Лабораторная работа Ф: Изучение свойств p-n перехода вариант 6

Цель работы — ознакомиться с теорией выпрямляющих свойств полупроводниковых диодов, освоить экспериментальные методы определения некоторых параметров p-n-переходов.
На контакте двух полупроводников с различными типами проводимости — электронной и дырочной, образуется p-n-переход. Он является основным элементом огромного класса полупроводниковых приборов. Такое широкое применение связано с многообразием ценных, для практического использования, свойств p-n-перехода. Ими можно управлять, выбирая параметры полупроводников и меняя технологию изготовления p-n-перехода. Это позволяет наиболее подходящие для выбранной цели свойства делать основными свойствами устройства. В частности, нелинейность активного сопротивления перехода является основным свойством выпрямительных диодов, используемых для преобразования частоты, детектирования, выпрямления и ограничения сигналов. Нелинейность реактивного емкостного сопротивления p-n-перехода — основное свойство диодов, использующихся для генерации гармоник, модуляции и преобразования частоты, усиления СВЧ (сверхвысокочастотных) сигналов (параметрические усилители с малыми шумами), генерации и формирования импульсов. Некоторые p-n-переходы имеют на вольт-амперной характеристике (ВАХ) участок с отрицательным сопротивлением (с ростом напряжения уменьшается ток или с ростом тока уменьшается напряжение). Его возникновение связано с такими физическими явлениями, как туннельный эффект, лавинные и пролетные явления в полупроводниковых структурах, высокочастотные неустойчивости в твердотельной плазме. Устройства с такими p-n-переходами используются в качестве усилителей и генераторов сверхвысоких частот. В данной работе изучаются свойства выпрямительных диодов.
Экспериментальная часть.Решаемые экспериментальные задачи.
В данной работе ставятся следующие задачи:

1. Снятие зависимости тока I от напряжения V и построение ВАХ выпрямительного диода.
2. Определение по ВАХ диода зависимости сопротивления p-n-перехода от величины напряжения на нем.
3. Оценка контактной разности потенциалов ϕк выпрямительного диода.