Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету Схемотехника и ЭлектротехникаТеория и ПрактикаТеория и Практика
2024-08-292025-04-03СтудИзба
Ответы к контрольной работе: Теория и Практика
Описание
- Основные сведения по физике полупроводников.Проводники, полупроводники, диэлектрики. Собственная электропроводность полупроводников.
- Полупроводники.Распределение электронов по энергетическим уровням в полупроводниках. Уровень Ферми.
- Полупроводники.Примесная электропроводность полупроводников. Полупроводники n-типа.Зонная диаграмма и распределение электронов по энергетическим уровням полупроводника с донорными примесями.
- Полупроводники.Примесная электропроводность полупроводников. Полупроводники p-типа.Зонная диаграмма и распределение электронов по энергетическим уровням полупроводника с акцепторными примесями.
- Процессы переноса зарядов в полупроводниках. Дрейфовый и диффузионный токи.
- Электронно-дырочный переход. Начальный момент образования p-n-перехода. Перемещение свободных носителей заряда. Поле потенциального барьера, контактная разность потенциалов. Составляющие дрейфового и диффузионного токов.
- Вентильные свойства p-n-перехода. Прямое включение p-n-перехода. Зонная диаграмма прямого смещения p-n –перехода.
- Вентильные свойства p-n-перехода. Обратное включение p-n-перехода.Зонная диаграмма обратного смещения p-n-перехода.
- Вольт-амперная характеристика р-n-перехода. Виды пробоев p-n-перехода. Обратимые и необратимые пробои.
- Емкость р-n-перехода. Барьерная и диффузионная емкости. Механизмы возникновения и особенности использования.
- Равновесное и неравновесное состояние р-n-перехода. Влияние температуры на ВАХ р-n-перехода.
- Контакт «металл – полупроводник».Контакты «металл – полупроводник», обладающие и не обладающие выпрямляющим свойством.
- Полупроводниковые диоды. Классификация.
- Выпрямительные диоды. УГО. Кремниевые диоды. Особенности прямой и обратной ветви ВАХ, влияние температуры.
- Выпрямительные диоды. УГО. Германиевые диоды. Особенности прямой и обратной ветви ВАХ, влияние температуры.
- Выпрямительные диоды. УГО. Основные и предельные параметры. Арсенид-галлиевые диоды. Основные параметры. Влияние температуры.
- Полупроводниковые диоды. Эквивалентная схема замещения при прямом и обратном включении диода.
- Выпрямительные диоды. УГО. Однофазный однополупериодный выпрямитель. Принцип работы, основные параметры.
- Выпрямительные диоды. УГО. Однофазный двухполупериодный выпрямитель со средней точкой. Принцип работы, основные параметры.
- Специальные диоды. Полупроводниковый стабилитрон. УГО. Принцип работы, основные и предельные параметры.
- Специальные диоды. Полупроводниковый стабилитрон. УГО. Температурная зависимость вольт-амперной характеристики стабилитрона. Схемная термокомпенсация стабилитронов.
- Специальные диоды. Полупроводниковый стабилитрон.Параметрический стабилизатор напряжения, принцип работы.
- Специальные диоды. Туннельные диоды. УГО. Структура и принцип действия.
- Специальные диоды. Туннельные диоды. УГО. Эквивалентная схема. Основные параметры, их зависимость от температуры.
- Специальные диоды. Варикап. УГО. Принцип действия, основные параметры и эквивалентная схема.
- Специальные диоды.Светодиоды. УГО. Структура и принцип действия.Основные параметры. Области применения.
- Специальные диоды. Фотодиоды. УГО. Структура, принцип действия. Включения фотодиода. Фотодиодное включение.Основные параметры фотодиодов.
- Диоды Шотки. УГО.Структура, принцип действия. Преимущества перед диодами с р-n-переходом.
- Перспективы применения новых материалов, при производстве полупроводниковых приборов. Мономолекулярный диод. Устройство, принцип действия.
Характеристики ответов (шпаргалок) к КР
Учебное заведение
Семестр
Просмотров
17
Размер
1,85 Mb
Список файлов
RK1_skhemotekhnika.pdf
Типов_задачи_расчет_диодн_схем.pptx