методичка к 1 лабораторной (553296), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Исследование структуры кристаллов на атомном уровне, как правило, производят на основе дифракции волн, длины которых сравнимы с межатомным расстоянием в кристаллах 10 -8 см. Излучение с большей длиной волны не может выявить деталей структуры на уровне атомов, а более коротковолновое излучение дифрагирует только при очень малых углах, что составляет определенные трудности для проведения достоверного эксперимента.
Для исследования кристаллов необходимо использовать рентгеновское излучение с энергией квантов от 10 до 50 эВ. Такое излучение можно получить как за счет торможения быстрых электронов в металлических мишенях (тормозное излучение), так и за счет неупругого взаимодействия их с внутренними электронами атомов мишени (характеристическое излучение). Тормозное излучение имеет широкий непрерывный спектр, характеристическое - линейный спектр с узкими линиями.
Когда на атом падает волна, она может частично или полностью рассеяться электронами этого атома. Частота излучения в этом случае не изменяется. Для оптического диапазона волн ( 0 суперпозиция упруго рассеянных отдельными атомами кристаллов волн приводит к обычному оптическому преломлению.
Если длина волны падающего излучения сравнима с постоянной решетки или меньше ее, то можно получить один или более дифрагированных пучков, направления которых сильно отличаются от направления падающего пучка.
Длина волны и энергия Е кванта рентгеновского излучения связаны соотношением:
Энергия и длина волны де-Бройля для нейтрона зависят от массы и импульса и в более простых единицах связаны соотношением
.
Нейтроны характеризуются наличием магнитного момента, поэтому взаимодействуют с “магнитными” электронами твердого тела. Наибольшую ценность дифракция нейтронов представляет для структурного анализа магнитных кристаллов. В немагнитных материалах нейтроны взаимодействуют с ядрами атомов, которые образуют решетку.
Длина волны де-Бройля для электрона и его энергия связаны уравнением:
где m = 0.911 10-27 г- масса электрона. Тогда в более удобных для инженерной практики единицах получим соотношение: (0)
.
Электроны сильно взаимодействуют с твердыми телами, поскольку являются заряженными частицами. Однако глубина их проникновения в кристалл сравнительно невелика. Поэтому метод дифракции электронов при структурном исследовании используется обычно для изучения поверхностей твердых тел, пленочных структур, очень тонких кристаллов и газов.
Рассмотрим семейство параллельных, равностоящих друг от друга атомных плоскостей в кристалле, межплоскостное расстояние которых равно d . Пусть падающий пучок лежит в плоскости чертежа (рис.1.4). Для лучей, отраженных от соседних плоскостей, разность хода равна 2 d sin , где - угол, отсчитываемый от атомной плоскости.
Излучение, отраженное от соседних плоскостей, будет при интерференции усиливаться в том случае, когда разность хода равна целому числу n длин волн . Условие интерференционного максимума при отражении представляется в виде соотношения, которое называют законом Вульфа - Брэгга:
2 d sin = n .
По закону Вульфа - Брэгга для отражения необходима определенная связь между и , так как в общем случае рентгеновские лучи с длиной волны , падающие на трехмерный кристалл под произвольным углом, отражаться не будут.
Закон Вульфа - Брэгга является следствием периодичности пространственной решетки. Он не связан с расположением атомов в ячейке или с базисом в каждом узле решетки. Расположение атомов в базисе определяет лишь относительную интенсивность дифрагированных пучков в различных порядках для данного семейства параллельных плоскостей.
Брэгговское отражение имеет место лишь при длинах волн
2 d. Вот почему для этих целей не может быть использован видимый свет. Чтобы выполнить условия закона Вульфа - Брэгга, необходимо подбирать или длину волны или углы падения . В настоящее время в технике физического эксперимента для исследования структуры твердых тел применяют три основных метода: метод Лауэ, метод вращения кристалла и метод порошка. Методы могут быть реализованы различными способами.
Сущность метода Лауэ заключается в том, что узкий немонохроматический пучок рентгеновских лучей (или нейтронов) направляется на неподвижно закрепленный монокристаллический образец, где в соответствии с законом Вульфа - Брэгга дифрагирует только излучение с дискретным набором длин волн, для которых межплоскостные расстояния d и углы падения удовлетворяют соотношению:
= arc sin ( n / 2 d ).
Метод Лауэ прост и удобен для быстрого определения симметрии кристалла и его ориентации. Данный метод используется также для определения искажений и дефектов, возникающих в кристалле при термической и механической обработке. Лауэграммы (рис. 1.5) широко используются для ориентации кристаллов при экспериментальном изучении различных твердых тел, а также в производстве интегральных полупроводниковых микросхем.
Рис. - 1.5. Лауэграмма кристалла берилла.
Метод Лауэ практически никогда не применяется для определения кристаллической структуры, поскольку одна плоскость может давать несколько отражений. Из-за широкого спектра отдельные пятна на лауэграмме могут оказаться результатом наложения отражений различных порядков. Это затрудняет определение интенсивности данного отражения, что, с другой стороны, затрудняет определение базиса.
Метод вращения кристалла позволяет проводить анализ структуры с использованием монохроматических пучков рентгеновских лучей (или нейтронов). При вращении кристалла вокруг фиксированной оси различные атомные плоскости занимают положения, соответствующие углам , при которых происходит отражение данного монохроматического излучения в соответствии с условием Вульфа – Брэгга. На практике применяют несколько разновидностей (способов) метода вращения кристалла. Так, способ колебаний предусматривает колебание кристалла в некотором ограниченном интервале углов вместо вращения вокруг оси. Это снижает вероятность наложения отражений различных порядков. Для регистрации картины структурного анализа используются пленки, дифрактометры и методы автоматической регистрации и расшифровки результатов.
Широкое применение имеет метод порошка, который реализуется с помощью монохроматических пучков излучения и не требует вращения образца, поскольку ориентация различных плоскостей у кристаллов (частиц порошка) будет неодинаковой.
Для всех кристаллов существуют таблицы данных о межплоскостных расстояниях .
Методика определения фазового состава пленки.
Чтобы определить фазовый состав пленки, т.е. определить набор межплоскостных расстояний d/n = / 2 sin, надо выполнить следующие операции:
1. Рассчитать теоретические рентгенограммы, т.е. по известным из таблиц расстояниям d/n определить углы теор для предполагаемого состава исследуемого образца.
2. Определить положение всех интерференционных максимумов на рентгенограмме, построив гистограммы относительной интенсивности J%. Для каждого значения теор .
3. Сравнить эксп с теор и сделать вывод о структуре образца, пользуясь данными рис.4.3.
Состав отчета.
-
Введение: цель работы.
2. Таблица результатов расчета теор.
| J, % | d/n | sin | теор. |
| . | . | . | . |
3. Гистограмма значений J% для рассчитанных теор.
4. Вывод о типе кристаллической решетки исследуемого вещества.
Контрольные вопросы.
-
Что можно изучать с помощью электронной микроскопии?
-
Каково должно быть соотношение длины волны излучения и исследуемых параметров кристаллов?
-
Методы получения рентгеновского излучения?
-
Каков спектр тормозного излучения?
-
Каков спектр характеристического излучения?
-
Для каких целей используется метод Лауэ?
-
Разновидности метода вращения, их достоинства?
-
Чем объясняется множественность полос на рентгенограмме?
-
Когда используются нейтроны?
-
Как определить степень кристалличности полимеров по рентгенограмме?
Задания.
Вариант 1. = 0.7135 А
| Интенсивность, J, % | d/n | ... | ... |
| 100 | 3.139 | ||
| 60 | 1.92 | ||
| 35 | 1.638 | ||
| 8 | 1.36 | ||
| 13 | 1.246 | ||
| 17 | 1.108 | ||
| 9 | 1.045 | ||
| 5 | 0.96 | ||
| 11 | 0.918 | ||
| 9 | 0.85 | ||
| 5 | 0.828 |
Вариант 2. = 0.709 Ао
| Интенсивность, J, % | d/n | ... | ... |
| 40 | 2.556 | ||
| 40 | 2.341 | ||
| 100 | 2.241 | ||
| 40 | 1.728 | ||
| 40 | 1.477 | ||
| 50 | 1.336 | ||
| 40 | 1.249 | ||
| 30 | 1.233 | ||
| 10 | 1.176 | ||
| 10 | 1.125 | ||
| 20 | 1.065 | ||
| 30 | 0.989 | ||
| 30 | 0.942 | ||
| 30 | 0.917 | ||
| 10 | 0.88 |
Вариант 3. = 0.701 Ао
| Интенсивность, J, % | d/n | ... | ... |
| 100 | 2.03 | ||
| 50 | 1.76 | ||
| 32 | 1.244 | ||
| 32 | 1.061 | ||
| 4 | 1.017 | ||
| 8 | 0.808 | ||
| 8 | 0.719 | ||
| 8 | 0.678 |
Вариант 4. = 0.709 Ао
| Интенсивность, J, % | d/n | ... | ... |
| 100 | 2.35 | ||
| 53 | 2.03 | ||
| 33 | 1.439 | ||
| 40 | 1.227 | ||
| 9 | 1.173 | ||
| 3 | 1.1019 | ||
| 9 | 0.935 | ||
| 7 | 0.91 | ||
| 4 | 0.832 | ||
| 4 | 0.784 |
Вариант 5. = 0.7153 Ао
| Интенсивность, J, % | d/n | ... | ... |
| 100 | 2.027 | ||
| 19 | 1.433 | ||
| 30 | 1.17 | ||
| 9 | 1.013 | ||
| 12 | 0.906 | ||
| 6 | 0.827 |
Вариант 6. = 1.544 Ао
| Интенсивность, J , % | d/n | ... | ... |
| 100 | 3.266 | ||
| 57 | 2.00 | ||
| 39 | 1.706 | ||
| 7 | 1.414 | ||
| 10 | 1.298 | ||
| 17 | 1.155 | ||
| 7 | 1.09 | ||
| 3 | 1.00 | ||
| 11 | 0.956 | ||
| 6 | 0.895 | ||
| 4 | 0.863 | ||
| 2 | 0.817 | ||
| 8 | 0.792 |
Ф-3. Термоэлектродвижущая сила.















