semicond3 (Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы)

('ис, 4 3. Биполярные транзисторы малой мощности высокой и сверх- высокой часто~ и К130<в ктаив ктзя г ктзя ь ктзо!д ктзо!ж п.<р««е-ры Режил< н <л<ере«ил ктзО)А 1~„,,=10 В; 7 =змА; О =20" Г «лр 85 <Г 10 32 40.!20 !О 32 80 300 =~360 = 900 -а 14 20 60 =" 06 н 120 -..-180 360 :а:7 <<< р :~ 180 ~4 ~ 180 ;:.4 :ъ7 ~! ЗО О .

— — 55'С Олр ~у 7 1,5 60 ~20 ~ 1,5 80 ~14 >1 30 =3 мА; ~=20 МГц з ~кэ = !ОВ' 7~ =3 мА б =У кв КБ <па~' 0 =20 ( Олр 0 = 85 "С =3 В эь ~l 10 В; 6=3 мА; ~=! кГц !, =10 мЛ; 7 =1 мА, ~=50 Гц 7к —— 10 мЛ„- У =1 мА; 7=50 Гц ~к, =1ОВ; 1=! МГц и =0,5В;~ 2мгц 0„~ = 10 В; Уэ = 2 МА', ! =2 МГц 1'~„, 1 МГц «< <<' кат ~~ 10 =.

!ОО - 10 10 <3 :=!0 -':= !ОО - 10 10 -=3 --": 10 --: 100 10 --: 1 0 =а!0 100 !О ~10 ~-3 эьо' 6, „мкСм ~7кэ -с С, пФ С, пФ т, пс -=' 1 0 ~80 - 4,5 % 10 :-: 80 =2 101 КТЗО1, КТЗО1А, КТЗО1Б, КТЗО1В, КТЗ01Г, КТ301Д, КТЗО1Е, КТЗ01Ж Кремниевые диффузионные универсальные транзисторы п-р-п, Предназначены для усиления и генерирования колебаний в каскадах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис.

4.3, а). Продолжение Кт11 ! К ! 1!!1Ь К! К11 1 13011 Рс к яя яюясрсняя П тромсе !я ~ к! 1011 кт1111в ктзя1л КТМ1Ф 11редел И~Э", я!а», В В Ь Н О,Ч О 11 ~ С Т И 1я Ь! Е = 85'С = 85'(: Э К С!1.1 ~ ~! 1»1! 111111 ~ Н Ь! С д а !1 Н 1я С 20 ,1!) 20 85 ~1- 85 ~с ~ 85'С ~ 85'С =00 С 8, С пер !яая' с ~!!'Р;,ф ! 120 0,8 120 О,б 120 120 0,8 0,8 Пря тсмператрра о! оо цо Вв С аон1ст!!чая мо ця!ять 1явт1 оярсястяется яо фар я1яе К ГТЗОЬА, ГТЗО5Б, ГТ305В Германиевые диффузионные транзисторы р-а-р, 11редиазначены для работы в малогабаритных электронных схсмах, Выпускаютсн в металлостеклннном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, б), 102 г,„~ ая, В ~, Ь! ! "! а ~ ' г.са»' Ф, /, мА а!й !' мВ~ и !яя»' О яр 0 ояр нояр в Оер О 01~р Оояр 0 оАк 3 20 10 10 10 150' Л 30 10 10 !О 1ЬО! 20 10 !О 10 150' 20 10 !О 150' !1 >ра !', пФ !:,, пФ ПС >я к 1~,, дЬ Правде;.Био допустимые зксплуатапиыпптпе Прп !>->0 = П,Б В - пгп тсмкературс спы>пе )о 'Г аппо!»>»ыо >ос значение тока ьоелсктпрп (мл) олредетя.

т я и > фо!>мтле )к „„,— й,2'тза 0,и ' с)ри температ)ре оир)л аю>пеп среды от 20 до 60'С максимальная мпп>пое>ь !мат) рыспитыпает' я по >)>привале "'К п>пс= !ОБА !)оир)>'0 8 К Г306А, КТ3066, К ГжВ, КТЗО6Г, К13116Д Кремниевые планариые транзисторы н-р-!т. Пред- и»!зна !ены для работы в переключающих (КТЗО6Л, КТ306Б) и усилительных 1КТ306В, КТЗОбГ, КТ306Д) устройствах. Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, в). 1'„„,и„, В >и па~ 1' ->Б п>ае' >„и„, МА > птт Р„„, мВ пер п>п Рп.р-пир, "С,>'м Вт -ОО.С = В,к = 6О 'С акр и„=О5 В ~ ~пир ~ ~~ а„,р<З5 С мкс, ~к<.тк О,„.„~2О С вЂ” 15 — 15 — 1,5 40» 1ОО 75' 85 О,8 да!и!ые — 15 — 15 — 1,5 4О' 1ОО 75» 85 О,8 — 15 — 15 — О,5 4О» 1ОО 75' 85 О,8 Продолжение >», иер»>ах» окр> ' При увели >енин теннературь> от 90 до 10о 'С иан6ольшая рассеиваемая коллекто роч мощность снижается но,тичсйно»у закону 1я, м>! '®~! "~ -~К> ~14 О,ч 8,8 ББэ,6 ' И Х 1р б г0 д-Х~,~А 4Х !О4 ИреЛ КБ»лат» ь КЭ1> шах В 1Эьш,„, В ~К К иас»>ах™А ~Э»>ах Э нас»>ат» К >на*»1В» елыю допус> нмые эксплуа 0„., -!ОО С 0.„„=:=1ОО С О,„, =100 "С окр тацнонные 15 1О 4 зо 50 ЗО 50 ! 50' 125 150 »>,Вне>ые 15 !о 4 зо 50 ЗО 5О !50' 125 150 !Б !о 4 30 50 30 5О !5О' 125 150 гтзовл ребич изыере!ия П~реметры гтзозв гтзо)в 20 75 Р„, — 1 Й,7,=10мЛ, ) — 50 Гц, ))„,, 25 'С 0„...

-= 70 'С вЂ” 50'С ~0 „~ ~ 25'С, Ькв — — — 5 В 0к~ — — 15 В Оо,р = 70'С, икв — — 10 В = — 2 В иж = — Зв 0к~ — — — 5 В, 7э — 5 мА. ,~ = 20 М Гц А 7,=8 А 7~ = 10 мА; 7г — — 1 мА Ока — — 5 В, 7'=5 МГц ~ЭБ= ик = — 5В,7,=5 А; ) =5 МГц 7К =50 МА; 75=4 МА; т„— 5 мкс; ~ = 1. 10 кГц Ь „,= — 5В;7 =5мА; ) =16 МГц 80 200 50 360 ~30 80 О)О -:Й 45 ~као' :,2 ~5 ~~ Щ :50 «:. )ООО ~6 <2 «.5 ~90 «50 ~ )ООО ",р.

4,5 ~2 ~ 5 <90 ~50 ~ 1000 0 ) по И2!э ! — 1,2 — 0,5 ~25 400 — 1,5 — 0,5 ~~8 ~ ~25 400 и „„, в )~ВЭ е.и' С„, пФ С,, пФ т„ пс ~„,,мкс рйе* К„,, дБ 105 ГТЗОЗА, ГТЗО85, ГТ308В Германиевые сплавно-днффузнонныс транзисторы р-а-р. Предназначены для усиления, генерирования и прсобразовання электрических колебаний высокой частоты и для работь| в импульсных устройствах, Выпускаются в металлостеклянном корпусс с гибкими выводамн (рнс.

4.3, г). ОРодолжекне Г~арппс сны Рпя пкс н смсрсннн гтзоа с ! ттмБ гт,и.в Предельно допустичые экснлуатонионные данные и,„„,н„„д !с ~,ЬО ~ смак' н'.3 Ь, и и к ' У К К3К сник' ~ьз ° !у,, в ' 1, эк' спп К п сппя' Р, „„, мВт 'С/ч Вт охр' — 63 +6 ПРп ке~ нс Рит УРс кпмпсе 45 "С ЯипУ кпмЯЯ пп.ипсп ть 1мВт! РК сп„, = 1 8э — Еин,) сспукдеяяскся по формуле Ц0-И -Ю -Ш -Ю -6 -Ч -2 П 106 у,о У дд 0,9 "„!5н ° Окп т„= ! мкс аяе 4 м4 1Ю 7о Р,У с~У вЂ” 20 — 30 — 15 — 12 з — 20 51) !2О 150' 360 0,25 — 20 — зо — !5 — !2 — 20 5О 120 150' 3!ко 0 25 20 — 30 — 16 — !2 3 — 20 50 !20 160! 360 О,25 ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Л, ГТ309Е Герчаниевыс диффузионно-сплавные транзисторы р-я-р, 1!редназначены для работы в ~силители~ых и генераторных миниатюрны~ радиоэлектронных устройствах Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими выводами (рис.

4,3, д). Д'родолжекие гтзООд ~ тиЮе гтзрав ТТ$1151 гтзООА тт36и Параметры Режим намерения Предел да««ые — 10 — 10 1О 50' 70 эксплуатация««ые ьно допустимые =10 кОм ~55 С ~55 С 20 о~ — 10 — 10 10 5О' ю — 10 — 10 10 го ЯЭБ 0 окр О окр окр квя мах' КБ пах' мА К мах' 0'", С 0 пер, нза~' онр — 40 +55 Прн температуре от 2О ао 55'С значение лонт~т«ион ион,ности тнен вартан на Б мат на каждые 1О 'С ГТЗ10А, ГТ3106, ГТЗ10В, ГТ310Г, ГТ310Л, ГТ310Е Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы р и-р с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты малогабаритной радноэлектронной аппаратуры. Выпускаклся в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рнс.

4 3, е), гтрк ОА тт~ти; гтз гад т'тВтбе Режим измерения Параметры КБ Н' ~э ~ = 50 ..1000 Ги, 0„= 25' С 0 55оС окр О ..180 20 ..140 60 . 18 20.. 140 60. 180 20.. 140 60 ..360 60 ..360 16. 70 16. 70 ЗО . 180 ЗО . 18О :=-8:=. 6 60...360 16 70 ЗО. 180 >4 9. = — 20 'С окр 2!з ~~ 120 ~120 ~4 е: Ь -'=- 120 е 300 " 3ОО 108 Ь„~, Ом Ь О МКСМ скво С„, пф т, пс К„,, дБ 0 = — 5 В; 7 =5 мЛ; кв ' а 1=20 МГц !l = — 5В,! =1мА; КЬ„' Э ~ = 50 .100 Гц У,,= — 5 В; 7 =1 мА КБ ' Э Ф 1=50 10001ц К,Б ' ок 55 оС КБ 1 =5мЛ КБ ' Э 1=5 МГц У = — 5 В 1 =1 мА.

КБ ' Э 1 1=1,6 Мгц П/) одолжи//ие гта1/)А ТТЗТ6Б гтз)ов ТАТЯ ГтЗ)Ох! ТТЗТПЕ Режим юяереиия !!еэаметры пр т ' Квя та ах, сдельно допустимые экспауат / ЭБ /с = 200 кОм 0 = 55'С елр 0 <55 С 0 .= 35'С елр данные — 1Π— ь — !2 !О 20' 75 2 ационные — !Π— 6 — 12 10 201 75 2 — !о — 6 ]2 !О 20' 75 2 В КБ п*а~' мА иал' к К ятат' о ер а!ат /лпср.аир, .С/.Вт' 0 — 40, +55 1!Ги темперяг~ре ет ВВ до ББ С ые остяцкая ыаш1/есть !чВт) оарстсаяется яи ферч>:,е / = аа1тз — в !! ~рии~ ~1~а ии // =3 В, / =15 мА КБ ' э О„= 25'С 0"'"=55 С 1Укв — 5 В, /з=5 мА, кь кь — А.

=!5 мА; ~„= 1,5 мА / =15 мЛ, / =15 м / =10 мА дкБ — — 5 В, !' = И МГ!! и =025 В; ~=!О М //кв=5 В; /в=5 мА; /. =20 мЛ, / =2 мА; т =02 мкс, и !/Б, — 4 В, в схсме 1/! !Б! ~ !1,,! !1)о, мкА ьо, мкА / К! Нае, В нас, Н //1. ю гр, В /,, нФ /,. пФ Н !1С /1 ~~, кс 109 ГТ311Е, П'311Ж, ГТ311И Герма!!иевые планар!!ие транзисторы и-р-и Пред- 1!11)нвчены д.)я использования в рвдиовешательных приемниках, 11!)исмно-усилительной и другой аппаратуре широкого приме- 1!С 1! Ий.

Вы)1/скаю)ся в ме!аляостеклянном корпусе с гибкими вы!годами (р!1с ! Л, 1!1, ГтЗ( ! И ! т0! !ж Рея~им н. и ! ения Г!3!!! 1!Ори а . 1 р!я Предельно допустнмые эксллуатац((о(!ны0 К Б ° ~а.т ' ЗЬ г!пт' КЭ(! е,п!' и В Ц Ы мВ а 50 150' 70 — 40 +55 50 150' 70 50 1 50» 70 ' В диапатпн~ т мператар от 45 ап 60 "Г прпит мент СннжЕПкЕ Ь 1,Б «итт И С(тэр инта нз ! В нп каАЛ'юеь ( а Ь„г,„,,, — НЛ02 [1 ни л~ьяып ! (!ри теиператтре ог й дп 60 "~- гюитетпяия .". ии!и ) т~ (чйт~ пире [еляется по форм~де и Р = 1 У~ — !00 (Π— 20! т00 К 1л и1~р 110 7К К тип\ К п)а т' пер истр 9 Окр' пк Й.

„= 110 КОм, 0 Оар 12' 2! 12! 1,(((!(ЫЕ 12! 2! 12' 10' 1 г! 10' КТ312А, КТ312Ь, КТ312В Кремниевые эпитаксиально-планарные универсальные транзисторы а-р-и. Предназначены для работы в переклкчателих, генераторах, радиовещательных приемниках и приемноусилительиой аппаратуре широкого применения.

Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими выводами ~рис. 4,3, ж). допустимые эксп туж ~85 С = 300 Ом < 85'С ~ 85'С О,В КБ тат' КЭЙ ггги.ь .в ЭБ ггган' ,в 1К, мЛ к лил' О лнр ЭБ О ен лнр о""' 'с- 85 'С ~К к гиах М~ г Онер лгит С Йпер скр 'С/мвт О.нр, 'С П~л температ",ре от 2О ла ВВ С дг птетнн,ьк мг,алот гь (чВ~) «нретелаетен ло форчуле — "ОА ГТ313А, ГТ3135, КГ313В Германиевые сплавно-диффузионные мезатранзисторы р-а-,в.