1.4.3.3.1 Токовое зеркало (988465)
Текст из файла
Токовое зеркало
Рис. 1 Схема простого токового зеркала на биполярных транзисторах
Запишем значение управляющего тока:
Найдем значение выходного тока в зависимости от тока управления. Т.к. в микроэлектронном исполнении транзисторы практически одинаковы и для схемы простого токового зеркала
, следовательно
. А управляющий ток определяется как
. С учетом двух последних выражений можно записать:
Ф. 1
при =100 отношение
, т.е. разбаланс составляет 2%.
при достаточном большом
. Благодаря последнему свойству эта схема источника тока и получила свое название - «токовое зеркало».
Предыдущий анализ транзисторной пары токового зеркала был проведён в предположении полной идентичности обоих транзисторов. Рассмотрим, что происходит в реальной ситуации, когда это предположение не выполняется. Например, даже у 2-х ИС - транзисторов идентичной конструкции, которые расположены в непосредственной близости друг к другу на одном кристалле ИС, существуют небольшие различия в электрических характеристиках. Наиболее важное различие между двумя идентичными транзисторами состоят в ширине базы W.
Это различие в ширине базы проявляется в различных коэффициентах усиления по току и становится причиной появления напряжения смещения Uсм.
Для схемы ТЗ различия в усилении по току не играют большой роли вследствие малости базового тока в то время как влияние Uсм может оказаться существенным.
Разброс параметров транзисторов обусловлен различной шириной базы и выражается в различных значениях IК1, IК2 при фиксированном UБЭ. Напряжение смещения определяется для пары транзисторов как разница базоэмиттерных напряжений при одинаковых токах коллектора:
Ток коллектора связан с базо-эмиттерным напряжением основным соотношением для биполярного транзистора - уравнением Эберса-Молла:
Запишем выражения для токов коллектора VT1 и VT2 через уравнение Эберса-Молла:
Найдем отношение токов коллектора:
Типичное значение напряжения смещения 1-3 мВ. При напряжении смещения 1мВ разбаланс токов коллектора для пары транзисторов составляет:
Ф. 2
Выходная проводимость определяется как наклон выходной характеристики биполярного транзистора включенного по схеме с ОЭ:
Найдем относительное изменение выходного тока по формуле:
Ф. 3
Коэффициент влияния источника питания определяется следующим образом:
Ф. 4
то производная от выходного тока по напряжению питания будет иметь вид:
а значение коэффициента влияния источника питания КВИП можно определить по формуле:
Таким образом при увеличении UПИТ прямо пропорционально увеличивается IВЫХ
Характеристики
Тип файла документ
Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.
Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.
Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.














