Бух М.А. Зайцева Л.П. - Микрoэлeктроника настоящee и будущее, страница 12

Хечч п|а1ег|а! цпдег сопядега1юп |з яайшгп агзепЫе. Сай|цп| агзепЫе !|аз а пшс!1 1|1я!|ег е1есггоп пюЬ|йгу Фап яеггпапшгп апд яйсоп. Т!|е оррогМпЖез" ргезеп1 аге аз Гойо|чз: Ы |з аз а 1а аег Ьапд кар репп1Ы1па орега|1оп с!|еп|1сайу апд гпес!|ап|сайу згаЫе. Моайшп| агзепЫе аге аЬоц1 галсе Жозе оГ !|озе оГ яйсоп. рцг11у ~айшп| агзепЫе ччаз Йгзг ехр!1сй" ппапшгп !|евшего-!цпс6оп йоде. Т!|е !|е1- еп11а! Гог гпцс!| Газ1ег зчч1!с!1|п!! С1|ап сопез. 1Ь са1сц1агед зчч|сЫпя !1гпе |з оГ Ф!|е !г1Июпз оГ а зесопд). Гргодцс|пя яайшп| агзепЫе оГзнй!с!епгы 1|ОП.

Гаг Ггогп 1!|е епд оГ1!|е згогу Апу зеагс1|- 1пЬц11опз. ТЫз |з Фе ччау оГ дече1ор|пя менно), а!гег ч твование), регГес1 ч ;, ' ®пОайу гпцс!| Газ!ег, 1! !| -;:-: ' ":-':~~!ф!|ег Се|прега!цгез; 11 1з ";... ""'-""!1ез 1п г!||з !|1я!|-рцп!у я '~!. "~~Ф~ап|шп апд Гоцг $1гпез1 ';;„.;.:;.;=:.",.;;,:,.':: Т!|е ро1еп11а! оГ !ця!|- '::;;,"-: "'::и печч яаИ|цп| агзепЫе-яе :„;::; ":" .!цпс|юп деч|се !|аз а ро! ;.,''' "" Попа!бз р-и !цпс6оп д|од ''~ ""- ег оГ а Геныч р1созесопдз ( ';.'-';- "~;-"'.",;::: . Ноччечег, 11|е д|йсц!1у о ';:.:;:-': "'""-'.гу !|аз йгп11ед 11з аррйса :-','' ~>:-::::.":: Уе1, яайшгп агзепЫе |з -';:.;:-.;; " ' Гог ап апзччег п|аКез соп -::::::.~~~т1ег гпа1епа1з апд деч|ссз.

::-",,-=".,:::,::,::~. Проверьте, как вы запомнили слова первой части основ- :.'~~',;,"'~;::,:.:.::: ного текста. :::-'ф%, Переведите выделенные слова/словосочетания, исходя из значений, приве- ' ~;='~!!'::::.:. денных в скобках: ::,"~',::.::,:;;:;1; депягу и (плотность), |!епзе а .:~~,-.'-"-~:::,:2;:: чц1пегаЬ|й|у и (уязвимость), чп1пегаЫе а ;.",~~'",,-.'',.-3:-- ргосезяЬ|!11у и (обработка), ргосезз ч ,~~",'4:, 1п1егсоппес11оп и (взаимосвязь), соппес1 ч ;:-ф„,.-"::;5; зц11аЬ)е а (пригодный), зпЫ ч ',; '!='::6.

соп!пЬц11оп и (вклад) „сопМЬпФе ч -:;"'. -'-,'-'.::~~; гес!1Г|са11оп и (вы||рямлениЕ, гесМГу ч '„.!:;:3,- а|прйГ|са1юп и (усиление), ап|р!1Гу ч ::.=:;; ";;-„'9. ! ауег и (слой), !ау ч ;.':-:,,'".: а11егпа1е1у ай (попере '-'.$:;:- регГесйоп и (совершенс ::..в~|~. Рцг|1У и (чистота), Рпге а :4 .='-',,„.,,'.„: Переведите глаголы, исходя из значений соответствующих су"жствита ущесп1ителыных: ;:~ж:-.,:.:-'.1; де!ау ч (де!ау и — задержка) , ~1 !ече1 ч (1ече1 и — уровень) :. 6-';;:3. ГеаФиге ч (Гефте и — характеристика) 4. 1пгп Р (1игп и — поворот) 5. 1гасе р (1гасе и — след) 6. геаьоп ~ (геаьоп и — разум„причина) 2.7. Переведите следующие слова.

Обратите внимание е на значения префиксов зиЬ- — нод, ниже; зирег-, обжег- — сверх, выше; ии йег - — ниже и зетг- — иолу: кпЬ-: яяЬймя1оп и, зиЬь1гис1иге и, яцЪсотп1111ее и впрег-: ырегЬеа1 и, зиретъ1гос1цге и, зорегпа1цга! а„кирегГаь1 а обжег-: о~егягою з, ожгвог1с1, очег1теа1 з ппс1ег-: ппс1егргос1псе ~, цпс1егягое ~, ипс1егсы111 пя и депп-: ьеписопс1цс1ог и, ьегщс1гс1е и, аеппаппиа1 а 2.8. Переведите следующие слова, исходя из значения их антоннмов: 1. ппк1аЫе а (з1аЫе а — устойчивый) 2. цпсоптеп11опа1 а (сопчеп11опа! а — обычный) 3. пп1пп11ед а (1ип11ес! а — ограниченный) 4.

ппсоп1гоИед а (соп1го11ес! а — управляемый) 5. ппеш1аЫе а (яп1аЫе — подходящий) 6. ппсопппоп а (согпгпоп а — обычный) 7. пп1Исе а (11!се а — подобный) 8. ипрокяЫе а (роьяЫс а — возможный) 9. ппрегГес1 а (рсгГес1 а — идеальный) 1О. 1шрпг11у и (рыг11у и — чистота) 11. 1шпюЬП11у и (гпоЬ1111у и — подвижность) 4. Учитесь слушать и говорить.

2.9. Ответьте на вопросы, используя информацию основного текста: 1. %Ьа1 вои1с1 уои яау аЬои11Ье аеас!у гес1ос11оп оГ 1С Геа1цге ярк? 2. %Ьа1 Ьаз а11оюес! Фе 1п1еяга11оп оГ гпоге апс! гпоге с1елсеь оп Фе вате сЫр? 3. %Ьа1 с1оея ЫяЬег 1п1еага1юп 1е~е! а!!ой? 4. %Ьа1 аге Фе с1огп1пап1 Гас1огв 11гп111пя с1еисе регГоппапсе? 5. %Ьа1 1пшЫЬе с!сап оГ апу тасЫпе? 6. %1ю Ьая гпас1е а ягеа1 соп1пЬи11оп 1о Фе и1ис1у оГьеппсопсЫс1ог рЬуя1сз? %Ьа1 мои!0 уоы зау аЬоц1 ро1усгуя1айпе та1епа1з? %Ьа1 Ь емеп11а1 Гоипс1а11оп 1ог зегп$сопс1пс1ог ргос1исЬ? й.

Обобщите информацию, данную в основном тексте. Расскажите на русском/ английском языке, что вы узнали о полупроводниках; об ученых, работающих в области полупроводниковых материалов; о кремнии и германии. Домашнее задание ого определения существительного, перевод слов вие, полните упражнения. слова и словосочетания первой части основного текста Внеаудиторная работа ть ведите устно, учиты 1 зуя1епь 1о Ье шз1а11ес$ аге ... ыес1 аге ... гсс1 Гог пеи ь1гпс1игея аге ...

2 иье 1п пн111агу е1ес1гоп1с зуйепю аге ... гпр11Г1ег ргороьес! Ьу % БЬос1с1еу таз ра1- Мог орега1юп гп1са! рип1у 1пГ1 и аГГес1с1ьу е1ес1. П1с 1.ар Ьая епсес! Ьу1Ье с!елее оГсгуз1а! регГес11оп рго- иге ге11ес! европ с1ерепс1з ... о1сеп аЬои1 Ь Ьеа1ес1 ... атеп1а! Гас1огз а1епа1 Карша а п Повторите типы прав с -":.::.;::. внеа, 1Ьаг„йод, й и вы 2. Изучите Переведите письменно перевода — 60 минут) ";.:;, 1. Учитесь переводи ":;;ЖЛ1. Пере 1. согпр1ех е1ес1гоп1с -;,:::::2.

пею та1епа1з 1о Ье ::;: 3. та1епа1ь1о Ье 1а11о ';;::.:'"- 1. сЫрк с1еяапес! Гог .',-'::,2. а яеш1сопс1ис1ог а еп1ес1 ... "";;,4. сне ч1с1еь ... ,;:„.',5, ип1Гопп11у оГйгис1 ";:;;;"„,.:6. а иаГег оГ яйсоп вр .-;.',"':;;-':;::::1. Гипс! '!:.2. агп со словарем вторую часть основного текста. (Время вая особенности перевода правых определений: 3 шйиепс1щ геяк1ог регГоппапсе аге ...

еяа1Ье 1егпрега1пге соей1с1еп1 в цкес! ... Микроэлектроника: настоящее и будущее Раздел 2. Первое занятие аддИ1оп и 1. дополнение; 2. сложение ш аддИ1оп 1о — дополнительно, кроме того адд ~ прибавлять; дополнять адйМе и добавление, примесь, присадка адд-оп — увеличение 34. ригИу и чистота; беспримесность 1вригйу и примесь риге а чистый, беспримесный рнге озсШа6оп — синусоидальное колебание риге!у сиЬ исключительно; полностью; совершенно, вполне риг1!у ~ очишать 35. рег!ес6оп и 1. завершенность, законченность; 2.

совершенство регГес1 а 1. закончснныи; 2. идеальный регГес1 ~ 1. заканчивать; 2. совершенствовать рег1ес1!у ад~ совершенно 36. ассер1ог и 1. акцептор; 2. акцспторная примесь ассер1 ~ 1. принимать; 2. допускать; соглашаться ассер1аЫе а 1. принятый, допустимый„2. известный, распространенный ассер1апсе и 1. приемка; 2. соглашение ассер1ед а 1.

принятый, допустимый; 2. известный, распространенный 8епегаИу ассер1ед — обшспринятый 37. вИпезз ~ 1. быть свидетелем; 2. свидетельствовать 38. 8а1п ъ 1. получать; приобретать; 2. увеличиваться„З. извлекать пользу 1о 8а!и ассер1апсе — получать признание 8а1пи 1.

увеличение, прирост; 2. прибыль; 3. выигрыш; 4. коэффициент усиления сойес1ог-1о-Ьазе сиггеп1 8а1п — коэффициент усиления транзистора по току в схеме с обшим эмиттером сштеп1 8а!и — усиление по току !орс 8а1п — нагрузочная способность логической ИС зреед 8а1п — выигрыш в быстродействии 8аш оГ соп1го1 — получение управ- ления 39. соввегс1а1 а 1. торговый; 2. выгодный; 3. имеющийся на рынке соввегсе и торговля 46. а11пЬи1аЫе а причастный; характерный а11пЬп1е и свойство, характерный признак, черта а11г!Ьи1е ю относить; приписывать 41. зойев м размягчать зой а 1.

мягкий; 2. ковкий; гибкий; 3. неинтенсивный; 4. программированный зойваге и математическое обеспечение ЭВМ 42. ва!ег и 1. полупроводниковая пластина; 2. пластинка; плата; подложка; 3. кристалл, ИС Ыро1аг ва!ег — п/и пластина с биполярными интегральными структурами Ьш!дш8-ЫосК ваГег — и/п пластина с сформированными конструктивными блоками свз1овед ~аГег — и/и пластина с базовыми кристаллами е1сЬ-зерага1ед ма!ег — п/и пластина, разделяемая на кристаллах методом травления Йа1-~а1ег — пластина с плоскопараллельными поверхностями ргосезз дете!орвеп1 чиКег — тестовая пластина, применяемая при раз- работке технологического про- Ф::=: цесса ва!епп8 и резка и/п слитков на плас- тины ма!ег1гаск и автоматизированная система обработки п/п пластин, управляемая микропроцессором 43.

гаропг и пар, пары дорап1 тароиг — пары лсгируюшей примеси за1ига1ед чароиг — насыщенный пар чарогиа6ов и испарение; парообра- зование -'::;-' .','=:-':;;; 44. дигаЫе а 1. прочный; 2. длительный, долговременный дигаЫ! Иу и 1. прочность; 2. продол- жительность, срок службы дигайоп и продолжительность '-:-';:;::;.,''45. адЬеге ~ 1. прилипать; 2. придер- живатьсяя чсго-л.

-"':;:-::::::адЬегепсе и 1. соединение, сцепле- ние; 2. соблюдение : адЬегдоп и прилипание, сцепление адЬез1~е и 1. клей, адгсзив; 2. адгезия '„'-::-::::..: адЬеиЬе 1о!в — клеевое соединение ':.=';46. шавЕ и фотошаблон, маска; мас-;";.-".;;::,':::::,:: кирующий слой ~':::::."',-,-:: '::.вазй ю маскировать дероз!6оп вазК вЂ” шаблон для фор,";-':::;..;,:,- . мирования металлизации ~,:;;:::.::с:::,:::Й!ор!п8 вазЬ вЂ” шаблон для формиг:';-:::...."' рования легированных областей ~»:,'-':-.':. ';~арога6оп вазЬ вЂ” маска для напы- '~,':::;:-::::;::::, ления ;;'-':,.:;-;:,::-,::-'-ецюзиге вазЬ 1.

фотошаблон; 2. фо;,.'.-":;,";::::::;:,:-'.:,' торезистный маскирующий слой ',:'::,-::Ф зИи вазК вЂ” локальная маска .-::::::;:::;;"::::':Ваз1ег вазй — эталонный оригинал ":-':;,';,:::::":::-'-": фотошаблона „::,":::-::,::::Фе1а1-оп-8!азз вазŠ— металлизиро':,:,'::.;„':::,-::::;,.::::: ванный фотошаблон ,,:.;:' '':,:.;:вот4щ ваз1с — свободная маска ",.'':::Феег1а1д вазЬ вЂ” маска на и/и пласти- ':!',=:-;-: :не ргодис6оп ваЖ вЂ” рабочий шаблон зе1!'-а! 18пед вазк — самосовмешснный шаблон вазЬап1 и материал для формирования маскируюшего слоя 47.

дорап1 и лсгируюшая примесь; диффузант допог дорап1 — донорная примесь ппр1ап1ед дорап! — ионноимплантирусмая примесь 1вригИу дорап1 — лсгируюшая примесь зр1п-оп дорап1 — примесь, наносимая на поверхность и/п доред а легированный дорег и установка для легирования доре ~ легировать дорш8 и легирование 48. Ьапд и 1. полоса частот; 2.