Для студентов НГТУ по предмету Физические основы электроники (ФОЭ)Ответы к экзамену по ФОЭОтветы к экзамену по ФОЭ
2024-10-282024-10-28СтудИзба
Ответы к экзамену: Ответы к экзамену по ФОЭ
Описание
- Закон действующих масс. Генерация и рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках. Рекомбинационные параметры (L, τ).
- Функция распределения Ферми-Дирака (fD(E)). Физический смысл энергии Ферми (EF). Положение уровня Ферми на зонной энергетической диаграмме Е(х) в примесных полупроводниках.
- Диффузия, 1-й закон Фика. Коэффициент диффузии (D) носителей заряда, температурная зависимость D(T). Связь коэффициента диффузии и подвижности (соотношение Эйнштейна).
- Механизмы образования носителей заряда в примесных и собственных полупроводниках, температурная зависимость концентрации носителей заряда.
- Механизмы движения носителей заряда, диффузия и дрейф. Диффузионная (Jдиф) и дрейфовая (Jдр) плотности тока.
- Рассеяние носителей заряда. Подвижность носителей заряда (μ), зависимость подвижности от физических параметров (T, N, φ).
- Удельная электропроводимость полупроводников (σ), температурная зависимость удельной электропроводимости для собственного (σi(T)), и примесного (σn(T)) полупроводников.
- Термоэлектрические эффекты Зеебека, Пельтье.
- Контакт металл–полупроводник (омический), зонная энергетическая диаграмма контакта Е(х) в состоянии термодинамического равновесия. Распределение объёмной плотности заряда.
- Контакт металл–полупроводник (неомический), зонная энергетическая диаграмма контакта Е(х) в состоянии термодинамического равновесия. Распределение объёмной плотности заряда.
- Р–n-переход в состоянии термодинамического равновесия, зонная энергетическая диаграмма Е(х), основные параметры.
- Распределение концентрации основных (nn(x), pp(x)) и неосновных (np(x), pn(x)) носителей заряда, объёмной плотности заряда (ρq(x)), напряженности электрического поля (φ(x)) в идеальном несимметричном p–n-переходе в состоянии термодинамического равновесия, (концентрации примесей Na, Nd заданы).
- Эффект Холла, схема. Экспериментальное определение параметров полупроводников.
- Р–n-переход при прямом смещении, зонная энергетическая диаграмма Е(х), основные параметры.
- Р–n-переход при обратном смещении, зонная энергетическая диаграмма Е(х), основные параметры.
- Пробой p–n-перехода. Виды пробоя. Зависимость пробивного напряжения от параметров перехода.
- Контактная разность потенциалов (U0) в p–n-переходе. Механизм образования.
- Область пространственного заряда (ОПЗ) в идеальном p–n-переходе. Структура, границы ОПЗ (xp, xn), причина образования ОПЗ.
- Интегральная барьерная ёмкость p–n-перехода (Cб), зависимость от внешних параметров. Причина образования ёмкости.
- Диффузионная ёмкость p–n-перехода (Cдиф). Причина образования ёмкости.
- Уравнение Пуассона. Максимальная напряженность электрического поля в p–n-переходе (φmax), в состоянии термодинамического равновесия.
- Вольтамперная характеристика (ВАХ) идеального p–n-перехода. Допущения при выводе уравнения Шокли. Влияние физических параметров на ВАХ.
- Причины отличия ВАХ идеального и реального p–n-переходов.
- Ток насыщения (I0) идеального p–n-перехода, физический смысл. Зависимость от параметров.
- Туннельный диод, особенности ВАХ, связь с зонной диаграммой Е(х). Эффект туннелирования.Условия эффективной работы.
- Светоизлучающие диоды. Структура, принцип работы. Условия эффективной работы. Связь цвета излучения с параметрами полупроводника. Белый светодиод.
- Солнечный элемент. Структура, принцип работы, ВАХ солнечного элемента. Условия эффективной работы.
- Структура и принцип работы полупроводникового инжекционного лазера. Инверсная населенность. Условия эффективной работы.
- Структура, схемы включения и принцип работы биполярного транзистора.
- Усиление сигнала биполярным транзистором в схеме с общей базой.
- Усиление сигнала биполярным транзистором в схеме с общим эмиттером. Коэффициент усиления.
- Вольтамперные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
- Физические процессы в базе биполярного транзистора (БТ). Распределение концентрации неосновных носителей заряда в БТ активном режиме (схема с общей базой).
- Основные характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой. Входные и выходные ВАХ биполярного транзистора.
- Условия эффективной работы биполярного транзистора.
- Дифференциальные параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой.
Характеристики ответов (шпаргалок) к экзамену
Учебное заведение
НГТУСеместр
Просмотров
1
Размер
10,79 Mb
Список файлов
Теория (1).pdf
SONIK_
28 октября 2024 в 17:37
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
