Шпаргалка_М (943762), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Изотропные стали применяют, как указывалось выше, в электромашиностроении. В трансформаторостроении выгодно применять текстурированную сталь. Например, замена в мощных трансформаторах изотропной горячекатаной стали на текстурированную позволяет снизить потери энергии на 30%, массу до 10%, расход стали на 20%.
добротность катушки индуктивности: Q= ωL/Rп
Во-первых, провода обмотки обладают омическим сопротивлением
ro = ρℓ/S = ρ4ℓ/πd2
Во-вторых, сопротивление провода обмотки переменному току возрастает с ростом частоты, что обусловлено поверхностным эффектом,
В-третьих, в проводах обмотки, свитой в спираль, проявляется эффект близости,
Практически значение добротности лежит в пределах от 30 до 200. Повышение добротности достигается оптимальным выбором
диаметра провода,
увеличением размеров катушки индуктивности и
применением сердечников с высокой магнитной проницаемостью
и малыми потерями
Следовательно, плотность тока равна
j=q(n1μ1 + n2μ2)E
Умножив и разделив правую часть на no получим
j= qn0μCP
Здесь μCP = ( n1μ1 + n2μ2 )/no — усредненная по двум долинам подвижность.
Учитывая, что дрейфовая скорость электронов равна vдр = μСРЕ, получим
J = qno vдр
То есть плотность дрейфового тока пропорциональна скорости дрейфа vдр.
В кристалле арсенида галлия имеются неоднородности, обусловленные неравномерностью распределения легирующей примеси и дефектами кристаллической структуры, в результате чего в нем возникают локальные напряженности поля, превышающие среднюю напряженность. Как правило, эти неоднородности существуют вблизи торцов кристалла, на которые напылены внешние металлические электроды катода и анода (рис. 9.14, а). Основную роль играют неоднородности у катодного вывода. Пусть в момент включения внешнего напряжения в кристалле возникает электрическое поле со средней напряженностью поля Eo, которая несколько меньше пороговой напряженности En. Из-за наличия неоднородностей напряженность поля в околокатодной области оказывается выше пороговой (рис. 9.14, б). Вследствие этого левее сечения х появляются «тяжелые» электроны, движущиеся со скоростью v1 а правее х находятся «легкие» электроны, движущиеся со скоростью v2. По мере продвижения «тяжелых» и «легких» электронов к аноду формируется зарядовый пакет, называемый доменом. Он состоит из двух слоев (рис. 9.14, в): слой со стороны катода из-за избытка «тяжелых» электронов имеет отрицательный заряд, слой со стороны анода из-за недостатка «легких» электронов имеет положительный заряд. Наличие этих зарядов ведет к образованию электрического поля домена, направленного в ту же сторону, что и внешнее поле (рис. 9.14, г). По мере формирования домена поле в нем растет, а за пределами домена—уменьшается. Поэтому скорость движения «тяжелых» электронов внутри домена возрастает, а скорость движения «легких» электронов за пределами домена уменьшается. В некоторый момент времени tl скорости движения «легких» и «тяжелых» электронов становятся одинаковыми, и формирование домена завершается. Сформированный домен продолжает двигаться к аноду со скоростью vдр = μ1 E1
= μ2 E2. Достигнув анода, домен рассасывается, в структуре устанавливается исходное распределение напряженности поля (рис. 9.14, б) и начинается формирование нового домена.
.