Петров К.С. Радиоматериалы и радиокомпоненты (2003)

.1г .1З Предисловие Введение ... 72 77 Содержание ГЛАВА 1 Электрофиаические свойства радиойдатериалов 1.1. Общие сведения о строении вещества Структура электронных оболочек атомов Химическая связь между атомами Структура твердых тел Основныв понятия зонной теории . 1.2. Элвктрофизичвскив свойства проеодниковых материалов Основныв полаквния классической электронной теории ...,.......... Оснсвныв положения квантовой физики Температурная зависимость элвктропроводности .

Зависимость злектропроводности от частоты . Элвктропроводность тонких пленок Классификация проводниковых материалов . 1.3. Элвктрофизичвские свойства диэлектрических материалов Электронная поляризация Диполыая поляризация Ионная поляризация Спонтанная поляризация . Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры и частоты Электрспроводность диэлектриков .

диэлектрические потери . Электрическая прочность диэлектриков Классификация диэлектрических материалов . 1.4. Магнитные свойства радиоматвриалов Намагничивание ферромагнвтиков Магнитомягкив материалы Магнитотаердыв материалы 1.5. Элвктрофизическив свойства папупроводниковьа материалов Собственныв и примесныв полупроводники Расчет равновесной концвгпрации эле тронов и дырок в собственном полупроводнике Расчет равновесной концентрации электронов и дырок в примесных полупроводниках Нвраеновесное состояние полупроводника Время жизни неравновесньи носителей заряда Распределение концентрации неравновесных носителей заряда .

1В 18 . 18 22 25 Ю .. 33 .. 33 35 37 38 40 41 .. 43 43 45 45 46 .. 48 ВУ 51 53 58 61 64 65 Содержание 98 101 103 107 108 . 110 173 173 175 175 177 178 180 186 188 190 193 195 196 ...196 197 198 198 Токи в полупроводниках Поверхностныв явления, 1.6. Контактныв явления в радиоматериалах Контактные явления в меплшах Электронно-дырочный переход Вольт-амперная характеристика Р-л-перехцаа Контакт вырожденных полупроводников Контакт полупроводника с металлом Гетщооперехсды Контрольныв вопросы глава г Пассивные компоненты радиоэлектронной аппаратуры 2.1.

Резисторы Классификация и конструкции резисторов Параметры резисторов Сисшма обозначений и маркировка резисторов .... Конструктивно-теснолопюческие Разновиднос~и РезистоРОВ . Специальные резисторы 2.2. Конденсаторы Классификация и конструкции конденсаторов Параметры конденсаторов . Система обозначений и маркировка конденсаторов Основныв разновидности конденсаторов 2.3. Катушки индуктивности Физическая природа индуктивности Конструкции катушек индуктивности Индуктивность и собственная емксють катушек индуктивности Потери в катушках индуктивности Разновидности катушек индуктивности 2,4, трансформаторы, рсщд~и трансфюСхиаторов Физические основы функционирования трансформаторов ...., Потери в трансформаторах Основные принципы расчета трансформаторов .

Контрольные вопросы ГЛАВА, 3 Полупроводниковые диоды 3.1. Устройство полупроводниковых диодов 3.2. Вольт-амперная характеристика диода Область прямых напрюквний . Область обратных напряжений Влияние температуры 3.3. Пробой диода 3.4. дифференциальные параметры диода 3.5. Емкости диода ЗЯ.

Выпрямительный режим работы полупроводниковых диодов 3.7. Импульсный режим работы полупроводниковых диодов Процесс включения . Процесс выключения 3.8. Разновидности полупроводниковых диодов и их применение Выпрямительные диоды Высокочастотные диоды Импульсные диоды 111 111 117 121 123 124 126 126 132 133 135 138 138 139 141 147 152 154 155 156 160 152 172 Соде жанне Стабилнтроны . Варикапы Туннельным диоды Фотодиоды Сввтоизлучающие диоды Оптопары Контрольные вопросы ..

201 202 207 . 208 284 284 285 286 287 ГЛАВА 4 Биполярные транзисторы и тиристоры 4.1. Устройство и принцип действия би поля рното транзистора Режимы работы Схемы включения Принцип действия 4.2. Соотношения между токами 4.3. Распределение концентрации носителей заряда и токов.................. 4.4. Статические хщиктеристики д улр впяюцз ара ер Выходные характеристики в аеме с общей базой Выходные характеристики в схеме с обцмм змиттером Влияние температуры . Првдельные рвкимы . 4.5.

Расчет токов транзистора 4.6. Дифференциальные параметры Система П-параметров Система У.параметров .. 4.7. Работа транзистора в усилителыюм режиме Графический анализ усилнтелыюпт рвкима . Аналитический расчет усилительных свойств . Физические эквивалентные схемы . 4 8. Сравнение усилительных свойств транзистора в различных схемах включения Схема с общим эмиттвром Схема с общей базой Схема с общим коллектором 4.9. Частотныв свойства транзистора Схема с общей базой Сема с общим эмитте ром Дрейфоеыв транзисторы 4.10. Работа транзистора в импульсном режиме Процесс включения транзистора Процесс выключения транзистора Транзистор с диодом Шатки 4.11. Разновидности биполярных транзисторов 4.12.

Тиристоры Диодный тиристор Триск1ный тиристор Симметричный тиристор Применение тиристоров Квпрольные вопросы ГЛАВА 8 Полевые транзисторы 54. Полевые транзисторы с управляющим р-л-переходом Устройство и принцип действия . Расчет напряжения отсечки и нзпрвкения насыщения Расчет тока через канал ..

210 .. 211 .. 213 .. 217 .. 222 .. 223 .. 226 .. 227 229 .. 23! .. 240 .. 240 . 244 . 245 248 .. 253 . 255 . 270 .. 272 .. 275 .. 275 .. 279 .. 279 .. 281 .. 282 Содержание 259 291 293 295 295 297 З00 ЗБЗ 305 310 ЗГБ З13 З13 318 319 320 320 321 322 322 323 324 325 Сетические хвраюеристики Дифференциальные параметры . 5.2 Полевые транзисторы с управлякхцим переходом металл-полупроводник . 5.3. Полевью транзисторы с изолированным затвором Устройство и принцип действия . Рвсчетпороговогонапряжения . Расчет тока через канал Статические характеристики ДифФеренциальные параметры 5,4.

Усилительные и чвстатныв свойства полевых транзисторов 5.5. Импульсный режим полевьж транзисторов Процесс включения транзистора Процесс выключения транзистора 5.5. Приборы с зарядовой связью Контрольные вопросы ГЛАВА 6 Структуры и технология интегральных микросхем 5.1. Гибридные интегральные микросхемы Пленочные резисторы Пленочные конденсаторы распределенные ЛС-структуры Пленочные индуктивности Пленочные проводники и контактные площадки Активные элементы ГИМС . Б.2. Бипопярные транзисторы полупроводниковых ИМС Транзисторы типа и-р-и .

Транзисторы с диодом Шатки Многоэмитюрные транзисторы Многокалпекгорные транзисторы . Транзисторы типа р-и-Р . Транзисторы с инжекционным питанием Диоднае включение биполярных транзисюров Б.З. Пассивные элементы ПП ИМС... Полупровадниковью резисторы Полупроводниковые конденсаторы .

5.4. МДП-транзисторы ПП ИМС МДП-.пранзисторы с поликремниввым затвором Комплементарные МДП-стругоуры Структуры «кремний на диэлектрике».................... Еертикальнью структуры ., Мнопюлойные структуры 5.5. Базовые технологические операции Зпитаксия Легнраеанив ....................... Формирование диэлектрических пленок Формирование проводящих пленок Травлению Литография Б.Б. Технология изготовления ИМС Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС Изготовление толстопленачных гибридных ИМС Зпитаксиально-планарная тюгнапогия ЕЯС-технология Изопланарная технология Технология изготовления МДП-транзисторов Контрольные вопросы 328 Зкв 330 331 331 332 334 334 337 339 340 341 341 342 343 343 343 344 347 348 350 351 353 353 354 Содержание . ЗВВ 363 364 366 367 368 .

389 371 378 378 380 383 387 390 ГЛАВА 7 Аналоговые интегральные мищзосхемы 7.1. Каскады сдинамичвскай нагрузкой . 7.2. Составные транзисторы 7.3. Генераторы стабильного така 7.4. Схемы сдвига потенциала 7.5. Каскодныв схемы 7.6. Выходнье каскады 7,7. Диффврвнциальныв каскады 7.8. Опврационнью усилитвли Парамвтры ОУ Схвмотвхника ОУ Примечвнив ОУ 79. РаэновидностиАИМС ... Контрольные вопросы ГЛАВА В Цифровые интегральные микросхемы ..... 8.1.

Электронные ключи на биполярных транзисторах Влияние внвшнвй нагрузки на работу ключа . Пврвдаточная характеристика Помахоустойчивють клю а Быстродвйствив ключа 8.2. Элактронныв ключи на полевых транзисторах Ключ с рвэистивнай нагрузкой . Ключи с динамической нагрузкой 8.3. Лагичвскив злвманты интегральных микросхем . 8.4. Диодно-транзисторная логика .. 8.5. Транзисторно-транзисторная логика 8,6.

Эмиттврно-связанная логика . 8.7. Логические элементы с инжвкционным питанием 8.8. Логичвскив элементы на МДП-транзисторах Логические элвыанты на однотипньи МДП-транзисторах Лагичвскив элементы на комплвмвнтарных МДП-транзисторах . 8,9.

Функциональныа погичвскив Узлы Шифраторы Двшиф~аторы .... Сумматоры 8.10. Триггеры йб-триггер ЛВТ-триггер О-трипер ДвухступвнчатГкй НВТ-тригтвр Т-трипар ЗК-триггар 8.11, Загюминающие устройства Масочныв ПЗУ Программируемые ПЗУ . Рапрограммируемыв ПЗУ Элементы памяти ОЗУ статического типа . Элвманты памяти динамического типа Контральныв вопросы . 391 392 396 396 402 . 403 ... 408 . 411 ... 411 ...

412 . 413 . 413 . 414 415 . 417 . 418 419 ... 420 . 420 ... 421 ... 422 .. 422 . 424 . 425 ... 425 ... 428 ... 429 Содержание ГЛАВА 9 Основы Функциональной алектроники 9.1. Проблемы повькаения степени интеграции ИМС 9.2. Функциональная электроника дкустоэлектронные устройства Магнитозлектронные устройства Оптоэлектронные устройства . Устройства на основе эффекта Ганна .

Контрольные вопросы ГЛАВА 10 Вакуумная электроника 10.1. Вакуумные диоды . Электрическое псле в диоде Околскатодный процесс днодныв характеристики ............... ! 0.2. Вакуумные триоды Электрическое поле в триоде Действукхцве напряжение Токораспределение в триоде .