08 (989559), страница 2
Текст из файла (страница 2)
ловушек и не зависит от концентрации
носителей заряда. Это, так называемый случай мономолекулярной рекомбинации. В данном случае время жизни носителей заряда слабо зависит от температуры и температурная зависимость фотопроводимости определяется температурной
lgNзависимостью дрейфовой подвижности
(рис. 1).
Однако, в некоторых некристаллических полупроводниках, в частности в ХСП, при высоких концентрациях носителей заряда возможна их рекомбинация по механизму зона – зона (рисунок). Рекомбинация бимолекулярного типа. Этим и объясняется участок II на рис. 2. При σт>σф концентрация термически активированных носителей заряда становится велика. Это приводит к рекомбинации бимолекулярного типа и уменьшению времени жизни фотогенерированных носителей заряда.