63230 (573369), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Вариант «5». Логический элемент на КМДП-транзисторах, реализующий функцию «ИЛИ-НЕ».
Микросхемы на КМДП-транзисторах строятся на основе МОП транзисторов с n- и p-каналами. На рис.5.1 представлена схема элементарного инвертора, выполненного на базе такого КМДП-транзистора.
Один и тот же управляющий потенциал открывает транзистор с n-каналом и закрывает транзистор с p-каналом.
При формировании логической единицы открыт верхний транзистор, а нижний закрыт. В результате ток через микросхему не протекает. При формировании логического нуля открыт нижний транзистор, а верхний закрыт. Нои в этом случае ток через микросхему не протекает.
Принципиальная схема элемента "2ИЛИ-НЕ", выполненного на комплементарных МОП транзисторах.
Логический элемент "ИЛИ-НЕ", выполненный на КМОП транзисторах, представляет собой параллельное соединение ключей с электронным управлением. При этом нагрузка подключается не к общему проводу схемы, а к источнику питания. Вместо резистора в качестве нагрузки используются p-МОП транзисторы.
В схеме логического элемента "2ИЛИ-НЕ" в качестве нагрузки используются последовательно включенные p-МОП транзисторы. В ней ток от источника питания на выход микросхемы будет поступать только если все транзистора в верхнем плече будут открыты, т.е. если сразу на всех входах будет присутствовать низкий потенциал. Если же хотя бы на одном из входов будет присутствовать уровень логической единицы, то верхнее плечо будет закрыто и ток от источника питания поступать на выход микросхемы не будет.
Таблица истинности, реализуемая этой схемой, приведена в таблице 2, а условно-графическое обозначение этих элементов приведено на рисунке 5.3.
В настоящее время именно КМДП микросхемы получили наибольшее развитие. Причём наблюдается постоянная тенденция к снижению их напряжения питания. Первые серии микросхем такие как К1561 (иностранный аналог C4000В) обладали достаточно широким диапазоном изменения напряжения питания (3..18В). При этом при понижении напряжения питания у конкретной микросхемы понижается её предельная частота работы. В дальнейшем, по мере совершенствования технологии производства, появились улучшенные микросхемы с лучшими частотными свойствами и меньшим напряжением питания.
Одной из важнейших особенностей КМДП микросхем является их большое входное сопротивление. В результате на изолированных входах такой цифровой микросхемы может наводиться и храниться достаточно высокий потенциал, что может привести к ложным срабатываниям микросхем и выходу их из строя. Поэтому, входы КМДП микросхем ни в коем случае нельзя оставлять неподключенными!
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
