Курсовая работа: Исследования электронных свойств одномерных проводников с использованием современных методов электронной литографии

Оглавление
Введение
1 Литературный обзор
1.1 Дислокации в кремнии
1.2 Исследования проводимости вдоль дислокаций, введённых методом пластической деформации
1.3 Регулярные дислокационные сетки.
1.4 Исследования проводимости вдоль регулярных ДС
1.5 Полевые транзисторы
1.6 Полевые транзисторы с ДС в канале
1.7 Результаты исследования электронных состояний ДС методом DLTS.
1.8 Результаты измерений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик
2. Цели и задачи исследования
3. Изготовление образцов
3.1 Проекты транзисторных структур
3.2 Принципиальная схема для измерения проводимости транзисторов
3.3 Электронно-лучевая литография.
3.4 Создание транзисторной структуры с помощью электронно-лучевой литографии
4. Экспериментальные результаты
4.1 Измерение проводимости 2х-контактной модели транзистора
4.2 Измерение проводимости 3х-контактной модели транзистора
Выводы
Список литературы
Благодарности

Введение

Интерес к исследованию дислокаций в полупроводниках с прикладной точки зрения обусловлен их активностью как центров рекомбинации электронов и дырок, наличием проводимости по дислокациям, и способностью дислокаций собирать на себя точечные дефекты и примеси, что делает их важными геттерами. Фундаментальный же интерес к дислокациям связан с тем, что эти протяженные дефекты могут рассматриваться как естественные одномерные электронные системы. Таким образом, они являются интересным объектом физики низкоразмерных систем.
Разработка новой методики прямого сращивания кремниевых пластин, позволяющей создавать регулярные дислокационные сетки (ДС) с заранее заданными характеристиками, открыла новый этап в исследовании электрофизических свойств дислокаций в кремнии [1]. Предыдущие исследования подтвердили, что ДС в кремнии действительно обладают повышенной проводимостью, однако точный механизм и электронные состояния, за нее ответственные, так и не были установлены [2].
Цель проводимых исследований заключается в установлении корреляции между электронным спектром ДС и проводимостью, а также в получении новых данных о характере одномерной дислокационной проводимости и о вызывающем ее механизме. Поскольку поставленная цель предполагает проведение исследований в течение длительного срока времени, в данной бакалаврской работе будут представлены