semicond1 (Галкин В.И., Булычев А.Л., Прохоренко В.А. - Полупроводниковые приборы)

2403000000 — 338 Г 1 — 37 М 30!(03) — 37 ББК 32,852я2 Г15 УДК 621 382~0% 5) Рецензент 1!. И, ОВСЯННИКОВ, кандидат техннчеекнх наук ®) Издательство «Ьеларусьэ, 1979 ф Издательство «Ьеларусы, $987, с изменениями $. ПОЛУПРОВОДНИНОВЫЕ ДИОДЫ 1Л. Система обозначеннй полунроводннковых днодов В соответствии с ГОСТ 15133 — 77 полупроводниковым диодом называют электропреобразовательпый полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя вы водам и.

Полупроводниковые диоды классифицируются по исходному материалу, технологии изготовления, площади р-а-перехода, назначению нли области применения, Кроме одиночных диодов промышленностью выпускаются диодные сборки, столбы и блоки, которые состоит из специально подобранных диодов, помещенных в один корпус. Для полупроводниковых диодов используются системы обозначений в соответствии с ГОСТ 5461 — 59, 10862 — 64, ! 0862 — 72, ОСТ 11 336.038 — 77. Согласно ГОСТ 5461 — 59 система обозначений включала три элемента. Первый элемент обозначения — буква Д, второй — число, указывающее на материал, конструктивные особенности или область применения; Третий элемент — буква, обозначаницая разновидность прибора, В 1964 г.

была утверждена новая система обозначений полупроводниковых диодов (ГОСТ 10862 — 64), в соответствии с которой маркировка вновь разрабатываемых полупроводниковых диодов включает четыре элемента. Первый из них — буква илн цифра, указывающие на исходный материал (Г или ! — германий; К или 2 — кремний; Л или 3 — арсенид галлия либо другие соединения галлия). Точечные гермапиевые— 1...100 Точечные крем ниевые— 101 ...200 11лоскостные крсмиисвыс— 201...300 Плоскостные германие- вые 801 .

400 Смсситсльиые СВ'1 детек- торы — 401...500 Умножительные — 50! ..600 Видеодет ект оры — 601. „700 !1араметрические германие- вые — 701...749 Йараметрические кремниев- ыее — 750...800 Стабилитроны — 80! ...900 Варикапы — 901...950 Туннельные — 951... 1000 Выпрямительные столбы-- 1001 ...1100 Буква употребляется при обозначении диодов, прсдназначенных для аппаратуры широкого применения, а цифра — для диодов, используемых в аппаратуре специального назначения. Второй элемент — буква, обозиачающая класс нлн группу диодов. Грстнй — трехзначное число, определяющее назначение или элснтрнческнс свойства диодов (табл, 1), Четвертый элемент — буква, указывающая на разновидность типа из данной группы полупроводниковых диадан. Начиная с 1973 г.

вновь разрабатываемые полупроводниковые диоды маркируются согласно ГОСТ !0862 — 72. Их обозначение состоит из шести элементов. Первый из них — буква (Г, К, А) или цифра (1, 2, 3), обозначающиеие исходный материал. Второй — буква, указывающая на класс диода (табл.

2). Третий элемент — цифра — назначение диода (табл. 2) . Четвертый и пятый элементы обозначения полупроводниковых диодов (кроме стабилитронов и стабисторов) — это порядковый номер разработки технологического типа (от О! да 99). В обозначениях стабилитранов и стабисторов третий элемент является показателем мощности, четвертый и пятый — номинал ьиага и апряжения ста бил из а ции (табл.

3) . Шестой элемент обозначения диодов, дииистарав и трннисторов определяет деление технологического типа на параметрнческие группы, а стабилитронов н стабисторов — последовательность разработки н маркируется буквачн русского алфавита от А до Я. С 1977 г. разрабатываемые полупроводниковые диады, тирнсторы и оптоэлектронные приборы обозначаются согласно отраслевому стандарту ОСТ 11 33а,038 — 77, Маркиравка включает семь элементов. Первый элемент — буква или цифра, указывающие на материал: Г нли 1 — для германия н ега соединений; К нлн 2— кремнии и его соединений; А илн 3 — соединений галлия; И или 4 соединений индия. Второй — буква, означающая подкласс прибора (табл. 4). Третий — инфра (илн буква для аптопар), характеризующая один из основных признаков прибора (тибл.

4). Четвертый, пятый и шестой элементы — порядковые номера разработки технологического типа прибора. Седьмой — буква, условно соответствующая классификации па параметрам приборов одного технологического типа. Прн необходимости указать отдельные конструктивна-тсхнологические особенности прибора предусматринасгсн введение в обозначение дополнительных символов: буквы С после второго элемспта — для наборов в абгцем карпусс однотипных приборов, пе соединенных электрически нли соединенных одноименными пывадамн; цифр, написанных через дефис, после седьмого элемента— для бескорпусных приборов; буквы Р после последнего элемента — для СВЧ приборов с парным подбором; буквы И после второго элемента — для импульсных тиристоров. Условныс графические иаг)браукенин полупроводниковых диодов и тиРисторов представлены нз рнс.

1.1. Рис. !.1, Условные графические обозначения полупроводниковых диодс)з и тиристар)ув. а выпрнмнтнсннмй иноц )с1о|о, бион), нмс)аъснми н уннвврсаднймн диод, б - туннваннын диод, е — обрасцснаый лнол. г — односторонний с~ абие итром, б — днухстороннлй (двухаиодммй) с" аблантрон, е — аз. рннцн. ж оарнксппаи матрица, а — свисинзлумлющнй днод, и — днодный ~ нрнстоа ~днннстор), к — диодный снммстрннный ти)унстор, л — не. заннрлем ~и трнонстор, управляемый по катоду, и -- незапирвннмй грннистор ~нраионемый оо а лду; и — влнирасный трнннстар, уарав- 1нтмьпй но натопи о — ланнрасмол трнннстор, управансиый по аноду 1.

Второй и третий элементы обозначении полупроводниковых диодов по ГОСТ 10862 — 64 !!изной и )уыир уииве импул Сверхвыс смеси видео Продолжение табл. ! Третий э~темент Н1проп члемт'и т Тип диода )01 модулятор ние параметрические переключающие умножнтел ьные $3ариканы с1(тотодноды ,ЛХинисторы (диодиые тиристоры) мощности: малой средней большой %'уннельные дноды: уснлитсльные генератор ные переключающие обращениь~е Стабилитроиы малой мощности (Р ~ О,З Бт) с= напряжением стабилизации, В. О,! ...9,9 10. „99 100..199 ~табилнтроиы средней мощности (0,3 < Р = " 5Вт) с наприженисм стабилизации, В; О,! .

9,9 10...99 100... 199 4::табилитроны большой мощности (Р „-. 5 Вт) с= напряжением стабилизации, В: О,!...9,9 1О .99 100...999 Рыпрямнтельные столбы мощностн: малой (! '-: О,ЗА) пр ср средней (7„„.-. О,ЗА) Быпрямительные блоки мощности: е средней (0,3А < !„„„, 1ОА) большой (! . !ОЛ) пр ор 401 499 г т)<~ 60! 699 ! 01..999 ! 01...199 В Н !01...199 201.. 299 301...399 101...199 201 ..299 301...399 401...499 101...199 201 ...299 401...499 501...599 601...699 701...799 801 ...899 901...999 !01„,199 201...299 301 ...399 401..

499 50! ...599 диодов ииковых .1. Второй и третий элементы обозначения полупровод по ГОСТ 10862 — 72 Продолжение Третий элемент Второй меиент Тии диода Импульсные; ~аос."-!50 нс 30 нс " ! „„, " 150 цс 5 не~ 1„„а=30 цс ! цс Г ~ 5 нс Сверквысокоч«стотныс. емесител ь н ые детекторные парзметричесиие рсгулирующис (псрсключатсльныс ничительные и модуляторные) ум н эж ител ьные гецераторные Варикапы: подстроечные, умиожнтельцью (варакгор~и) Туннсльиые н абращсцныс: усилительные генераториые псреключательныс обращенные Излучающие: инфракрасного диапазона светодиоды с яркостью до 500 нт светодноды с яркостью более 500 Диписторы ~диодпые тнрнггоры) мо малой ~1„~ О,ЗА) средней (3,3А =1и„ср< 10Л) Выпрямительные столбй мои~ностц,' малой (!и~, ~ О,ЗЛ) средней ~О,ЗЛ ~- Уир ер ~ ) ОА) Выпрямительные блоки мощности: малой (!и,р -, О,ЗА) средней ф,ЗА = 1и„ер ~ 10Л) Диоды Ганна Генераторы шумы Стабилизаторы тока Стабилитроны н стабисторы огра- ! 2 3 нт ингостн; Ц Ц 3.

Третий, четвертый и пятый элементы обозначения стабилитроиов и стабисторов Продолжение третна элемент Нгорои а и~чеит (води ~асс) тип диода 2 З 4 Г 6 7 8 4 5 Л детекторные ус ил нтел ьные параметрические переключательные и ограннчитсльньн учножнтельные и нас~!инск~нас гснераторныс прочие Стабилитроны. мощностью ие более О,З Вт с папрнженисм стабилизации, В: менее !О от 10 до 100 более ! 00 мощностью от 0,3 до 5 Вт с~иапряженнем стабилизации, В: менее 10 от 10 до 100 более 100 мощностью от 5 до 10 Вг с напряжением стабилизации, В: менее 10 от 10 до ВО более 100 Генераторы шума; низкочастотные высокочастотные Излучающие оптические приборы информационного излучении: дн оды модул н Визуального представления информации: светонзлуча|ощне диоды знаковые индикаторы знаковое табло шкалы экраны Трнодные тнристоры: незапйраемые запираемые симчетрнчныс прн О,З А:=1отар ср аы„~ ~10 А незапираемые запираемые симметричные незанираемые запирасмые симметричные 1.2.

Электрические параметры полупроводниковых диодов Тс'рм$$$$и, $$$$рсделс$$$$5! и бу$ь$$$ч$$$$ $Р об$) $$$ачения электрических $$арамстров полупроподнцк$$иых прнбор$н$ устанавливаются ГОСТами Обозначения некоторых основных параметров приведены табл 5, а специальных — в разделах, где описаны соответствующие приборы.

5. Общие электрические параметры Буивсииыс обозиаяспия Термины Опрсдстсиия Постоянное прямое напряжение диода ~'пр и Импульсное прямое напряжение диода ~абр и ~ пр ср Пробивное $$апр$$жение диода ~~проб Постоянный ток диода Импульсный ток днода примой 7 р ~пр и прячой Средний прямой ток диода Постоя нны й обратный ток диода Импульсный обрат- ный ток диода пр с, ~абр Прямая рассеиваемая мощность диода ~пр Постоянное обратцое напряжение д$$ода Импульсное обратное напряжение диода Среднее прямое на- пряжение диода Постоянное значение прямого напряжения, обусловлеиное постоянным прямым током диода Для туннельного диода постоянное прямое напряжение и постоянный прямой ток определяются на второй восходящей ватан вс$льт-ампер$$ой характеристики Наибольшее мгновенное значение црямого напряжении, обусловлен.

нос импульсным прямым тоюм диода зада$$иой величины Мгновенное значение обратного на- пряжения диода Среднее за период зцачецие прямо- го иапряжеиия диода при заданном среднем прямом токе Зиаче$$ие обри гиого напряжения, вызь$вающсс чробой переходя дио- д,а, при котором обратнь$и* ток до. стигает задаиион величины Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая по- вторяющиеся н неповторяющисся переходные токн Среднее за период значение пря- мого тока диода Наибольшее мгновенное зиачецне обратного тока диода, обусловлсиного импульсным обратным напряженнем Значение мощности. рассеив$$емой диодом при протекании прямого .$ ока Прт1оутжгние табл 5 Бтивенные обозначении Т«ровны Определения Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого в обратного ГОКОВ Зи,тчснис емкости между выводами диода при заданном режиме Общая емкость диода без емкости корпуса Если диод имеет р-т-и- структуру, допускается использовать термин еемкость структурыв и буквенное Обозначение Сетр Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так н на поверхности полупроводника Зффективное время жизни определяется по соотношению 1/т,ф — — 1/т,б + 1/т„„„ .де т„ф — эффективное время жиз- И, т,б — ОбЪЕмНОС ВрЕМя ЖИЗНИ, т„„— поверхностное время жизни Накот1леиный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении днода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряженке от момента прохождений тока через иулсвос значение до момента достиження обратным током заданной вели- чины Орсдняя рассеиваемая мощность диода "ер Общая емкость диода ~ пер Емкость перехода ди- ода Дифференциальное сопротивление диода Р'диф Эффективное время жизнн неравновесных носителей заряда ди- ода Заряд восстановления диода Время обратного вос- становления диода вос обр 11 П р и м е и а н н н 1 К буквгнному ннлги у някгичяяьно доиустимых значений параметров добавляются «я~ах» нли «вин» 2 Кроме параметров указанных в табл а Ггоответствучонтих ГОСТ 25529 — 82), интексом ЛГ обозначается дианааои рабочих частот диода 1.3.