ref-17001 (721922), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

Синфазный сигнал и CMRR.

Таким образом, суммарное падение напряжения на резисторе

R₁*(B+1) создают лишь синфазные составляющие I_b2c, I_b1c базовых токов плеч ДК, причем

I_b2c= I_b1c= I_bc. (33)

Модель рис 4б подвергнем бисекции применительно к синфазному сигналу. Для этого заменим левую половину входной цепи током I_b2c= I_bc левого контура, создающим вместе с током I_b1c= I_bc на общем резисторе (в точке е) такое же напряжение 2*I_bc*R₁*(B+1), какое было до бисекции модели. Получившаяся модель (рис 5а) описывает лишь проходжение синфазного сигнала.

Р
ис. 5 Бисекция модели рис. 4 для синфазного сигнала: а) одинаковые синфазные компоненты контурных токов I_b2 и I_b1 суммируются на общем резисторе плеч ДК; б) одноконтурная входная цепь – результат бисекции; в) выходная цепь ДК для синфазного сигнала

Бисекция позволяет заменить сумму синфазных токов удвоением величины сопротивления резистора общей цепи (рис 5б). Выходная цепь для синфазного сигнала (рис 5 в) сощдает на выходе ДК синфазные составляющие тока I_выхc и напряжения U_выхс.

На основании рис 5 найдем усиление синфазного сигнала

К_с = U_выхс/ U_1с= R_L*I_0c/ I_bc*(B+1)*( R_e+ 2* R₁) = R_L*B*I_bc/ I_bc*[ R_вх+ 2* R₁*(B+1)]. (34)

Если В>>1, R_вх  В * R_вх, то:

К_с = R_L/2* R₁ + R_е. (35)

На основании формулы (27)

CMRR = К_d/К_с= R_L*( R_e+ 2*R₁)/ R_e*R_L= 2*R₁/ R_e+1. (36)

Таким образом, поскольку CMRR >>1, имеем:

CMRR 2*R₁/ R_e. (37)

Из (37) видно, что для увеличения CMRR надо увеличивать R₁, т.е. заменить R₁эталоном тока.

C повышением рабочей частоты падает CMRR вследствие влияния емкости, шунтирующей R₁ или заменяющий этот резистор эталоном тока.

Бисекция для расчета режима ДК по постоянному току.

Для расчета режима ДК по постоянному току заменим правый БТ (рис 4а) током его эмиттера. Двойной ток I_е учтем путем удвоения номинала резистора R₁ (рис 6).

Р
ис. 6 Бисекция для расчета режима ДК по постоянному току

Для микрокороткого режима R_t = R_e, поэтому

I_e = -E₁ – U^*/ 2*R₁ + R_e. (38)

Имеем также:

I_b = I_k /; I_k = I_e + I_b.

Синфазное входное сопротивление ДК.

Из рис. 2б и формулы (32) мы видели, что

R_вхn = 2*(B+1)* R_e, откуда

R_e= R_вхn/2*(В+1). (39)

В то же время из (37) следует, что

R₁= R_е*CMRR/2. (40)

Подставив в (39) выражение (40), получим:

R_вхс = U_1с/ I_bс = 2*R₁*(В+1) + R_вх 2*R₁*(В+1). (41)

Подставив (40) в (41), получим:

R_вхс  R_вхn*CMRR/2. (42)

Р
ис. 7 Модель входной цепи ДК

Исходя из выражения (42), мы можем построить модель входной цепи ДК (рис 7).

Мы видим, что R_вхс >>R_вхn. Поэтому R_вхс пренебрегают всегда.

Использованная литература:

• Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника : Учебное пособие / К.С. Петров. – СПб.: Питер, 2003.-512 с.: ил.

• Основы микросхемотехники. – 3-е изд., перераб. и доп.

/ А.Г. Алексенко. – М.: Юнимедистайл, 2002. – 448 с.:

ил.

Характеристики

Список файлов реферата