Другое: транзисторы (сканы)
Описание
Характеристики учебной работы
Список файлов
- транзисторы (сканы)
- Thumbs.db 18,5 Kb
- транзисторы 001.bmp 264,22 Kb
- транзисторы 002.bmp 267,27 Kb
- транзисторы 003.bmp 265,9 Kb
- транзисторы.bmp 258,19 Kb
Распознанный текст из изображения:
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов Для обозначения порядкового номера используют двузначные числа от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то применяют трехзначные числа от 101 до 999
Пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию по параметрам
транзисторов, изготовленных по единой технологии В качестве классификационной литеры
применяют буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ъ, Ъ Э)
Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополнительных знаков при необходимости отметить отдельные существенные конструкгивнотехнологические особенности приборов
В качестве дополнительных элементов обозначения используют слелуюшие
символы
цифра от 1 дв 9 — для обозначения модернизаций транзисторов, приводящих к
изменению его конструкции или электрических параметров,
буква С для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзисторов
(транзисторные сборки),
цифра, написанная через дефис,— для бескорпусных транзисторов
Зти цифры СООтветствуЮт следующим модификациям конструктивногО исполнения
1 — с гибкими выводами без крисгаллодержателя (подложки);
2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке),
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя (полложки)
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке),
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (подложкн) и без
выводов (кристалл),
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе (подложке), но без
выводов (кристалл на подложке]
Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименованию
типа получить значительный объем информации а свойствах транзистора
Примеры обозначений некоторых транзисторов:
КТ604А — кремниевый биполярный, средней мощности, высокочастотный,
номер разработки 04, группа А,
2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный,
номер разработки 20, группа А,
КТ937А — 2 — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный,
номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на
кристаллодержателе,
2ПС202А — 2 — набор маломощных кремниевых полевых транзисторов средней
частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на
кристаллодержателе
Распознанный текст из изображения:
врыв<чья «р р» < * <
согласно ранее действовавшими ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, которая н своей
основе не отличается от описанной Однако у биполярных транзисторов, разработанных
до 1964 г и выпускаемых до настоящего времени, условные обозначения типа состоят
из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения
буква П, характеризующая класс биполнрных <ранзисторов,
две буквы МП длн транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной
сварки
Второй элемент — одно-, двух- или трехзначное число, которое определяет
порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного
полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной (или предельной) частоты
от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы,
от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы,
от 201 до 299 — германиевые мощныс низкочастотные транзисторы,
от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы,
от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ чаломошные транзисторы,
от 501 до 599 — кремниевые высокочастогные и СВЧ маломо<цные <раизисторь<, от 601 ло 699 — гермаииевые высоко <астотиые и ГВЧ чошиые транзис<оры от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мошныс транзисторы
Третий элемент обозначения (у некоторьш типов он может о < с)тствова< ь)
буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов,
изготовленных по единой технологии
Примеры обозначения некоторы* транзисторов:
П213А — гермаииевый мощный низкочастотный, номер разработки 13, группа А П702А — кремниевый мощный высокочастотный, номер разработки 02, группа А
Классификация транзисторов по функциональному назначению.
Классификация биполяриыт т)ряизист<ррон по частоте
низкочастотные(Г < 30МГц),
высокочастотные (30 МГц < 1;, к 300 МГц),
снерхвысокочастотные (Тр ь 300 МГц)
Бнполярные транзисторы в соогветсгнии с основными областями применения
подразделяются на следующие группы
усилительные (сверхчастотные, высоковольтные, высокочастотные линейные),
генераторные (высокочастотные, сверхвысокочастотные. сверхвысокочастотные с
согласующими цепями),
переключательные высоковольтные,
и импульсные высоковольтные
Каждая из этих групп харакгеризуется специфической системой параметров и
справочных зависимостей, отражающих особенности применения транзисторов в
радиоэлектронной аппаратуре.
Распознанный текст из изображения:
10.2. Условные графические обозначения
В технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначения попупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.7
Условные графические обозначения транзисторов
Транзистор типа р-п-р
Транзистор типа и-р-и с коллектором,
электрически соединенным с корпусом
~Т 1Т
Однопереходный транзистор с и- и
р-базой
Полевой транзистор с затвором на основе р-и перехода с каналом и- и р- типа
Полевой транзистор с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с рканалом и обедненного типа с п-каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с п-каналом и внутренним соединением подложки и истока
Полевой транзистор с двумя изолированными затворами обедненного типа с п-каналом и внутренним соединением подложки и истока
Т1Т
т ~ГТ
Г~Т
Распознанный текст из изображения:
10.1.Классификации биполярных к полевьщ транзисторов
Классификация транзисторов по
1. их назначению,
2 физическим свойствам,
3 основным электрическим параметрам,
4 конструктивно-технологическим признакам,
5 роду полупроводникового материала находит свое отражение в системе
условных обозначений их типов
Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым
стандартом ОСТ 11336 9!9 — 8! и базируется на ряде классификационных признаков, в
основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе
которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного материала используются
следующие символы.
Г или 1 — для германия илн его соединения,
К или 2 — для кремния или его соединения,
А или 3 — для соединений галлия (практически для арсенида галлия, используемого
для создания полевых транзисторов),
И или 4 - для соединений индия (эти соединения лля производства транзисторов в
качестве исходного материала пока не применяются)
Второй элемент обозначения — буква, определяющая класс (или группу)
транзисторов Для обозначения подклассов используется одна из двух букв
Т вЂ” для биполярных,
П вЂ” для полевых транзисторов.
Третий элемент - цифра, определяющая основные функциональные возможности
транзистора (Допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо
максимальную рабочую частоту)
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов
применяются следующие цифры.
Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая
транзистором, не более 0,3 Вт)
1 — с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей
частотой (далее граничной частотой) не более 3 МГц,
2 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц,
3 — с граничной частотой более 30 МГц
Для транзисторов средней мощности (максимальная мощность, рассеиваемая
транзистором, более 0,3, но не более 1 5 Вт)
4 — с граничной частотой не более 3 МГц,
б — с <раничной частотой Гюлее 3, но не более 30 МГц,
6 — с граничной частотой более 30 МГц
Для транзисторов большей мощности (макснмальная мощность, рассеиваемая
транзистором, более 1,5 Вт)
7 — с граничной частотой не более 3 МГц,
 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц,
9 — с грацичной частотой более 30 МГц
Начать зарабатывать