semicond3 (Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы), страница 3
Описание файла
Файл "semicond3" внутри архива находится в папке "Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы". DJVU-файл из архива "Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электротехника (элтех)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "электротехника (цифровая электроника)" в общих файлах.
Просмотр DJVU-файла онлайн
Распознанный текст из DJVU-файла, 3 - страница
4 3, у). 1З0 1~,„„., мА ' К >» >»»а.к Рк»»>»х. м Вт 0,»>р >»»их Й>»ер окр> 'С~мВт оо> р. К~Ба -= )О ко!>1, !)„„, -:.. )00'С Рьо ~.' !О кОм, т„= 40 >>!кс, !~ )О 50 300 300' )50 05 45 50 ЗО0 '250~ 150 0,5 Предельна 150 150 0,5 ,„„„„„,в 1! ь-) тах 11х г-а.
У,, „х,мА х К „у1ВТ Г!а~ р хаах ~ 1х'„, р „! р, 'С/мйт 1),мр ° ~~ав Оа„,, Оа.р Ось!1 О„„р допустимые =1О кОм .. 85'С о~ .=- 8) 'С оС эксал) !!т61! 1!аккые да к!!1 Ге — 17 — 17 — 17 4 4 4 50 50 50 — — 150 150 150 150 150 150 150 0,5 0,5 0,5 1О +85 !!рм! !! ! !' (, 1 К 1И ' !'р Р1,1,— — 7В з !! 1х!115Л, Е! 11)Ь, К! 345И 1хр! мп!и !11,11 и!к),!кси,!льцо плаиарн! Ге Грапзисто1)ы )1 !! 11 11р! д!1,1!К,)~ч !!Г,! д !и и! пол!>1ов)!Кия в 1)адпоп1)иемниках, !)1,1! 11)!)ДСИСТВУГОП1ИХ ЭЛ!СКТРОИН!1!Х ПЕ~М'КЛН)ЧаТЕЛЯХ, В ИМПхЛЬСН1АХ и д1)у)их радиоэлектронньГх устройствах широкого применения.
М,!ркир~)отея двумя цве) ными точками на корпусе: 1 1)45)Л вЂ” белого и розового цвета, КТ345Ь вЂ” белого и сине- 1~> и!!с1а 1)! и!усканэтся в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (1)!!1 4 3, )!) Продолжение Предельно нние данные Прп тпаптрат~р» от ай пп М 'С копъстпмая мпп~ность (ма-) опрсдслястся по форят та Рк а,о~ 010 — йо„А''Кь и -~ -и -а -з п„,ю ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В Германиевые эпитаксизльпо планарные СВ~1 транзисторы р-и-р. 11редназиачеиы для использовании в приемпоусили~ельной аппаратуре широкого применении, в '~ом числе в селекторах каналов дециметрового диапазона во.
и. Быпуска1отся в четаллостекляниом корпусе с гибкичи выводами 1рис. 4.3, х~, Один из выводов соединен с корпусом транзистора. ~А,ЭЙ тат, ~ КБ «тат 1~вэ атах, тк так~ Рк „, мВт бг Опер п~иа Нпср окр, 'С/мат и„кр, С Нвэ а„р 0окр оокр 0окр дйпуетимне экечл~атвцио ~ 1О кОм; О,р ~ 88 'С с- 85 'С = 85.С ~85 'С -" 40 'С вЂ” 20 — 20 — 20 — 20 4 200 200 100' 100' 150 150 1,1 — 40, — 20 — 20 4 200 100' 180 1,1 +85 1'р» тс» р»-,уре окре кл>ь»е» средь> свь»»с ЬЭ'>" »»»-ст»май ь»>ь»>с>сть (»Вт) ррре- »»» ~~» >:» 1>с>р») >е 1'1ь л>໠— "!БΠ— (др~~ — Г>)>ОО.
КТ349А, КТ3496, КТ349В Кремниевые эпитаксиальиа-планарнь)е универсально(е СВЧ транзисторы р-и-р. Преднаачаче))ы дтя рабаты в ),сил1телях и перекл>о(ателях с)(гналов щсоко11 час)оты Вь(п~скаются е> '>(е Гдллостсклянноч )>ор11>>се с Ге(бки)>)и Вы(одами (рис. 4.3. ц) П рсдс л1,11о 1 >111ИО11Н ЫЕ !>Г 1 -11) т,, = ) — 40 1 11.>~ »ле, >т»ре,>к;> е»»с» ср;'ь> Б > сс 3О'С "»»»»»>.ть (»1~т> р.>сс»»л»>асгся г» ,,»>..> "> Р>., л-е, (150 — »елр>>».1,1> ~Б> м4 8 (~1 1>, >11 >ел> 1! 11, , „,„, 1) ~1> п»>г> И>>> > »~ ао11устим1,1е зке11.>1у>1 ." цс> е( 111ь( )г>, и, " ~ъ>~ С (.
() „„Ь > '(. 1ЬС >' 1, - > К»с>, 20 1,> 1 46 2(>0> 150 данные — Ю 40 >>01)! 150 20 1 >> 40 20()' 150 КТ350А, КТЗ,э1 А, КТ351 Б, КТ352Л, КТ'352Б Кремниевые я итаксиально планарные универсальные трапзисгоры р и р 11рсдказначены для использования в устройствах магнитной записи, усилителях считывания постоянных и оператгвньтх запоминающих ус~рой~~в малых ЭВМ и других высокочастотных усилительных и переключающих устроиствах Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рис 4 3, и) Маркируются двумя цветпымн точками иа корпусе КТ35ОА — серого и розового цвета, КТ351А — желтого и розового, цвета, КТ3515 — обе желтого цвета, КТ352А— зеленого и розово~о цие ~а, КТ352Б — зеленого и желтого цвета КТ35! А КТ352 А Режии измсрсния !! рчистры ! К) 45!Б КТ352Ь ПРРТО3ьнО йОп~пт11ь!ыО экОп т~ Отр!!Ионные .с — ф) +Я~ !1Ри токе зматтеРа 500 мА л я КТЗБОА 300 мА — лли К)35!А К!35!Б 200 Л вЂ” л и КТЯ 24 н КТЗЗЗГ !'~ ~' ч гтисрсиия )ьчтаи т ~ч КТЗ ЮЛ Д ся КТ351А 1и — !ОО и А Уь = 650 и А КТ3315 )ь = 100 мЛ )-= 40 мЛ КТ352А и КТ352Б — )и= 200 мА 1ь=20 мА " Рсисич изтереиии уквзак дли КТЗООА Дая КТЗ5!А и КТЗ515 !и 400 иА 1ь= 40 мА, К ! 3: 2А и КТЗ 25 — ~и - 200 '-: Л 1ь — 2и ' 1!рл течпературе окружаюшеи срслы бо~ес 30'С иощность 1мбт) рассчитывается по ф р.,уте ЮК „,„„— (150 — О,„„т~и 4 г'! иж, В л,,„-, й ~Ь ~чйа~ Уь „...„, МА !', „„,, мВТ К С<!)о,„==М~ С РБ.3 = )ОКОМ, 1)окр- 85 ! мс, 9=.-Г) ()окр ~ 3!) ~~ — 20 — )5 1!)!) 300' ,л;Йнт!ИР— 20 — 15 — 4 ~оС зоо' — ~о ) мо зоо' б -ОХ -0,7 Г5~ В К'Г355А Кремниевые планарпо-зпитаксиальные транзисторы и-р-п Предназначены для работы в усилителях и генераторах электрических сигналов ВЧ и СВЧ диапазонов в аппаратуре широкого применения.
Выпускаются в металлостекляппом корпусе с гибкими выводами (рис 4,3, ц). Один из выводов соединен с корпусом транзистора. О, 11 Г4Б =1 В 16кв =5 В; Ьэь =4 И; Ькь=5 В; = 30 МЕн 1з = 10мА; 1эво, мкА С,-, пФ С„пФ т„, пс « "2 ~2 ~= Г0 МГп 1=10 МГц 1К=10 мА; 1= т„= 10мкс; (~..-ФО 1.1кэо гр тимые эксплуатационные данные Пределыю 1~ кьо глас ик„„.„В 1~ эвй в~а~. 1К ср гнах~ Я 1К ~ ~аах, мл 1 ) ср и~ахэ попас О„„р До„- г о„,„ '"Е' ~ 125 С =3 кОм, 0 «; 125 С .. 125'"С .- 125 'С : 125'С 15 15 30 00 30 Продолжили~ ирр 1ем ~~р ~туре от 85 ло 11~ 'Г макснмалы1о лсчъстймай мошность Рк, „„~~ржа г ж а11яеинол~ ~азы~ д дЧ 01 и УБ~,Б КТ358А, КТ358Б, КТ358В Кремниевые планерно эпитаксиальные вьхокопас~отиьп у» илнтольиьк трлн ип ~ори и-р л Предиазцзчеиы для иг ио и,ыпииии и усили1ольиь~х и геиера1ориь1х устройствах 1ь~диоыек~роииой аииар птуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами 1рнс, 4.3, г), Предельно допустимые зкеплуатацконкые дапиие Оакр 483 "~-' Я~ва ~ !00Ом Ккр ~~ 85 ЙОкр ~ ~ВО ~ 85 оС О,„р.=- 85'С ! ~ °,л~ы. „,„„„, в и ла~ !р ..,,„, мА ~р ~ .'а~ 1'~ .„„„мйт — 40 С~~ То же, при 40 С:. — 40 'С:а. — 40'С. — 40'С~ ~к~ мА Чб 30 30 4 30 60 100 15 1г 30 бО 100 Продатнание !1,>и с» нс с:сгъес и !с»сс сссссснсй с.!ссдс 25 с 10 С КТ361Л, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е Кремниевые энитаксиально-плаиарные транзисторы Р-П-Р.
ПРЕДННЛ а СИЫ Дс!и УСИЛЕНИЯ И ГЕ!1ЕРИРОВаНИЯ КОЛЕбаНПЙ ВЫСОКОЙ ЧаСТОТЫ, с! ТНКЖС Д.'!Я раоО ! Ы Ь В!»!с! ИСЛ И 1Сс!!»ИОЙ технике и в дру! их б!»!стропе!!ств~ вщих ичпульсцых» строй- ствах, Выпуска1отся в пластмассовом корпусе с п!бкими выводами (рис 4.3, к), Обо.1иачение тица приводится на атикетке. КТ сн1Д К'Т,»6ТЕ Ктаас~ й кто» ктз6! в КТЖП !с»рз» с»с»н Рс сс сс» н с » ст с сссссс 40 160 б'к1, = — ! 0 В; 1,» = 1 мА; 0„,.
= 25'с, Но!,Г»!! 20 250 5!1. ЪО 10.. 90 5(Г Т;!!! 20 Зоо 5!).. 5с,1!) !О... 160 50,.,!об 20 250 1„„,,: 1!1!1 С. Э-:~*~сс 10 90 То .,'с»О 2,5 ~~ 2с5 1 2) укчя. »!КА :=. 0,1 — 0,2 — О,Я5 с! =:,О,! !1 25 — !1,85 7 1 ~0,! — 0,2 — 0,85 У с-!~О, м! с!'!.э !'с, В 1- Ьз и!и.» !'.,„!1Ф т„, пс .„250 ~ 1000 П ~'КЗ асс:, рсдслыи! дсс!!у стнмыс О,„„„=-.:- 35 'С ькс'плуитационныс — 40 —.!5 :40 — 35 — 4 ! 50' 30 О ~- 35'С ~'1с,ьс) слсс — 2с5 — 2!! Оомр ~100 еС !.„о„„,, В Рс, с,,„, мВт 150' 30 140 1,0 сс~ ~ 'к ! = — 10 В;!э = 5 мА ~=- !ОО МГД Гк„= !О В, О,, =-25 ссс !1н, !с 1!1!) "(.
7) К.С = '!.Сссс с ~!ва = 10 кО ! 1.1-.св = — 5 В !с!, =20 мА. 1в=2 мА !к — 20 мА, 1ь =2 мА 1,„— !ОВ;~ !0МГН б1,!» — — 10 В', с!о = 5 мА ~ =5 М1!! ~: 1000 ~- 500 данные — 40 — 35 — 40 — 35 — 4 150' 30 Продолжен ив н„ Ирн тсе~нрнт~ре окружавшей среды аалсс ЗЬ'С мащнасть (ь1В-) расс~итынеет-я па р, р >:х ек„,„,= (~'во — е„„,>,ухвт.
.с Бт м,4 Щ 0 4 ~'~'~ "4~ ~БЗ~О ГТ362Д, ГТ3625 Гсрмаиисвые планарные СВЧ усилительные транзи- ~ ~оры и-р д с норчнрованнв~м коэффицнснтсм шума. Прсдназнаи иы для раооты во взводных и последующих каскадах усили1слсй СВЧ. Быпскавтся в металлостекляииом корпусе с гибкими полосковыми выводами (рис. 4 3, н). Помимо обозиачении, наи~ сенного на крышку корпуса, допускаетси условиаи маркнроина- для транзисторов ГТ362А - две красные полоски и буква для ГТ362Б — две полоски белого цвета и буква Г>. А 0,9 КТ363А, КТ36ЗБ, КТ363ЛЧ, КТ363БМ Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы р а-р Предназначены для усиления и генерирования колебаний в СВЧ диапазоне, для работы в быстродействующих импульсных устройствах в аппаратуре широкого применения, Транзисторы КТ363Л и КТЗБЗБ выпускаются в металлостскляином корпусе, ~ К Г363ЛМ, КТ363БМ вЂ” в пластмассовом с 1нбкпмн ниша,~мн (рис 4 3, и, и) Тр и~ щс~г1)11~ КТЗ6ММ и К),)6)ЬМ ~ь~ркпр~к>~~н цветными 1ои1.~ми К~ ~Г)АЧ вЂ” дну 1я розового наст ~, КГЗЫБМ вЂ” розового и желто ) нвета 1, кс Продолжение ктз! с~ КТЖЗХЙ КТ е6ЗЕ Режим илчерсяня !!араме ~ рц Преде (.
К'ЭР о1ал 150 150 — 10 .. +85 ' ПРИ тсяисрое~ре Оьр~жоиЛЩСй С~слЫ СЛЕЕ Пс 4Д 'Г .ЕОГЪСтн1ИЯЯ ЯОЯ!ло~~ь (чае! оир~ДЕ- листья ЯО ФОРмлое РКею, — — !Ь(! — (Йо„(51>'0,7. У г 9 о о ККЗВ КТ368Л, КТ368Б Кроми((свые плгнарн(!-эчнтакср(альные ~ снлнтельныс СВЧ транзисторы и-р-л. Предназначены длн испол,зоваиии во входных и последу!ощих каскадах усилителей высокой час- ТОТ Ы Выпускавтсн в мсталлостекляяном корпусе с гибкими вывол,ахи (рис, 4.3, т'1 е1 КГО ° В 1-~зБО !11 ел.
~1( и о!а~* !!!А 1е, г сил~ !!1А е к жал мат 1~пер окр С!'ь1В ! (!пер ~а! С и!~1!о д<!111~е 1 имье зкс!1Аус1тс!цио!! 0;-~! <!О нО!и, 0с,р --85'С 1~ Б - 1 кОм; )„р = 85'С 0оьр0оьр е-ь. т„~~ 1 !яке, Я "= 2 Оо1ер е Я ! "( Ооя„85 'С 0оьр — 4о е данные — 1Π— 15 — 15 4 50 Зо 150' 0.7 — 10 — 12 — 15 ф 50 80 1501 0,7 а, л ьно допусти мые яксплуата ц ион То же, при Я~в = 3 кОм — 60 "С "- О„а ~ ~125 'С То же, ири с„~ 0,5 мс; [~:~ 2 То нсе, при Ров -" 3 кОм 60оС - 0 125 о~ То же, при 1„~ 0,5 мс, ~ =. 2 — -ъ ОКР-.= КТ371А Кремниевый плянарио-эпитяксияльный СВЧ усилисельиый трасоистор и-р и. 1! редняэначен для использования и усилитс аьи~,л ус тройгтнпк СИЧ.
Выиускнсчсч н мстнллоксрямичсском корпусе с гибкими по~осковыми выводами (рис. 4.3, э). Маркируесся двумя синими сочкнми, которые наносятся ня крышку корпуса. Предел кн ,ь„„, В н, В л... В „„мА ,„„,, мЛ о допустимые эксллуатацнонные данные — 60'С О„р- 125'С То же, при Ивв - 3 кОм — 60'С ~О„, < 125 С То не, при 1„~ 10 мке; Я~2 10 10 3 20 40 Предс с кв ссх В кЗн и'их ~ ' ~Г, л1ите гт кп к гиии скогсс „,„~, В ~~~ тд,с. МЛ ск и ~пах, мА 1з ' К лссх, мйт ~~, мр, С/Вт ные данные 15 4 20 20 ЗО 60 225 364 15 !5 4 20 20 ЗО 60 225 364 Продолжение 11рн текгнерат~ ре окр1н ающей гренл 25~-10 'С К1'372А, КТ372Б, КТ372В Кремниевые лланарно злитаксиальныс транзисторы и-р-а с нормированным коэффициентом шума.