Курсовая работа: Блок управления модулятором твердотельного лазера (на базе биполярных транзисторов).
Описание
Целью данного проекта является:
- 1) Разработка радиоэлектронного устройства формирования и преобразования электрических сигналов, используемых в лазерных и оптических технологиях, по индивидуальному техническому заданию.
tз - время задержки фронта первого импульса относительно фронта импульса "Пуск", а его длительность не определена.
tр - длительность пачки импульса от фронта первого импульса до спада завершающего (время работы).
T - период следования импульсов, который равен:
, где - частота следования импульсов.
Параметры импульса:
Um - максимальная амплитуда импульса;
tи - длительность импульса, измеренная по уровню ;
tф - длительность фронта импульса, по уровню ;
tс - длительность спада импульса, по уровню ;
- 2) Расчет элементов схем.
- 3) Моделирование устройства средствами САПР.
- 4) Оформление расчетно-пояснительной записки.
- 5) Освоение навыков оформления электрических схем с соблюдением требований ГОСТ.
- 6) Выполнение графической части проекта объемом не менее 3-х листов форматов А1
В ходе работы все перечисленные цели были выполнены и в целом, удовлетворяют требованиям технического задания. Расчетная часть курсового проекта представлена в расчетно-пояснительной записке, графическая часть представлена в чертежах А1 и А2, экспериментальная часть была выполнена в ходе работы в программе Micro-Cap12.
1. Техническое задание
Выбрать и обосновать блок схему устройства блока управления. Разработать и рассчитать элементы принципиальной схемы в соответствии с заданием. Выполнить моделирование или макетирование блока.
- · Время задержки запуска первого импульса управления, tз = 112 мкс;
- · Количество импульсов в серии, n = 11 шт;
- · Длительность импульса управления, tи = 2,8 мкс;
- · Длительность переднего фронта импульса, не более tф - 0,3 мкс;
- · Длительность заднего фронта импульса, не более tс - 0,4 мкс;
- · Амплитуда импульса управления на нагрузке, Um = 19 В;
- · Частота следования импульсов управления, ν= 71,4 кГц;
- · Сопротивление нагрузки, Rн = 10,0 кОм;
- · Емкость нагрузки, Cн = 75 пФ.
МГТУ им. Н.Э.Баумана
makar_von_z

















