p1388-1394 (555682), страница 3
Текст из файла (страница 3)
[8] H. Matsuoka, S. Kimura. Appl. Phys. Lett., 66, 613 (1995).
[9] E.Leobandung,L.Guo,Y.Wang,S.Y.Chou.Appl.Phys.Lett., 67, 938 (1995)
[10] K. Tsukagoshi, K. Nakazato. Appl. Phys. Lett., 71, 3138
(1997).
[11] L.P. Kouwenhoven, A.T. Johnson, N.C. van der Vaart, A. van der Enden, C.J.P.M. Harmans, C.T. Foxon. Z. Phys. B, 85, 381
(1991).
[12] L.J. Geerligs, V.F. Anderegg, P.A.M. Holweg, J.E. Mooij, H. Pothier, D. Esteve, C. Urbina, M.H. Devoret. Phys. Rev. Lett., 64, 2691 (1990).
[13] K. Nakazato, R.J. Blaikie, H. Ahmed. J. Appl. Phys., 75, 5123
(1994).
[14] N. Miura, N. Yoshikawa, M. Sugahara. Appl. Phys. Lett., 67,
3969 (1995).
[15] И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Изв. Белорус. инж. академии,
№ 2 (6)/2, 4 (1998). [16] G. Zimmerli, R.L. Kautz, J.M. Martinis. Appl. Phys. Lett., 61,
2616 (1992).
[17] T.A. Fulton, G.J. Dolan. Phys. Rev. Lett., 59, 109 (1987). [18] K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B.J. Vartanian,
J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 68,34(1996).
[19] E. Bar-Sadeh, Y. Goldstein, C. Zhang, H. Deng, B. Abeles,
O. Millo. Phys. Rev. B, 50, 8961 (1994). [20] T.Sato,H.Ahmed,D.Brown,B.F.G.Johnson.J.Appl.Phys., 82, 696 (1997).
[21] U. Meirav, M.A. Kastner, S.J. Wind. Phys. Rev. Lett., 65, 771
(1990).
[22] Y. Wang, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 63, 2257 (1993). [23] H. Pothier, J. Weis, R.J. Haug, K. v. Klitzing. Appl. Phys. Lett.,
62, 3174 (1993). [24] T.Fujisawa,S.Tarucha.Appl.Phys.Lett.,68, 526 (1996). [25] A. Ohata, A. Toriumi, K. Uchida. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1686
(1997).
[26] A. Dutta, M. Kimura, Y. Honda, M. Otobe, A. Itoh, S. Oda.
Jpn. J. Appl. Phys., 36, 4038 (1997). [27] L. Guo, E. Leobandung, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 70, 850
(1997).
[28] D.J. Paul, J.R.A. Cleaver, H. Ahmed, T.E. Whall. Appl. Phys. Lett., 63, 631 (1993).
[29] Е.С. Солдатов, В.В. Ханин, А.С. Трифонов, С.П. Губин, В.В. Колесов, Д.Е. Преснов, С.А. Яковенко, Г.Б. Хомутов. Письма ЖЭТФ, 64,вып. 7,510 (1996).
[30] M. Gotz, K. Bluthner, W. Krech, A. Nowack, H.-J. Fuchs, E.-B. Kley, P. Thieme, Th. Wagner, G. Eska, K. Hecker,
H. Hegger. J. Appl. Phys., 78, 5499 (1995).
[31] S. Altmeyer, B. Spangenberg, H. Kurz. Appl. Phys. Lett., 67,
569 (1995).
[32] Y.Nakamura,D.L.Klein,J.S.Tsai.Appl.Phys.Lett.,68, 275 (1996).
[ 33] H. Matsuoka, T. Ichiguchi, T. Yoshimura, E. Takeda. Appl.
Phys. Lett., 64, 586 (1994). [34] R.A. Smith, H. Ahmed. J. Appl. Phys., 81, 2699 (1997). [35] D. Ali, H. Ahmed. Appl. Phys. Lett., 64, 2119 (1994).
[ 36] K. Jinushi, H.Okada, T. Hashizume, H. Hasegawa. Jpn. J. Appl.
Phys., 35, 1132 (1996).
[ 37] Y. Nagamune, H. Sakaki, L.P. Kouwenhoven, L.C. Mur, C.J.P.M. Harmans, J. Motohisa, H. Noge. Appl. Phys. Lett.,
64, 2379 (1994). [38] K. Nakazato, T.J. Thornton, J. White, H. Ahmed. Appl. Phys. Lett., 61, 3145 (1992).
[ 39] T. Fujisawa, Y. Hirayama, S. Tarucha. Appl. Phys. Lett., 64,
2250 (1994).
[40] K.-H. Park, J.S. Ha, W.S. Yun, M. Shin, K.-W. Park, E.-H. Lee. Appl. Phys. Lett., 71, 1469 (1997).
[41] E. Leobandung, L. Guo, S.Y. Chou. Appl. Phys. Lett., 67, 2338
(1995).
[ 42] A.Nakajima,T.Futatsugi,K.Kosemura,T.Fukano,N.Yo-
koyama. Appl. Phys. Lett., 70, 1742 (1997).
[ 43] C.H. Crouch, C. Livermore, R.M. Westervelt, K.L. Campman,
A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 71, 817 (1997). [44] R.H. Blick, R.J. Haug, J. Weis, D. Pfannkuche, K. v. Klitzing, K. Eberl. Phys. Rev. B, 53, 7899 (1996).
[ 45] Special Issue. Scanning Tunneling Microscopy,ed.by S. Hosok et al. Jpn. J. Appl. Phys., 36,Part 1, No 6B (1997). [ 46] U. Meirav, E.B. Foxman. Semicond. Sci. Technol., 10, 255
(1995).
[47] D.V. Averin, A.N. Korotkov, K.K. Likharev. Phys. Rev. B, 44, 6199 (1991).
[ 48] T. Hiramoto, H. Ishikuro, T. Fujii, G. Hashiguchi, T. Ikoma.
Jpn. J. Appl. Phys., 36, 4139 (1997).
[ 49] K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai,
K.Seki.Appl.Phys.Lett.,67, 828 (1995). [50] T.J. Thornton. Rep. Progr. Phys., 57, 311 (1994).
[51] A. Yacoby, M. Heiblum, D. Mahalu, H. Shtrikman. Phys. Rev.
Lett., 74, 4047 (1995). [52] E. Buks, R. Schuster, M. Heiblum, D. Mahalu, V. Umansky, H. Shtrikman. Phys. Rev. Lett., 77, 4664 (1996).
[ 53] A. Fujwara, Y. Takahashi, K. Murase, M. Tabe. Appl. Phys.
Lett., 67, 2957 (1995).
[54] F. Hofman, T. Heinzel, D.A. Wharam, J.P. Kotthaus, G. Bohm, W. Klein, G. Trankle, G. Weimann. Phys. Rev. B, 51, 13 872
(1995).
Редактор Т.А. Полянская
Classification of single-electron devices
I.I. Abramov, E.G. Novik
Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, 220027 Minsk, Belarus
Abstract The principles of single-electron device classification are presented in the paper. The proposed classification includes many of nanostructures of this type. New single-electron devices can be developed on the basis of such a classification.
1