Курсовая работа: Современная оптоэлектроника

Содержание

• Современная оптоэлектроника
• Оглавление
• Таблица 1.2.1.
• Bi12GeO20
• 9,23
• II0 продольная
• 3,42
• 31,32
• Bi12GeO20
• 9,23
• II0 поперечная
• 1,77
• 31,33
• Bi12TiO20
• 9,1
• II0 поперечная
• 1,72
• 34
• Bi40Ga2O63
• 9,26
• II0 поперечная
• 1,61
• 34
• Bi40Fe2O63
• 9,32
• II0 поперечная
• 1,61
• 34
• Bi12SiO20
• 9,14
• II0 поперечная
• 3,83
• 31
• Получены плёнки твёрдого раствора Bi12GeO20 : 6 мольн. % Cr4+ со структурой силленита на германосилленитовой подложке.
• Оптимальными условиями для получения качественных плёнок толщиной от 20 до 90 мкм. являются температурный интервал 904 – 914 С и время эпитаксии 10 мин.
• Величина кристаллических блоков изменяется от 15 до 70 мкм в температурном интервале от 904 до 914 С.
• Для получения эпитаксиальной плёнки твёрдого раствора Bi12GeO20 : 6 мольн. % Cr4+ со структурой силленита на германосилленитовой подложке. наиболее благоприятная ориентация подложки {100}