Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету ФизикаИзучение свойств p-n переходаИзучение свойств p-n перехода
4,51519
2020-04-122020-04-12СтудИзба
Лабораторная работа Ф: Изучение свойств p-n перехода вариант 6
Описание
Цель работы — ознакомиться с теорией выпрямляющих свойств полупроводниковых диодов, освоить экспериментальные методы определения некоторых параметров p-n-переходов.
На контакте двух полупроводников с различными типами проводимости — электронной и дырочной, образуется p-n-переход. Он является основным элементом огромного класса полупроводниковых приборов. Такое широкое применение связано с многообразием ценных, для практического использования, свойств p-n-перехода. Ими можно управлять, выбирая параметры полупроводников и меняя технологию изготовления p-n-перехода. Это позволяет наиболее подходящие для выбранной цели свойства делать основными свойствами устройства. В частности, нелинейность активного сопротивления перехода является основным свойством выпрямительных диодов, используемых для преобразования частоты, детектирования, выпрямления и ограничения сигналов. Нелинейность реактивного емкостного сопротивления p-n-перехода — основное свойство диодов, использующихся для генерации гармоник, модуляции и преобразования частоты, усиления СВЧ (сверхвысокочастотных) сигналов (параметрические усилители с малыми шумами), генерации и формирования импульсов. Некоторые p-n-переходы имеют на вольт-амперной характеристике (ВАХ) участок с отрицательным сопротивлением (с ростом напряжения уменьшается ток или с ростом тока уменьшается напряжение). Его возникновение связано с такими физическими явлениями, как туннельный эффект, лавинные и пролетные явления в полупроводниковых структурах, высокочастотные неустойчивости в твердотельной плазме. Устройства с такими p-n-переходами используются в качестве усилителей и генераторов сверхвысоких частот. В данной работе изучаются свойства выпрямительных диодов.
Экспериментальная часть.Решаемые экспериментальные задачи.
В данной работе ставятся следующие задачи:
На контакте двух полупроводников с различными типами проводимости — электронной и дырочной, образуется p-n-переход. Он является основным элементом огромного класса полупроводниковых приборов. Такое широкое применение связано с многообразием ценных, для практического использования, свойств p-n-перехода. Ими можно управлять, выбирая параметры полупроводников и меняя технологию изготовления p-n-перехода. Это позволяет наиболее подходящие для выбранной цели свойства делать основными свойствами устройства. В частности, нелинейность активного сопротивления перехода является основным свойством выпрямительных диодов, используемых для преобразования частоты, детектирования, выпрямления и ограничения сигналов. Нелинейность реактивного емкостного сопротивления p-n-перехода — основное свойство диодов, использующихся для генерации гармоник, модуляции и преобразования частоты, усиления СВЧ (сверхвысокочастотных) сигналов (параметрические усилители с малыми шумами), генерации и формирования импульсов. Некоторые p-n-переходы имеют на вольт-амперной характеристике (ВАХ) участок с отрицательным сопротивлением (с ростом напряжения уменьшается ток или с ростом тока уменьшается напряжение). Его возникновение связано с такими физическими явлениями, как туннельный эффект, лавинные и пролетные явления в полупроводниковых структурах, высокочастотные неустойчивости в твердотельной плазме. Устройства с такими p-n-переходами используются в качестве усилителей и генераторов сверхвысоких частот. В данной работе изучаются свойства выпрямительных диодов.
Экспериментальная часть.Решаемые экспериментальные задачи.
В данной работе ставятся следующие задачи:
- Снятие зависимости тока I от напряжения V и построение ВАХ выпрямительного диода.
- Определение по ВАХ диода зависимости сопротивления p-n-перехода от величины напряжения на нем.
- Оценка контактной разности потенциалов ϕк выпрямительного диода.

Характеристики лабораторной работы
Предмет
Учебное заведение
Семестр
Номер задания
Вариант
Просмотров
333
Качество
Фото рукописных листов
Размер
2,25 Mb
Список файлов
Ф6а
1.jpg
2.jpg
3.jpg
4.jpg
5.jpg
6.jpg
7.jpg
8.jpg
9.jpg
10.jpg