Ф.Н. Покровский, А.Ю. Прибытков, Б.И. Прокофьев, А.Г. Тынкован - Плазменные панели, страница 7

Состав узлов электроннои части плазменных панелеи 51 Рис. 4.17. Узел контактирования основания панели с передним стеклом, на котором видны проводники электродов сканирования и под- светки бескорпусных(рис. В.12 и 4.18). Для защиты от внешних загрязнений, воздействий влажной среды и механических повреждений интегральные микросхемы покрыты специальным компаундом, что, к сожалению, исключает возможность их замены при отказе. По этой причине, некотоРые произвоДители Рис 418 Бескорпусной инте- вернулись к применению кор- гральный коммутатор электродов пусных микросхем. подсветки Как уже отмечалось, при работе устройства электрическая часть плазменной панели рассеивает значительную тепловую энергию. Во избежание перегрева теплонагруженных компонентов устройства и защиты теплочувствительных компонентов используются методы интенсификации естественной конвекции, теплоизлучения и теплопроводности с применением радиаторов (рис.

4.19), а также принудительная вытяжная вентиляция. Наличие в составе устройства мощных источников низкочастотных электрических и магнитных полей может вызвать механическую вибрацию тех компонентов, точки монтажного крепления которых удалены от центра их собственной массы. Во избежание вибраций такие компоненты механически закрепляют компаундом с прочно установпенными и рядом расположенными компонентами (рис. 4.20) либо применяют специальное крепление. Плазменные панели Рис. 4.19. Разновидности радиаторов теплонагруженных компонентов узлов электроники Рис. 4.20. Механическое крепле- Рис. 4.21.

Катушки индуктивности ние компонентов компаундом цепей коммутации Катушки индуктивнасти, применяемые в цепях снижения тепловыделения ключей коммутации электродов сканирования и подсветки, обычна изготавливают печатным способам (рис. 4.21). Контрольные вопросы 1. Какие основные функциональные узлы входят в состав электронной части плазменных панелей? 2. Какова необходимость применения аналого-цифровых преобразователей (АЦП) в составе электронной части? 3.

Чем вызвана необходимость применения резонансного контура в цепи коммутации электродов сканирования и подсветки? 4. Какие конструктивные методы применяют для интенсификации отвода тепла? 5. Почему возможно появление механических колебаний компонен тов электронной части? Диагностика неисправностей плазменных панелей Плазменная панель, как и множество других электронных устройств, может выйти из строя по причине неисправности какого-либо блока, узла или компонента. Для сокращения времени на поиск и устранение неисправностей фирмы-изготовители предлагают определенную последовательность действий, позволяющую, при наличии квалифицированного персонала и соответствующих измерительных средств, осуществить диагностику узлов и блоков.

5Л. Классификация типовых неисправностей Важнейшим узлом плазменной панели является процессор управления, активизирующий формирование изображения, а также отключение устройства по сигналам возникших неисправностей. Процессор управления, как правило, редко выходит из строя, если только нет сбоев в программном обеспечении, коррекция которого возможна при наличии соответствующей программы. Возможно обновление программного обеспечения через Интернет. Неисправности плазменной панели как электронного устройства можно разделить на две группы. Причины неисправностей первой группы могут быть определены и устранены пользователем с помошью встроенной системы диагностики СЬМ (например, слишком светлое или излишне темное изображение; белая окантовка элементов изображения или текста; неустойчивость изображения или появление на экране »снега»; отсутствие цвета; недостаточная четкость; отсутствие звука в одной из колонок и др.).

Неисправности второй группы — более сложные. Выявление их причин и устранение возможны лишь квалифицированным персоналом с использованием специальных инструментов. 5.2. Диагностические признаки типовых неисправностей Опуская полный список всех возможных неисправностей, с достаточно высокой вероятностью можно утверждать, что чаще всего имеет место выход из строя У-платы, выполняющей сложные функции в напряженном тепловом и электрическом режимах. Для понимания принципа работы этой платы рассмотрим более подробно ее устройство и работу на примере У-платы плазменной панели фирмы Еи)йети модели Р08 4206.

В У-плате формируется последовательность мощных исполнительных импульсных сигналов 80 и 80 специальной формы, вызывающих свечение верхней (80) и нижней (80) частей панели и создание изображения. Эти сигналы поступают на сканирующие электроды У плазменной панели через коммутаторы, расположенные на шлейфах панели. Как импульсные сигналы 80 и 80, так и сигналы управления коммутаторами формируются под воздействием импульсов, поступающих с платы управления [рис. 5.1), которые и определяют всю временную диаграмму работы У-платы. Для обеспечения работоспособности У-платы от источника питания на нее поступают напряжения питания Чз = 175 В, Че = = 16 В, Чзс = — 45 В, Чу = — 165 В, Чсс = 5 В. Внешний вид У-платы в собранном виде показан на рис. 5.2,а. На рис.

5.2,б приведен вид той же платы со снятыми модулями М18 и М19. Каждый цикл формирования изображения содержит интервалы сброса, адресации и подсветки. На осциллограммах первых циклов рабаты У- и Х-плат (рис. 5.3,а-в), снятых через 10 с Рис. 5.1. Система основных соединений У-платы 1лаа ° ь. мимне |и»»» м»н». б! Рис. 5.2. У-плата панели Еи111ао РОЗ 4208: а — анешний аид; б — аид со снятыми модулями М18 и М19 после включения плазменной панели, видны основные интервалы процесса формирования подполей изображения, а именно: 1 — сброс (инициализация), 2 — адресация; 3 — подсветка.

с алаи««ленные панели тса я ° Асасаенак мРак 2,000«а таа л ° Асс салаке мрак 2,00алл гФ СНЗМАМСАВИОЧМБООра СН2/7 СН!ЗЦН СН20ООЧМаарв Снг/7 2ДО ДЮ тЕ гь ЕМОС СМК МР:200С тЕ Л. ЕМОС СНЕ МР«лгЛО гФ сна гмн снгилч мхам СОСЧВО 20 снгт сна игл оеграч маа с 10лс бт ЕСОЧВО СН27 с 30Н« снс грач оеисч миюм снг7 с ВРЦ б Д9 Рис. 5.3. Осциллограммы циклов работы Х- и У-плат Вале«ласка «л Х-«лала Всего плазменная панель содержит 480 строк. В У-плате имеются два симметричных канала ЕООУ (модуль 19) и ОООУ (модуль 18), каждый из которых «обслуживает» соответственно четную и нечетную половину строк. Строки одного канала расположены через строки другого канала.

Контрольные точки сигналов управления на плате, относя- Глава 5. Диагностика меисправностей плазменных памелей Ъ о ) О О О в й о а а Ю с о х с Ю .й н Х а о. с о о Плазменные панели ' ЯВ22 У8 ! ЯЧ/21 $ЧЧ23 Рис. 5.5. Упрощенная схема канала 000У щиеся к каналу ЕООУ, имеют маркировку 1, а к каналу ОООУ— 2. В каждом канале имеется модуль, формирующий импульсы подсветки. Полная схема модуля М18 изображена на рис. 5.4.

Рассмотрим работу схемы на примере канала ОООУ (модуля М18). Упрощенная схема канала показана на рис. 5.5. Обозначенные на ней электронные ключи ВЧг21-ВУУ26 показаны на полной схеме и составлены из включенных параллельно транзисторов: ЧТ1-ЧТ4 (5Ут21); ЧТ10-УТ13 (ВУУ22); ЧТ5 и ЧТ6 (ВУУ23); УТ7 и УТ8 (ЗФ24]; ЧТ23 и УТ14-ЧТ17 (ВУУ25); из одного транзистора ЧТ9 (ВУт26). Ключ ВУЧ1 является общим для обоих модулей и состоит из одного транзистора УТ24.

При включении питания замыкается ключ ВУЧ1 и соединенные параллельно конденсаторы С47 и С48 заряжаются до уровня примерно 120 В. В дальнейшем этот ключ размыкается и в процессе работы напряжение на конденсаторах С47 и С48 поддерживается на уровне 80 В за счет зарядки/разрядки при формирования фронтов и срезов импульсов подсветки, которое является контрольным для схемы защиты, показанной на рис. 5.6. Для формирования фронта импульса подсветки сигналом Ш замыкается ключ ЯУУ24 и емкость панели Спан (см.

рис. 5.5) заряжается напряжением конденсаторов С47 и С48 через дроссель (.1. Емкость панели Спан и индуктивность дросселя (.1 образуют колебательный контур и нарастание напряжения на емкости панели представляет собой начало колебательного процесса, используемого для формирования фронта импульса. 1 лаан Ь. диагностики неиепраанестеи плазменных панелей Зу Рис. 5.6. Схема защиты У-платы Для предотвращения осцилляций на плоской вершине формируемого импульса подсветки через ключ ЯУУ22, который включается сигналом СО (длительностью около 1 мкс] с некоторой задержкой относительно сигнала Ш, к емкости панели Спан подключается источник питания ЧЬ (175 В).

После этого ключ ЯМ24 размыкается и формируется вершина импульса подсветки. Остальные ключи в этот момент разомкнуты. Формирование среза импульса подсветки начинается размыканием ключа ЯМ/23 сигналом 0Э. При этом возбуждается другой колебательный контур, состоящий из емкости панели Спан и индуктивности дросселя (.2. Одновременно с этим замыкается ключ ЯУУ26 для снятия заряда с цепи формирования среза. С некоторой задержкой замыкается ключ ЯМЛ (сигналом СО) для формирования нижней полки импульса. Процесс формирования импульсов подсветки иллюстрируется осциллограммами рис. 5.7,а (формирование фронта и вершины) и осциллограммами рис. 5.7,б (формирование среза и нижней полки импульса).

Из осциллограмм следует, что формируемые фронты имеют некоторую задержку по отношению к управляющим импульсам. Это обьясняется невысоким быстродействием ключей. Для создания каждого из 8 или 12 подполей изображения необходимы пачки импульсов подсветки отличающейся длитель- 60 Плазменные панели тев,л ° мюовврмв мрп мерв тер 24 еревсвеФе мрв» 2046рв 2 2 СН15062 СН2МЮЧ М! 10рв СН27 СН!5060 СН226Х М100рв СН2/ тсс! 5 вкивви ттхв! втдвин тее 25. ° Рвесечвен мреевв,ем тее 25. ° Рево !вен мреез1,46м 2 2 сне июр снгаан м сввм СН2/ СН!5049 СН220Ю М1,00рв и.о! 26,6656Н тсо! Рис.

5.7. Форма сигналов на выходах У-платы оюл 26,4425 Н ности. Ключ ВУУ25 замыкается на все время формирования пачки импульсов отдельным стробом, равным длительности каждой пачки. Одновременно на Х-электроды также поступают импульсы подсветки с Х-платы, которые по форме аналогичны импульсам У-платы, но находятся с ними в противофазе. Схемотехника модулей Х- и У-плат одинакова.

В период адресации на У-электроды панели через. ключ ВУЧ25 подается сигнал 50 с уровнем 175 В. Сигнал подается через электронный коммутатор, расположенный на шлейфе панели. Коммутатор осуществляет перебор строк. На рис. 5.8 приведена схема формирования импульсных сигналов 80 и ВО, Отрицательный импульс адресации формируется транзисторными ключами МТ7 и ЮТ1, включенными по каскодной схеме и подсоединенными к источнику отрицательного напряжения вру ( — 175 В). Положительная часть импульсного сигнала сброса (фазы подготовки) 50 формируется подключением источника 'твб (175 В) транзисторным ключом ттТ17 через четыре Глава 5. Диагностика неисправностей плазменных панелей > (О о СЗ ш О гл :) в Ф Ф з Ф о О л л с Л з Ф о о Ф с > 1Л о с.