не так уж и часто. Единственный крупный плюс в пользу SDRAM, это то, что она рассчитана на работу на более высоких внешних частотах - до 100 MHz.

Нами была протестирована скорость работы системы с памятью типа EDO и SDRAM на базе материнской платы Asus TX97-E, процессора Intel Pentium 200 MMX, разогнанного до 225 MHz, винчестера Quantum Fireball ST 2.1 Gb и видеокарты Virge/DX 4 Mb EDO. В системе просто заменялись модули памяти. При этом были получены следующие результаты:

Как можно заметить, производительность системы с различными типами памятьи практически не отличается. Учитывая тот факт, что стоимость различных типов памяти одинакова в силу технологии ее производства, можно сделать вывод о том, что менять в настоящее время EDO RAM на SDRAM не целесообразно. Лучше это сделать впоследствии, когда появится память с поддержкой Intel SPD. А приобретая новую систему, естественно лучше взять SDRAM, как более новую технологию.

Соответствие внешних частот, временных задержек и времени доступа для различных типов памяти

Нижеследующие таблицы содержат значения требуемого времени доступа к RAM для различных внешних частот и временных задержек (wait state), а также фактические документированные характеристики чипов памяти. Приведены теоретические измышления, на практике все может отличаться как в лучшую, так и в худшую сторону.

Для SDRAM: tAA = (CL-1)*(Период таймера) + tAC + tSU
tSetUp = 3 ns
tRAC = (2*CL-1)*(Период таймера) + tAC

Рассмотрение таблиц показывает преимущества 7–1–1–1 SDRAM. A "–10" (100 MHz) SDRAM работает чуть быстрее, чем "–60" асинхронная память.

Заметьте, что у SDRAM "–10" существует эквивалент. У SDRAM tRAC 58ns при CL3–100MHz, а 54ns при CL2–66MHz на 4ns быстрее. У SDRAM tAA при CL3–100MHz на 4ns медленней, чем CL2-66MHz!

SDRAM "–10" работающая с CL3 (7–1–1–1) может не работать при CL2 (5–1–1–1)!

Системные циклы задержки

Та жа информация, что и выше, но представлена в другой форме. По этой таблице можно определить, какие установки циклов ожидания необходимы для конкретной памяти.

X-Y-Y-Y — Циклы нормальных временных задержек.