Для студентов СПбГЭТУ им. Ульянова (Ленина) по предмету Основы планарной технологииКурсовая работа по дисциплине «Основы планарной технологии» Тема: РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФРАГМЕНТА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫКурсовая работа по дисциплине «Основы планарной технологии» Тема: РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФРАГМЕНТА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ
2022-12-312022-12-31СтудИзба
Курсовая работа по дисциплине «Основы планарной технологии» Тема: РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФРАГМЕНТА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ
Описание
В курсовой работе рассчитываются параметры технологического процесса изготовления фрагмента интегральной схемы, а также построение сечения кристалла и основных этапов формирования интегральной схемы. Интегральная схема состоит из транзистора p-n-p типа и резистора. Для формирования p-областей используется в качестве примеси бор, а для n-областей – фосфор.
Характеристики курсовой работы
Предмет
Учебное заведение
Вариант
Просмотров
1
Скачиваний
0
Качество
Идеальное компьютерное
Размер
235,27 Kb
Список файлов
- Курсовая.docx 235,27 Kb