05 (989564), страница 3
Текст из файла (страница 3)
Изменения температуры рабочей области прибора в процессе записи высокоомного и низкоомного состояния выглядят следующим образом:
Таким образом, вместо кристаллизации и плавления «канала» , которые имели место в переключателях на ХСП, в данных приборах фазовые переходы происходят во всем «рабочем объёме », что существенно повышает надежность функционирования приборов.
Зависимость сопротивления элемента от величины тока записи (программирования) выглядит следующим образом (раздаточный материал, рис. 2-12):
Проблемы и пути их решения.
Перспективы
1. ИС OUM – памяти достаточно легко реализуются по тонкопленочной технологии: переключающий элемент плюс тонкопленочный МДП-транзистор на a – Si:H. В связи с этим на одной подложке в несколько слоев можно разместить несколько интегральных схем. Подобная технология, названная 3D – OUM, сейчас разрабатывается фирмой Ovonyx. Это означает, что на 1 см2 можно будет разместить не 64 Мбита, а 128, 192 и т. д. Мбит памяти.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
