124448 (717363), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Толстые окисные пленки получают, как правило, во влажной атмосфере при повышенном давлении. По своим свойствам они более пористые, имеют меньшие значения напряженности пробоя. Такие пленки используются в биполярной технологии для создания окисной изоляции и в МОП технологии - для выращивания толстых изолирующих слоев. Верхний предел по толщине для термического окисления составляет 1-2 мкм. Пленку такой толщины получают при давлении 2*106 Па при окислении в парах воды и температуре 900 ºС в течение 1 - 2 часов.
5. Свойства пленок SiO2
Основными контролируемыми параметрами пленок являются: коэффициент преломления, химический состав пленки, пористость, плотность, скорость травления, напряженность поля пробоя. Значения некоторых типичных характеристик термических пленок SiO2 приведены в таблице 2.
Таблица 2
| Параметр | Значение параметра |
| Плотность, г/см3 | 2.2 |
| Показатель преломления | 1.46 |
| Диэлектрическая постоянная | 3.82 |
| Ширина запрещенной зоны, эВ | 8.9 |
| Удельное сопротивление постоянному току при T = 25 ºС, Ом*см | 1014-1016 |
| Скорость травления в буферном растворе HF, нм/мин | 100 |
| Линия ИК поглощения, мкм | 9.3 |
| Коэффициент теплового расширения, С-1 | 5*10-7 |
| Механические напряжения в окисле, дин/см2 | 3*109 |
Список литературы
1. Маслов А.А., Технология и конструкции полупроводниковых приборов, М.: Энергия, 1970. – 296 с.: ил.
2. Курносов А.И., Юдин В.В., Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – 5-е изд., перераб. и доп. М.: Наука, - 1986.
3. Технология СБИС: в 2-х книгах, пер с англ., под ред. Зи С. - М.: Мир, 1986. – 404 с.: ил.
4. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные деффекты в полупроводниках. – Л.: Наука, 1972. – 384 с.: ил.
5. Готра З.Ю Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991. – 528 с.: ил.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
