semicond6 (Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы), страница 2

О И И га ( Х 3 д й а Р' С3 г„~ о о с. М 63 И СЯ ( ж м Щ Ж х+ ~ Щ а~ Щ 1- ж$ с. ~~ о с4 о Э'ъ щ р'$ а х Ж М о ~,,„ И ~ я х И с0 о х е о Оэ .й 2 аЖ Оз х СЭ Ф ~,// ~ /' ~ ' ъ и ~/ .с=~яс~=со д' л~ ., р~ ф~:.~ ~ 4 1- Л сО СР ,/~ '~ // СаС =ь.рОСа с с1 оч с~ ч сч 1 сч осс л 3Л С~ С:~ ~„1,' '4 М с О ОБ% л4%,4 чк а оь М 'Л с. 3 Ъ 1 о х 3 С С~ ~2, о $-3 СЧ о С~ СО ц~ !! < 1 Г о о Л с'4 Г~ С а с~ ,7, йl!Д о '~// ~ / ~ ~! а Х х 4Р с' '2Р .С сд а Я 6~6„ 1= $= ~з '7о с '3 % И Е ч д Хс,ИА с й Г~ с)с, ~~ ~> о о о ~) о ~й ~й -'4 С1 '~'Ц'у".,' ~~ о о о о и / г к.„„,~ СС3 „~ о Ю С3 с~ Я С„-1 Х И Б О с., Л С6 О х а.

д с «'4 .й =г С йС Ю $ Сй 1' о Р~ С2 С~ о С" С~ й~~ С'5 ~«С~~ 2,' '" СЭ м' «'4 Ж Сй С'4 Г С- о с р~ С'3 СЧ СЪ С~." Е Е ~ ьс' Ф з д Ж „х Л Ъ Г г г, д к .-д :6 М > ) у -" с Сб Х Я С0 г. с 1 Щ й д~ Я Е л ~с с ф л й СС СЙ с о Х СС й «-, ~г ~о й ~с с2 ы ~о. Я ~« '- С Я с ~ ~ 3==' С= с к' Х '.С' СС~ Ъ О а~ л1 ~Ж г-с ~ с .~~" с с" Ъ ++ "Ч с'- С'1 С' Сч ''! 6~4 ~ Ж 1' С'4 с" т 1 1 ! л г- ~.- ( ) С-Ъ Е" „М (М РЪ 1~, ! Х с г с 1- Г- 1- $ - г 3 Г- 3 'У г с 1 с $. 4 'Л '1 с с с.

! с Г1 4 о ЫЪ 6Р О. Р 0Р М М ) 4 „- М М Й м Я 1— с~ л «1",. с1" 1 ~3 =$ ~ Г "4 < < к 2Я2' ~ с'1СЧ Яз м ~'~Х. [: КП310А, КП310Б ДИФФузионно-планарные МДП транзисторы с индуцированным каналом и-типа. Предназначены для работы в приемно-передающей аппаратуре в диапазоне СВЧ. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис 72, а) Марг ир) 1отся красной точкой на торцовой данные 8 1О 10 20 80' 8 10 10 20 80' 0а, р - 126 к".

— 60'Ся — 60 "С "= — 60'С ~ — 60 С «-". — 60 "С =: — 60... + 125 В ггнткрвата тем ггграт~р от 25 ра [аа 'С мащност~ (мат1 раскчггтггяяктея па фар м~яе ~ „,„„=- аа — о.аа Нг„к, — а»г КП312А, КП3126, 2П312А, 2П312Б Зпитаксиально-планарные полевые транзисторы с р-и-затвором и каналом п-типа. Предназначены для работы во входных усилительных н преобразовательных каскадах в диапазоне СВЧ, Выпускаются в ме~аллос1екляпном корпусе с гибкнмн полосковыми выводами (рис. 7 2,.). Транзисторы КП312 маркируются двумя цретными точками желтого (~Л312А) 11лн синего (КП312Б) цвета. 270 -г Игам. Г! .. 1- зи гггак. В г гзе агах, В кгГ ггга.к, МА г гнак~ нанр. Предельно допустимые эксплуатационные !предельно Лошстимые ОО ~ -"= оекр — оо 'С К о„кр — ьо "с .о„„,, --. Оекр о„, -4о "с При течпердт~ре более 40 С чощпест~ — Оокр (мй1) рлссчигь~пдс о к кю 1~~ рк1~ ~с 1 „„— !4~!— иЛ и„,„„, в ~~ И„~пах~ ОСИ та~ » 7<.~а„, ~Л Р а„, МБТ Оенр ЗКСПЛ~,п,~цииниьК данные й Оакр „йс й бакр Рш4 с Гв Оокр ам~ ~' й »кр лак К1 И13Л.

КП313Б, К11313В, 211313А, 2П313Б, 211313 Б Лиффувиоино-планарные МД11 ~ ра нзисторы со встроенным каналом и-тапа. Предназначены для работы в усилительных каскадах высокой н низкой частоты с высоким В~одним сопротивлением Выпускаютсл в плас~мас~овом корпусе с гнбкимц выводами 1рис. 7.2, д1. плуатационныс данные О„,р~ 85 С 80 ХΠ— 40 + и ОС 1-'зс ...., н Г( н ш, ~ ° 1~ли так Ус д, чЛ Р,,„.

мВт рсдсчьнэ допъстиыье ~~кс -. Ож,~ о,- „". „г г~~ о~ !5 1О 15 !и Г20 с1~ 15 !5 !и 75 120 4О 1 Г' !5 1п 15 г 1 ° ) 121) 4() 60 КП314Л ПлаГГарный нолевой тра!1.!астор с р 1Г-за~ вором и ЬаиаЛОМ и-ТИПа ПредваЗГГа1!СГ! Г!»!ГГ рг16ОТ1.1 В ОХЛа лдг!СЧГ,ГХ каскадах прсдусГГлГ11сдсГ! ~стро1!ств ядсрно11 спсктрочсгрнв ВЫГ!~УСКаРТС!1 В МС [с1,1.1ОЛ.ТС ЕЛГ11111ОМ 1лнр!!~СЕ С !Н61л!! МИ 11!в! гадаМГ1 ~рИС 7 2, а) дО1тл*СТГ! ЧГ1. Предел! во ~СГ! ~ ~а ° ~'ГИ пГал, Ь~еа, „Б ~С п,ал, лЗ пр.лпил. Рп„, 1Л Вт а~ 0ал р ага~ зь с ГГ,ппр =-- Ы С Ооьр == 35 Г. 0п,1, -- 35 'С З1лсг1.ТУВТ1111ИОНГ!ИС ДаВЦЫС 30 Я) 20 200 85 жет использоваться в качестве второго управля1оп1его электрода.

Диапазон рабочих температур транзисторов типа КП350 лежит ц пределах — 45 +85'С, а 1раизисторов 2ПЗЬ17 — в пределах — 60 +85 'С, Выпуска1отси в металлостекляппом корпусе с гибкимп выводамя (рис 7 2, а). Препельно аоп1 стлчые эксплуатаыю11ные 15 11рк гемнератрре ог ха да аа'с гн ц ~нн ~ н на д нг~г~ ья ~я н энне,1ь .пнх,м нн =а лннгнпанн х ~кину 7Б 77„р1т,„, В 1'З,И тцх, хх 7.7си тахе ЗгС тангэ 1!з с „.„В 7г «1ах» МА ~ тих~ 7'„,а,, мВт Оокр 0„, =- 85'С О„ч ~85'С ОГ1К„ Оокр =. 8' Оакр -~ 85 'С О„,р — -- 85 е С 15 20 15 ЗО Зо' 100 .ча11нь1е 15 15 15 20 15 ЗО 200' 100 15 15 2~) 15 ЗО 2ОО' 100 7.4. Полевые транзисторы большой мощности 1--60 МГи 0,-и = 50 В, 1~и1 = О, Р„„„— 10 В~, 1=и Яг 1~„, = — ~0 В.1=! 10 МГа Ь ~~ ==- 25 „à и, — — 1 ~ В, 1 =10 М1и ч Ж ~! 00 пф 1 про~ ° := 10 с- 10 К!191)1Л„К!190! Ь Планарныс МД11 транзисторы с и ил~ цирова1и|ым каналом п ~ипа Предназначены дам рабо1ы в ~силн~с.~их и ~.енераторах коагоаниЙ коротких и ультракоротких ва1н Бып~ска1отся в иеталлокераиичсе ом кори~се с жесткими вывоЛамп (ри~ 7 2, е) Продолжекие ~ кп м~ кп9с~г Прсдсльно доыс-и.~ыс эксп~у;тацисиии ~с длиные !ЦО оС !ОО "С !00 'С до О.„.„„ до Окот мс мс ло О„„,, Д оС Ори тем 'р тсре к р;~ ~ 6оче 2~'Г мюпнп и (Ви ръ ~птыв,~т;я цо фор~~1е е~ ~~п = -'Π— с ! 'и1~.

~ б Я Ч Б д Ус 6 д Яд ту И ИР~и,В КП90"Л, К,ПАГИБ, КП902В, 2! !002А, 2ПО02Ь Плаь,~риыс Мт!1! ~риити~ ~и!ны с ияд~цировлпиы 1 кн из.1ом и 1 ии л П!и',Вид»ниисни ф чя !)Зон) ГьВ В и!3~!~'мни $!Р$ж .!дюшан апиармурс в дили~зонс ча тот до 400 МГц Вьи|уоьаю~ся н м1с~<иисн сримичсскоч кори~се с жс. ~кичп ~,1йй;;,О~!и (Онс 7 2,,") !!» И г1их ° !-'СЗ си» !-~зи ла1, В ~С сяах !~С и н лбах.

!~<~ и,~~~, В Р,„„,, Вт О„,„, С Ог О„„, йт О„,,= От В„= То кс, пр !о гкс, ир То же', пр Ос О„„„— — 60 "С вЂ” 6О.С- — 60 'С и т„=! и т„ '= ! ит„~! — 60 С 70 70 85 85 + 30 .+-30 4 4 8д 85 !ОО !00 90! 20' — 6О ! !ОО Предельно допустимые эксплуатационные данные 1 ~'Си тах. ~1 От 0окр вин до 11кор евх 50 50 30 — 15 1'тЗИ азах* Узи , В СтСИ, „, В тС тиах Р.,х, йт ных Рвах~ С Оо,р ...

'С О1 0окр вин до скор так От 0,„,,„„, до Е„н„.„. То же, при ти -1 мс, 9=100 0кор -- 25 То же, нл частоте бО МГц 70 200~ З 53 1,8 +85 -1-125 — 45 70 2002 3,5~ 1,8 +85 +125 — 45 — 67) 50' Зо — 15 70 200 З,бз 1,8 +85 +125 — 45 Прн ~.'зи =0 иаков.ьшее нав яжениа ~ок — не~ох равно оО Б ' Т1рн увсяичспяи температуры корвуса от 25 ао 99 "С ток стока транзисторов КП902А К11902В снвжаессн ио анненковцу закону ко 190 иА ' При увеличении температуры кориуса от 29 'С яо О„,,т,„ио мощность сни кается во ли исииону закону до 2 5 Вт у транзисторов КП902 к до 1 Вт у транзисторов 2П902 КПс)ОЗЛ, КП903Б, 1~Г19ОЗВ, 2П903Л, 2П903Б, 211903 В Эпи гаксиально-планарные полевые транзисторы с р-и-затвором и каналом л-типа. 11редназпачены для работы в усилителях, генераторах, различи]]х им]]улье]]ых устройствах в диапазоне частот до ЗО 1'т1]Гц, Иыпусквк)тся и металлокерамическом корпусе с жесткимп выводвмн !рис 7 2, е) кп9(]з й гп ю]л кпэОзв в] в(]зв кпэозв л]йозг Режим нзасрскик Парилытры 7с, А 73 ут 7С ост 5, мА/В ь-.

600 ~0,1 50 «60 :- 40 с 10 ~10 ~" 700 '- 0,1 ь=. 480 ~0,1 = 50 ."~ 30 :6,5 "21 ~ 85 ~ г,О "9,8 ~]ЗИ отс ~~СИ о|к, 7ипы, мВт :-600 ~ 600 - 600 К,р, ДБ Ек] ~ ~~~. ]]В,'-,Ти 76 !6 Ог 76 1Ь 05 76 16 О ) 5 05 1 = 18 Сзг, ]]Ф Сзи, ЛФ == 15 18 10 МГц 10М1 ц ,. 15 18 Преде лы!О допустим От Пол], „„,, ДО От Оолр, до От О,„,р,„,, ~.~ Оолр кап до От Йолр,„„ДО 0 р — 25'С ые акен.]уатан]и Олар! ~и1 Олир ~ са (~~ар ~~ ы Оло Олор )пи~ ]]]нче +125 + 125 Прк температуре корпуса батсе 25'С аопсность (Вт] рисскктыкастск по форлвие р,пас = (] 5]] — ]]кор) )25 ГСИ„ат, В л'ЗС и]их. !I ]И ак, В ]Г, ат, А ]3 пр агат.

Р„и,„Вт Опер гпат С 0~к~ ааи, С Оокр(кор) лик, ~ Си =10 В, ~7зп = О (7с =О. 17 = — 15 В с)( И = 5 В, !7ЗИ = — 15 В 1' = ! 10 ]сг](, О„„р = 25 С Окор = Окор п]ас !/~.и =5 В, !Г = 10 мкА 77( =02 В, !.]-, =О Г,и = 10 В,'(7„]=О, ( — 30 МГП с]с]] = 10 В, Г.]]] = О, ]=80 МГц ~7с]] = 10 В, Ус = 10 мА, Г = 100 кгк 61Г = --2ОВ,(=01 ('я] = — 15 В, ~ = 0,1 ]нные и] 20 20 15 0,7 15 !50 — 60 20 ОО !5 0,7 !5 6' 150 — 60 -(-100 20 20 15 0.7 15 150 — 60 +1 КП904А, КПс)04Б, 2П()04 А, 21РЪ04Б Планар1<ь!е МДП транши(-тор!*! с иидуцироцанных! каналом г)типа 11редназиачены для работы в усилителях, преоорззовагслях и !виера<орах электрических колебаний в диапазоне кор(с<них и х.(ьтра<(оротких волн. В1<пхска)огся в металлокерачичес<(ом корпусе с жесгкнми выводами (р)1с 72, ж) !Лслсо о !с,, „($ '( (с, Л О~ сг чА/Б Р„„, Бт о, С(11, $$Ф П С'311, „, Б (.$( 11 ссс($ ~~("$1 и ссса( с-< 3( <си ( ~ ЗС с~<а( ° +195 $1 н (с< .: < чс (,$ " $1.

$ («сси 1$,с(1<, $ ср< ( с = а 1$$ р $$$ 2э ( ц $$$$$$.<с-с (Вг рр, $$(тл<ваетс($ $<е фсс1$ с) се Хс, иА РИ 7Я Яд Я Е/(,1=20 Б, ГЗи =О, Чо л (, ини 0(„р = б0 6(1! 20 Б, ('и! = 'Рс') 6'(11 !00 В, !/ 11 = Ь( !1 = '$$1 Б, ('$ = ! Е)о, „= — !$$) ( ! ($ $1 — $>В ( $11 !.'( и — 5~ В, ~ (!1 — !') $ (1 и,п= - ЗО Б, ~=1 разо 1ки~т(!'(( выв($де ( 1)(гнлы<0 ди<1 с< их($1$(' -ск( $$."'$ '$ 1 ~$$(и($$$<(л<Р оО ~ ~ Оолр ~~ Оос р ос.<с ")акр ~ О,с~р с'($$<р иолр а а( = Оолр осслр о и( Оокр ~ 0<о р са( Ол„р ~ ?0$ '! д,(нные ЗО 70 )($!)$ 90 120' 7<~а — б0 — ЬО 30 70 100' ()!) ! 20 ' 752 + 100 (, и = 20 В, (.(зп = О !1„,, = ~ =25 С ! и р ~.~< и = ип В, ! зп = — !О В Ь(п=-20 В, Си!=2!! В ((. ОО В ( гО О„,р !!и М1 — Ц« ~ П ~ о ~ Б(!1=5(! В, и,!! — — О, (= 1 ГГп (!~п=5!!В,( =- !ОчЛ,(-= =1 11ц 1.(( и =,"3!) 8.

(с = 30 и А, ( = — 1 ГГц Ь~ —— 50 В, Р,— =- 1ОО Ом ( = 50 В, Яс = 1ОО С) С'си=2 В, Ь„1=0, (= — 10 МГц (/сп =25 В. (.Гз!! =О, = 10 МГц ~'с!! =25 В, ((!!! = — 5 В (' = !О МГц ОО .- 20 ~, 10 1 =' 150 Ъ!8 =..' ЗО ) 221 = 1!! А мА 5, чА('В ! 2 -.! ,Р,, Вт К„, дБ .-!>, > („„„, ис (Н|,>.С 1~ С1;„, пФ С!~„, ПФ С22н, ПФ Предсчьно ЙОп~ 1. Гиыые экГп ч~л! 1циониые дацпыч 1- ~ и и,.