Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету Физические основы электроники (ФОЭ)РК 1 ответы на все вопросыРК 1 ответы на все вопросы
2021-04-022021-04-02СтудИзба
Ответы: РК 1 ответы на все вопросы
Описание
Как взаимосвязаны основные параметры вакуумной системы Sн, Sо, U? Нарисовать вакуумную схему, дать определения этих параметров и вывод основного уравнения вакуумной техники.
Написать вывод формулы для расчета времени откачки газа из объема вакуумной камеры для идеальной и реальной вакуумных систем.
Дать уравнение для стационарного процесса диффузии газа в твердом теле (1-ый закон Фика). Вывести зависимость для удельного потока газопроницаемости через тонкую стенку и нарисовать график распределения концентрации растворенного газа в тонкой стенке.
Как зависит объемная концентрация растворенного в твердом теле газа от давления и температуры (закон Фрейндлиха)?
Дать дифференциальное уравнение для нестационарного процесса диффузии газа в твердом теле (2-ой закон Фика). Нарисовать график распределения концентрации растворенного газа от времени при газовыделении.
Показать схему образования двойного электрического слоя и заряда электрического зеркального изображения
Как выглядит энергетический барьер для электронов на границе «металл – вакуум» с учетом сил двойного электрического слоя и заряда электрического зеркального изображения? Показать график и уравнение.
Как выглядит энергетический барьер для электронов при действии внешнего электрического поля (при электростатической эмиссии)? Показать график и уравнение.
10. Как зависит плотность тока
Характеристики ответов (шпаргалок)
Учебное заведение
Семестр
Просмотров
43
Покупок
2
Размер
2,05 Mb
Список файлов
- rk1_foep.docx 2,18 Mb