Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету ЭлектроникаИсследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов, моделирование стенда измеренияИсследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов, моделирование стенда измерения
5,0051
2021-04-012025-09-20СтудИзба
Лабораторная работа 4: Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов, моделирование стенда измерения вариант 82
-82%
Описание
«ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ, МОДЕЛИРОВАНИЕ СТЕНДА ИЗМЕРЕНИЯ»
Вариант № 82
Расчетная модель:
.MODEL D237B_N D (BV=500 CJO=14.4841P IS=36.5916P M=377.131M N=1.00815 RL=1.00023K RS=90.641m TT=5U VJ=703.452M EG=1.11)
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Получение и исследование статических и динамических характеристик германиевого и кремниевого полупроводниковых диодов с целью определение по ним параметров модели полупроводниковых диодов, размещения моделей в базе данных программ схемотехнического анализа. Приобретение навыков в использовании базовых возможностей программ схемотехнического анализа для исследования статических и динамических характеристик полупроводниковых диодов с последующим расчѐтом параметров модели полупроводникового диода. Приобретение навыков в экспериментальном исследовании полупроводниковых приборов. Освоение математических программ для расчѐта параметров модели полупроводниковых приборов на основе данных экспериментальных исследований.
![]()
![]()
![]()
![]()
Вариант № 82
Расчетная модель:
.MODEL D237B_N D (BV=500 CJO=14.4841P IS=36.5916P M=377.131M N=1.00815 RL=1.00023K RS=90.641m TT=5U VJ=703.452M EG=1.11)
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Получение и исследование статических и динамических характеристик германиевого и кремниевого полупроводниковых диодов с целью определение по ним параметров модели полупроводниковых диодов, размещения моделей в базе данных программ схемотехнического анализа. Приобретение навыков в использовании базовых возможностей программ схемотехнического анализа для исследования статических и динамических характеристик полупроводниковых диодов с последующим расчѐтом параметров модели полупроводникового диода. Приобретение навыков в экспериментальном исследовании полупроводниковых приборов. Освоение математических программ для расчѐта параметров модели полупроводниковых приборов на основе данных экспериментальных исследований.
Характеристики лабораторной работы
Предмет
Учебное заведение
МГТУ им. Н.Э.БауманаНомер задания
Вариант
Просмотров
96
Размер
592,57 Kb
Список файлов
Лабораторная работа № 4 вариант 82.pdf
![Картинка-подпись](https://s.studizba.com/z.php?f=/uploads/fotos/podpt_77101_43091.jpg&w=1632&h=400&t=1")
Друзья, спасибо за доверие! Если вам понравилась работа – поставьте 5⭐ и напишите отзыв. Это поможет другим студентам, а мне даст силы делать ещё больше качественных материалов для вас 🔥
anhyeuem
01 апреля 2021 в 21:51
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
