63256 (573374), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

– предельная температура припоя – ;

– предельное время нахождения выводов в расплавленном припое – с;

– минимальное расстояние от «тела» корпуса до границы припоя по длине вывода – мм;

– предельно допустимое число погружений одних и тех же выводов в припой – .

Необходимо тщательно следить за тем, чтобы не образовывались перемычки между выводами, поверхность припоя должна быть сплошной, без трещин, пор, необлуженных участков. Паяная поверхность должна быть светлой или светло-матовой без темных пятен и посторонних включений. Плата готова к монтажу.

Монтаж осуществляется вручную. Температура жала паяльника не должна превышать . У электрорадиоэлементов, устанавливаемых на печатную плату, выводы диаметром более мм не подгибать. Выводы диаметром менее мм следует подгибать и обрезать. Время пайки выводов микросхемы не должно превышать двух секунд во избежание перегрева и выхода из строя кристалла микросхемы. Незадейственные контакты необходимо запаивать для увеличения жесткости.

Подготовку, установку (в том числе на клей), пайку интегральных микросхем, микросборок и других электрорадиоэлементов на печатную плату, а также влагозащиту их в составе печатных узлов необходимо производить с учетом требований технических условий на электрорадиоэлементы, ОСТ , ОСТ , ОСТ , ОСТ .

Для увеличения ремонтопригодности, интегральные микросхемы устанавливают в разъемные соединители. Электрический соединитель крепят и распаивают на печатной плате.

Пайку элементов проводят в следующей последовательности: резисторы, конденсаторы, транзисторы, стабилитрон, микросхемы.

1. МАКЕТИРОВАНИЕ И НАЛАДКА

Прибор монтируется на односторонней плате размерами . Выбор размеров платы был обусловлен использованием прибора, в качестве замены устаревшего блока термокомпенсации, в установке для «Исследования C – V характеристик МДП – структур квазистатическим методом».

Наладка термостабилизированного логарифмического усилителя проводится в несколько этапов:

1. Установка температуры корпуса микросхемы DD1 на уровне превышающим температуру окружающей среды в жаркое время года, около .

Для этого вместо резисторов R16, R17 включают переменный резистор. В разрыв цепи эмиттера транзистора VT4 включают миллиамперметр. Вращая ручку переменного резистора добиваются нулевых показаний миллиамперметра. Далее каким – либо прибором для измерения температуры контролируем температуру корпуса микросхемы DD1. Также включаем переменный резистор вместо резистора R11 и вращая ручку добиваемся показания термометра равным . Измеряем сопротивления плеч переменных резистором и заменяем соответствующие резисторы резисторами уточненного номинала.

При выбранной температуре кристалла (что соответствует мВ) и температуре среды точность поддержания температуры не хуже . На рис.2 показана передаточная функция логарифмического усилителя при различных температурах окружающей среды.

Рис.2 Передаточная функция логарифмического усилителя при различных температурах окружающей сpеды: 1 – T_ср= , без стабилизации; 2 – Т_ср= , без стабилизации; 3 – Т_ср= со стабилизацией.

При изменении температуры среды от наклон функции не меняется, происходит только увеличение выходного напряжения логарифмического усилителя на В, что видимо вызвано градиентом температурного поля в кристалле. Влияние утечек в кристалле со схемы терморегуляции на схему логарифмического усилителя в диапазоне напряжений до мВ не наблюдалось.

1. Установка нуля на выходах операционных усилителей DA1, DA2 при отсутствии сигнала на входе.

Этого добиваются регулировкой переменного резистора R6 для операционного усилителя DA1, и переменного резистора R10 для операционного усилителя DA2.

1. Установка нуля на выходе термостабилизированного логарифмического усилителя при отсутствии сигнала на входе.

Это достигается регулировкой положения движка подстроечного резистора R3.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе был описан логарифмический усилитель с температурной стабилизацией, а также рассмотрены общие характеристики логарифмических усилителей, исследована возможность построения термостабилизированного логарифмического усилителя с помощью интегральных транзисторных сборок К198НТ5Б.

В ходе работы над курсовым была разработана электрическая схема. Также была разработана печатная платы для данного устройства.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Воробьев Н.И., Проектирование электронных устройств. – М.: Высшая школа, 1989.- 223с.

2. Справочник по интегральным микросхемам. Под редакцией Тарабрина Б.В. – М.: Энергия, 1980.- 488с.

3. Горошков Б.И., Элементы радиоэлектронных устройств. – М.: Радио и связь, 1988.- 176с.

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1

Приложение 2

Приложение 3

Приложение 4

Характеристики

Список файлов ответов (шпаргалок)