semicond3 (Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы), страница 2

Предназначены для использования в радиоприемных и телевизионных устройствах. выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими выводами (рис, 4.3, и), ациош~ые 2О 20 4 30 60 225' 450 )50 0,4 данные З5 З5 4 зо бо 225' 450 !50 0,4 20 20 4 Зо 60 225' 45О !50 0,4 Продолжение Пред ,КБО тих' б,, В ,ЭБ лая' КЗК п~вт' , мА л,„ ок, 'С/мВт о~ окр* — 2О ..+55 В ила~рая ~е 1 яперат.р от ад до 55 Г аоп~стпмая мощность снижается ло пяиеи~ оку лапоп) е1ьно допустимые экеплуа аноар е 55 С О„р .55 С йэБ =300 Ом Рэь =2 нОМ о.„р~55 С тационные — 15 — 0,2 — 12 — 15 30 1ОО' 5О' 0,9 данные — 15 — 0,2 — 12 — 15 зо 1ОО' 5О' 0,9 — 15 — О,2 — 12 — 15 зо 1ОО' 50' О,9 0536 Ф Ч 4 КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТЗ15Д, КТЗ15Е, КТЗ15Ж, КТЗ!5И Кремниевые планарио-эпитаксиальиые усилительные транзисторы п-р-и.

Предназначены для работы в усилителях высокой„низкой и промежуточной частоты радиоэлектронной аппаратуры широкого применения Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рис. 4,3, к), Придир.чсенае Предельн о допустимые ==. 100 'С эксплуатационные 1~кг мах, В 0онр и„,„.„, в 1''кэ так> О,„р ~ 100'С 0,„„~ 100 'С ~~ 100 о~ ~~20 С =20 С о,„„ "акр ~злр т~ря ~~я = о ' Прн тсяааратуре от 20 ао !ОО'С цон~стнмая чощноль (мВт) оародояяатоя п~3 'и' рк маг = ~~р~ — яакр,/'-~,ят яо фор- ф 0 ~0 Е0 Ю ~У,г,У 0 "0 Е0 Я дяэ,б б Ю 001~,мА 115 7к лц.т~ Р~ „„мВт о~ аяор.,„.„, С й р- р 'С~'мВ~ 0ояр -~-. 25 Ю 6 25 20 100 150' 120 0,67 40 зо 6 40 35 100 150г 120 0,67 данные 40 35 6 40 35 100 1 502 120 0„67 !5 60 6 15' 60' 50 100 120 0,67 КТЗ16А, КТ316Б. КТЗ16В, КТ316Г, КТ316Д Кремниевые эпитаксиально-планарные тра нзисторы и-р-и Предназначены для работы в быстродействующих переключающих (КТЗ16А, КТ316Б, КТ316В) и усилительных (КТЗ16Г, КТ316Л,) устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы- 116 КТ31БЛ ЕТЗТ6Г КТ316Г '1ТТТЗ~ТТБ туг КТЗ1БВ Параметры Ре!ким измерения 11рн течнерат»ре свы не ТБ С аоп1стимая мощность сни каетса на 2 мВт на 1 "С вчем Пред 1 КЭй а!ак» В ГК, „„В тг »-' БЗ !иак В »Ка л МА 7К нас тат» ~3 и!а» ~а нас /па т» РК ° ., МВ! Опер !пах* ' С ~пер окр» С/мВт о.„. С слъиО дОпусткмые эксллуэтй йэв -..

3 кйтт 11пкр ~» 125 Оокр -- 125 'С О . 125 еС О „- 125 сС О„р е. 125 'С Оокр иНОННЫЕ 10 10 4 30 50 зо 50 150! 120 0,67 Да ННЬ1Е !О 10 4 зо 5О 30 50 150' 120 Об7 10 1О 4 зо 50 зо 50 15О' 120 0,67 -я г ~~ ю г,„,л г ю л м к~~ и~ ГТ320А, ГТ32ОБ, ГТ32ОВ Германиевые сплапно-диффузионные транзисторы р-и-р Предназначены для работы в генера1орах, усилителях, преобразователях колебаний высокои частоты и в импульсных быстродействующих устройствах Выпускаются в четаллостеклянноч корпусе с гибкими выводачи 1рис. 4.3, л) Предельно допустимые эксплуатационные 118 Оок < 45'С т, ~~ 1 икс; Я -.

1О 1У „~ ~45'С Йоь ~ 1 к0л~ — 3 — 25 — 2О 12 данные — 3 — 15 — 25 — 20 — 11 — 3 — !5 — 25 — 20 Продолжение При темнер ~т)ре ет 45,о 70'С юн~~тнман мощность ~мв~) определаетсн па фор муле Р~е „, = 4,45 (90 — О,„) мА О Ын~,а -Ю -Ч а се~,в -а -~ В и,,в "нл ии ° Ю д с„, ~)Ф 1д ГТЗ21А„ГТ32! Б, ГТ32!В, ГТ321Г, ГТ32!Д, ГТ321Е Германиевые конверсиоиные быстродействующие транзисторы р-а-р. Предназначены для работы в высокочастотных и импульсных радиотехнических устройствах широкого применения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис, 4.3, л).

.П;32) В. ! ! 32!!' ГТ321Г !»~гьям из»гсреггия 11 !»чг г ргг ГТ32! Б 20 60 40 120 20 60 1/121,1 КБО 1,, мкА — 2,5 — 1,3 — 1,3 — зо ес 80 =-600 600 "80 а.- 600 600 ас Предельно допустимые эксплуатационные данные — 50 — 40 ~') К Э Я»п а»» ЭБ ~ М окр 445'С '/К БО га ах //БЭ агах» ~ — 45 1)о,р - "45 'С ти =30 глкс, й„~ < 45'С т„= 80 ыкс 2,5 /К гггах» /К и агах 'С пер гиал' пер оир» — 60 -1 70 ' При /п * !40 мА для ГТ32!А, ГТ321Г, гь 70 мА дчя ГТЗ2!Б, ГТ32!Л, Уь— = 35 мА лля ГТ32! В ГТ321Г х При /5 — 17 3 мА для ГТ32!В, ГТ321Г, /и — — 33 мА для ГТ321Б, ГТЯ21Д, )а = 70 мА лая ГТ32!А, ГТЗ2)Г ~ Прн температуре от 43 то 60'С допусгямая мощность !мВт) определяется по фор м)ле Р„, ах !33 — 0„„)/О 23 120 КЭ пас' !./ .

В иБЭ„„, В /КЭО р' С,, ПФ т~, пс ~'кэ = — 8 Ц. /к — — 500 мА, 9о„р =20 'С вЂ” =15 мА 1=20 МГц КБ КБО гггат ~'КБ="КБ . ° /~ЭБ= =100 Ом 1к — — 700 мА, 1Б —— 1' /К = 700 МА /Б = /Б /э „—— 700 мА, Я ~ 300 и „вЂ” )ОВ,~=5МГц /гЭБ= — 05В,/ =ЬМ1ц //кь — — — 10 В, 1 = 5 М Г ц. /,=15 мА /К вЂ” — 700 мА, /Б — — 12Б, т„=5 10 мкс, ~ =5 кГц 200 2 30 500 160з 20 85 — 2,5 — 1,3 — 40 :30 ~8О ~~ 600 600 — 60 — 45 4 2,5 200 2 30 500 160' 20 85 0,25 200 2 80 500 160г 20 85 0,25 Предельно допустимые эксплуатационньи.

Ванные К Э Гк кп их ' иЭВ.„,, В КЭ)к кппк 0,„„.==)0 С ккэБ = 1 кОм 0„„„-- 60 С и,",=0,25 2 В, т„= 0,5 мке 20 10 2 20 20 1О 2 20 20 ~0 2 20 К я ии.к' Р. Вт К и тик' 0„„"С окр 1 0,5' 025$ 1 0,5' 0,25' 5 55 +60 1 0,5' 0,25' 5 =!ОС мА дпя ГТ32ЗЛ„!Б — ВО мА ддя Гтзозв, 15 — — 25 ыЛ дн1 ГТ323В ' Прп в„р. » Во 'Г допустимая ыоитность (мВт) определяе~1н по форм)пе Р~м к т —— = )о()оо — вн„) а Ирп теяператьре квьпие а5 *< поптетнмпя мош.окть )мвт) определяек я по форм>те Р „,„, = ыо — 'з ~в )о— гв) КТЗ25А, КТЗ25Б, КТЗ25В Кремниевые эпитаксиально-илапарные ~силигсльные СВЧ транзисторы п-р-п, Предназначены для использования в уси )итслнх высокой частоты радиоэлектронной аппара)уры широкого применении.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, с). ~ 22 КТ326Л, КТ326Б Кремнисвые эп итаксиал ьно пл ан арные ус ил итсльныс СВЧ транзисторы р-а-р. Предназначены для работы в усилнтслях высокой и свсрхвысокой частоты аппаратуры широкого пр им снсн и я.

Выпускаются в металлостекляннам корпусе с гпбкимн выводамн (рис, 4.3, у), Предельно экслл~ ат~циоииые ,Кво ош~' Ь',, Ц Ц Кзи так' .„, в , мА то ~' , мВт и г"1и*' 0 окр 0 окр 0окр 0 окр Про тккоорктрро от За ло !2В С доп~стикзя чояно~~ь 1к В1) о-ро иокот,к по форч~че ГТЗ29А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г, ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ, ГТ341Л, ГТЗ41Б, ГТ341В Германневые планарно-эпитаксиальиые транзисторы и-и-п. Предназначены для работы в селекторах телевизионных каналов метрового диапазона волн, в УКВ блоках радиовещательных приемников и других высокочастотных устройствах широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гнбкими полосковыми выводами (рис. 4.3, к, и). доиутти мыс ~ 125 'С 100 кОм - 125 С ка 125 'С ГАЗО С д ~ннуе — 20 — 15 4 50 200' 150 0,6 — Ы) — 20 — 15 ф 50 200' 150 0,6 19à — +6~ — 40 +5~ — 40 +~0 Ц р и и е ч а н и я 1 Обозначении транзисторов типа ГТЗ29 и ГТЗФ1 приводя гсп иа крышке корпуса 2 Для транзисторов ГТЗЗО применяется буквенная н цветная маркировка ГТЗЬОД— буква Д н полоска красного цвета. ГТЗЗОЖ вЂ” буква Ж н полоска аеленого цвета ГТЗЗОИ вЂ” буква И и полоска белого цвета Цветная полоска наносится на фланец ножки пеисиу выволаип коллектора и корпуса п|га' д р'тп Л3 6«БФ баев З 126 2 т Ь" Р„,Е Х Юд р,т' р,Ыбе,д Р Ч Р 122ти КТ337Л, КТ3376, КТ337В Кремниевые планарно-эпитаксиальные транзисторы р-п-р, Предназначены для работы в раднотсхнической н электронной малогабаритной аппаратуре широкого применения Маркируются двумя цветными точками на корпусе КТ337А— красного и розового цвета; КТ3375 — красного и желтого цвета, КТ337 — красного и синего цвета, Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкимн выводами (рис.

4 3, о) П редел эксплуатационные ЭБ О 0'"Р юкр Ооир, С При температуре от 60 по Вр 'С лопустпппп Р— — нзо — а )~Г 6 К гил пар иощноеть (мвт) опредеппетьп по форчуте 127 и Кэй та1' У тЕ так' КБ так' и М о~ 1)пер так Ъ о отпер акр~ ( /мВт ьно допустимые ~ 1О КОм «-85 С 85 иС т= 85'С ~ 60'С вЂ” 6 — 6 ЗО 150' 150 06 данные — 6 4 — 6 зо 150' 150 0,6 — 6 — 4 — 6 ЗО 150' 150 0,6 и уязп д КТ339А, КТ339Ь, КТЗ39В, КТ339Г, КТЗЗ9Д Кремниевые планарно зпитаксиальные транзисторы и-р-и Предназначены для работы в выходных каскадах УПЧ цветных и черно-белых телевизоров 1-го и 2 го классов Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис 43, ф) Предельно допустимые эьсплуат 1циоииые данные В 8ЗС: окр О, Кз я1ах' В, ~85'С В мВ ' Для КТ339Б У„. 25 В ' 1!ри яопышений течнаратуры от 55 до 70'С допустимая чоптнасть уманьшастся до 159 мв1 КТ34ОА, КТ340Б, КТ340В, КТ340Г, КТ340Д Кремниевые апитаксиально-планарные универсальные транзисторы а-р-и Предназначены для использования в 128 КБ тах' аБ них ф шах' В к шах' в"'р,'Ч." Окр' 25 12 40 ~б 4 25 250' 120 40 4 25 250~ 120 ~си читсльных (КТ340А, КТ340Д) и переключа(оших (КТ340Ь, КТ3" ОВ) ~ стройств а х Выпускаются В металлостекляином к ь(ь((усе с ( ибкнми Вм( водами (рис 4 3, р) Предельно донустиаыс эксплуа данные ~ 85иь- (~ (1 , В (Ь ис~* 15 с( ( ( (( ! (( (( и с, лиь К на~ 130 л(йг с~ ( 150 130 85 (( ~Л 200 чА ! ь — 'В УК=000 мл.

КГ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ342Г Крсмиисвыс эпитаксиально планарныс транзисторы л р и $1рсдп,(з((ачены для исполыаовапия в радиоприемных и других 1ь (ды(ьлсктроиных устройствах широкого применения Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами 1рис 43, д) а Ги 1лни В П и,ир 11 (( м ( иг ( '( у >() л.л, таиионные 15 :о 2() 5 ь0 и,0 5 7.ь ь00 500 150 130 — 10 -1 ~)р »> 'км .„В стель!!о допустимые экс!»>!) атациоппые данные зо 10 60 25 2() $00 300 = 5ОО 250' 250' )50 )50 0,5 0,5 О„»р ~ 25'С -60 +)~5 пр»» ь~ь = 2') в ' пр и»~~ — !л н )1р»» ->.»»-,ературы .»» 2 >,»>» !2з "с ло»о~оп>»эл»»а»»!> „с»'», ! гвт) >>»»»,»,, »»»>.»»» м)»с Р»»»>д, — » 1,»!» — С<„!>) >»» ф~»!» КТ343Л, КТ343Б, КТ343В, И',Т34ЗГ Кремниев)!с эпитаксиально-планарные транзисторы р-л-р Предназначены для использования в логических схемах, токовых ключах, входных каскадах Формирователей импульсов, каскадах стробирования, генераторах, усилителях считывания н других устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения Выпускаются в металлостсклянном корпусе с гибкими выводами (рис.