28593-1 (707634), страница 2
Текст из файла (страница 2)
I | |||||||
1 I2 | |||||||
1 | |||||||
100 | |||||||
7 | |||||||
50 | |||||||
2 I1 | |||||||
0 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 U | 60 | UобрВ |
U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К
О пределение сопротивления базы.
Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):
I | |||||||
5 I2 | |||||||
400 | |||||||
3 | |||||||
2 I1 | |||||||
1 | |||||||
0 | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1,0 | 1,2 | Uпр,В |
Тепловой потенциал:
По вольтамперной характеристике определяем:
U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В,
I1 = 200 мА, I2 = 500 мА
Малосигнальная высокочастотная схема диода
и величины её элементов.
Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении:
Величины элементов схемы при Uобр = 5 В :
Библиографический список.
-
“Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..
-
Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.
-
Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г..
-
“ Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов” методические указания к лабораторной работе по курсу “ Электронные приборы”; Свердловск, 1989г..