ДЗ 1: Исследование ВАХ полупроводникового диода и частотный анализ резонансного контура (Диод Д816В) вариант 14
Описание
Модель исследуемого диода | Д816В (D816V) |
Добротность | Q=15 |
Частота резонанса при нулевом смещении | fрез = 1МГц |
Uпр min , В | 29.5 |
Uпр max , В | 36 |
Iст , мА | 150 |
αUст , %/°С | 0.12 |
δUст , % | 5 |
Uпр , В (при Iст , мА) | 1.5 (500) |
rст , Ом (при Iст , мА) | 10 (150) |
Iст min , мА | 10 |
Iст max , мА | 150 |
Pст , Вт | 5 |
T, °C | -60 … +130 |
Задание 1. Построить прямую и обратную ветви вольтамперной характеристики диода (модель выбирается согласно варианту, см. приложенный к заданию файл). Оценить влияние допустимого рабочего диапазона температур на характеристики диода.
Задание 2. Проанализировать зависимость собственной емкости диода от напряжения смещения (рекомендуется использовать параллельный резонансный контур, при этом добротность и частоту резонанса при нулевом смещении выбрать согласно варианту).
МГТУ им. Н.Э.Баумана
meoww
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
