semicond6 (Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы), страница 3

~, У( Ьсз,.;, В Ы! 70 2!!! К!!9ООА, КИ9056, 2П90ЬЛ, 2П9055 П, цпариыс МДИ транзисторы с индуцироцаццым каналом п-типа 11р.-дпазначеиы для работы в )силнтелях н генераторах э.!сктри !еских колебаний СВЧ диапазона воли, Ныпуска1отся в чета плокерачи !еском корпусе с полосковыми ьыы~дами !рис 7 2, и» Продолжение ' Прк температуре корпуса более 25 С мощность»Вт» рассчптыаастса по формуле Ртая = 4 — О 032 79кор — 25» П 5 10 7Х Уги,й О 5Д Щ УЯ 2Пд Хс мА ~7~ иА/8 Я г ггпу КП907Л, КП9О75, 2П9О7А, ~П9О75 Планарные МДП»ранзнсторы со встроенным каналом 77-типа Предназначены для работы в быстродействую»цнх переключающих устройствах наносекундного диапазона, усилителях и генераторах электрических колебаний СВЧ дна»»азона волн Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами (рис 7 2, и) Преде и но допу~тимые зкс ~„~увт1цн«иные дзрнкр' В В о~ Оркр ли. при температур корпуса б,~ кс зз 'с ь ин~н~ит~ ~гг~а~= !~ з — вОВ~Охор ~п (нг! ~ р .

~ ~~~загет~я во фарч~1е Х„ А ~~ ~си ~ 2П909А, 2П909Б, 2П909В МДП-транзисторы с каналом и-типа Предназначены для работы и усилителях и генераторах электрических колебаний СВЧ диапазона волн Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами (рнс 7 2, к! 1. си та~ Осз Цзи, „ Р„х,йт Оьрр щах — 60 "С == 0.„~ О...

„,., — 60'С = О„„„< О„„„,„, — 60 С(О„„р~О„„р„„, Окор ~~25 С ьо 70 -+ 30 1! 5! 100 !25 — 60 60 70 +-30 1 1,5' 100 125 — 50 1с4ссН!н1 ПРСде:сьно до!!ус,1и сньсс* ?, 60" — 6Г! !26 ~ Г.СГ! нса!. ~~СИ н! В ! г5С нгас сс ! снсс! ог ~ гллр нгсн ° Ос Олэр ниг; ° — 60 'С: Он.р = Огнр < 40 'С вессс!! 11ВТИцНОГГНГлсС 126 'С 1 26 !25'С 60 ~26 нС 6!1 26 ГД 6Э 60' — я ~ г) 60 60 4ас — 66 126 Г! ргг Рл, —" !Ъ Гст с!Р!' Г'л. Ирсг снс 1ннсннн 'гсъгнсрс!т~рги лн""~г,э О! !С! ън $н» лс. нОнс11дс ь,1!!: гстся н1 ч нснсгс~ю ~,~лосс! .се !4 Кг Г1рн сн! зн гсннр тсннер, ср! л иг г нг 3! ню 12 г с!ннНсос-с, Нн ~'с!си н! ! с ллиус снснс!!'! дг! С! г!т ОГЛАВЛЕНИЕ Полупроводниковые диоды 1 ! Система обозначений полупроводниковых лн ц~ ~» 1 2 Электрические параметры полупроводниковы няо ~ ~ 1 3 Выпрямительные и универсальные диоды 1 4 Импульсные диоды 1 Гг.

Варикапы 1 6. Стабилитроны и стабисторы 1 7. Т1ннельные и обрашенные линды 1.8 Светоизлучающие полупроводниковые ириборы 2. Тиристоры 3, Биполярные трлн~асторы М~ М 3 1 Система обозначений биполярных трап пкторои 3 2. Э1ектрические параметры б»полярных т!ын ыкто!«~» 4. Биполяриые тран~иггоры ма.>ой мощности 4 ! Ьнполярные тра««сто!«к м«.~ой моин«~1« ««око«час!«1ы 4 2 Бнпозярныс трап ишторы и» и1и '«1»щи» ~и ~ 1« ци»»и и«~~ 4.3 Бнполярныс трап ««то!и! мл «~п ч1и» ~ч» 1«и»((».«и ьи и ы ! н $ ~1» э. Биполириые транзисторы среднеи мощно~~и Б 1 Ьииолярныс транзисторы среднеи чои.иосси и 1~ьои ° ~ и ~«~~ ~ и~ ! 3~2 Биполярные транзисторы средней мошности среднеи! пи ниы 1~! 5 3 Бинолириые тра» чк ~оры средней хи~и~нпсти вы~ ок «1ч,« ~ ~ы ! ! 6 ! Биполярныс транзисгоры болин~он и<нина п~ ии «.

>и»и ~«1ы !ч!~ б 2 Бииолярные транзисторы большой маиносги среднеи и«1о~ы '.Я!1 63 Биполярные транзисторы больиои мж иос1« нысокои ч и ииы 2»п~ 7. Полевые транзисторы '1и 7 ! Система обозначений полевых транзисторов 7 2 Эзектрические параметры полевых транзисторов 7 3 Полевые тран;исторы малой мои!ности 74 Потовые транзисторы болыион мол«ости 6. Биполярные транзисторы большой мощности !ч> Виталии т1епноаыт Галкин 4нагалии 81еоии0оаи ~ Вяни и и Веадамиа Александ!тона г Прогоосньо ПОЛУПРОБОДНИКОББ!Е ПРИБОРЫ 'оавеяуиинни ренакниси 1Т В Васиченко Редактор Т Г Ка.ливи Худг1нхаиь С В валенок Художествовали редактор Л И Инкнн Технические редль~ори В В Хореискии !1 1! Ка степная Корргьторти Г К Пискунова Л Ф Лнквдиевскзи Г Б Красовская ИБ Ж 2824 Сдано в набор 24 03 87 Поди в печ 25! 1 8, А1 08858 Фориат 84ус 108 7ет Бумага тип гй ! Гарни ура литературная Высокая печать с ФПФ Уса аеч ~ 15 12 Ус ~ ьр этт 1533 Уч над л 1074 Тироле 100000 энз Зак 252 Пена 80 и Ордена Лру и<бы иврояоп иьчвтсльство <Ведар!с~ » Госхпсрстиеаиого ломитета Ьг С.!' по делан издательств поли~рафни и иннткнои торговец 220500 чтниги прогпект Ммнеровв 54иисиии ордена Трудового Крас~:ми 8иаясци цо и ~!та !тьоибипат ЧППО им !! Кочтсв 220005 й41пн ь Красьтя 23 Галкин В.

И. и Лр 1 15 Полупроводниковые приборь1 ( п11П ник уУВ И Галкин, А Л Булычев, В Л 111 ренко — 2 е изд, перераб и доп — Ми ! русь, 1987.— 285 с Приведены основные ава асннп по гапаяровидинкояыя ди ~ я старая опасным и ол о я! яыя трапаяс~орая по иннвкя1м я > г рыпрос~р~иепяп «т«в проаы1я.с««он радяоаасктрояяоп 1ииц ы~~ рнного применения гак н 1юбнтетвских конструяпиях По сравнению с пргдыд~птям наданнсч П979 г ) сарово пни работая н допоанся иовы ан яатсряп1аии Дан спекяаднстоя ааняиающях~я разработкой, э«сп гуа1 ~пи~ ~ и рсмоятом радясатеятро1н1он аппаратуры 24озоооооо-ззз Г 71 — 87 и зм(оз> — з7 ььк з2 збгнг .