Alex.BiT (545911), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

ВОПРОС 25: Влияние на хар-ки введения висмута в селен

Введение висмута (ВВ) расширяет область спектральной чувствительности селеновых ЭФС в длинноволновую часть спектра; уменьшает ширину запрещенной зоны. из-за расширения спектра электронных состояний валентной зоны за счет образования связей (Se – Bi) вместо связей (Se – Se); Уменьшение ширины ЗЗ вызывает снижение удельного сопротивления материала; ВВ уменьшает дрейфовую подвижность дырок в селене; Увеличивает скорость темнового спада потенциала и величины остаточного потенциала.

ВОПРОС 26: Преимущества и спектральная зависимость ФЧ ЭФС на основе аСиАш

• высокая тиражестойкость (не менее 10⁶ копий) благодаря большой микротвердости материала (1500 -2000 кг/мм²);

• в озможность получения высокой фоточувствительности во всей видимой области спектра: 1000 S_0.1 м²/Дж

а при использовании многослойных «+» зарядка

структур – и в ИК диапазоне;

• в озможность осуществлять 500

электрическую зарядку слоя

напряжением любой полярности: 200 «-» зарядка

• в ысокая температурная стабильность, , нм

дающая возможность реализации

компактной конструкции аппарата. 400 600 800

ВОПРОС 27: варизонные ЭФН

В простейшем случае ЭФС состоит из двух пп материалов с различной шириной ЗЗ (материал с большей шириной запрещенной зоны – у свободной поверхности слоя).

hν₁ > hν₂

П ри экспозиции такого носителя широкополосным излучением обеспечивается высокая фоточувствительность как в коротковолновой области спектра (за счет поглощения коротковолнового излучения hν₁ в широкозонном (ΔЕ₁) приповерхностном слое), так и в длинноволновой области (за счет поглощения соответствующего излучения hν₂ в узкозонном (ΔЕ₂) слое, в то время как приповерхностный слой для этого излучения прозрачен). На этой основе были созданы электрофотографические носители со структурами: a–Si_1-xN_x:H – a-Si:H, Se – Se_1-xTe_x, Se – Se_1-xBi_x Фоточувствительность ЭФН должна возрастать с увеличением числа слоев с различной шириной ЗЗ. Естественным продолжением этого процесса стало создание варизонных ЭФС, в которых химический состав и ширина запрещенной зоны полупроводника плавно изменяются по толщине слоя.

N, ат. % N_Se E_c

с вобод. подложка

п ов-ть

hν

E_v

N_Bi

ВОПРОС 28: Испаритель из квазизамкнутого объема

подложка

пар

В испарителе имеются две зоны нагрева: нижняя часть испарителя, в который помещается испаряемое вещество, нагревается до температуры Т₁, достаточной для необходимой скорости испарения вещества, но недостаточной для сообщения испаряемым частицам необходимой кинетической энергии (обеспечивающей хорошую адгезию растущей пленки к подложке). Пар выходит из испарителя через капиллярное отверстие. Благодаря этому в объеме испарителя над расплавом создается повышенное давление пара. Этот объем разогревается вторым испарителем до температуры Т₂ > Т₁. Соответственно и частицы пара, находящиеся в этом объеме, повышают свою кинетическую энергию до величины, соответствующей температуре Т₂ и обеспечивающей хорошую адгезию пленки к подложке.

В ОПРОС 18: Установка для получения селеновых ЭФ цилиндров

Рабочая камера 1 вакуумной установки имеет цилиндрическую форму. Кольцевые испарители 2 расположены на внутренней поверхности стенки камеры по всей её высоте. Их нагрев осуществляется нагревателями 3. Цилиндрическая металлическая подложка ЭФЦ 4 располагается по оси камеры. Она является стенкой вакуумной установки то есть внутренняя часть цилиндра находится в атмосфере. Это позволяет значительно точнее контролировать температуру подложки (термопары 5) и осуществлять её резкое охлаждение подачей через трубу 6 смеси воздуха и воды. 7 – Дополнительный струнный нагреватель.

В ОПРОС 4: Установка с индуктивной связью для разложения силана в плазме

Силан или газовая смесь подается в реакционную камеру из плавленого кварца диаметром 5 – 10 см. Для создания газового

потока камера откачивается вакуумным насосом.

В ОПРОС 15: Установка с ёмкостной связью для разложения силана в плазме

Вместо индуктора располагаемого с внешней стороны камеры внутри камеры расположены два плоскопараллельных электрода, на которые подается сигнал с высокочастотного генератора. При такой конструкции достаточно легко увеличивать размеры плоских электродов, а следовательно, получать однородные образцы большой площади.

В ОПРОС 5: установка непрерывного действия для получения ФЭПП методом разложения силана

Чтобы газ не переходил из одной камеры в другую, используется избыточное давление Ag

1. (с1) Перечислите методы испарения (типы испарителей), используемых для получения пленок ХСП термическим напылением в вакууме.

2. (с1) Назовите факторы, определяющие химический состав пленки, полученной термическим напылением в вакууме.

3. (с1) В чем суть и преимущества метода магнетронного распыления.

4. (с5) Изобразить схему установки с индуктивной связью для получения пленок а-Si:Н методом разложения силана в плазме тлеющего разряда.

5. (с6) Изобразить и кратко пояснить конструкцию установки непрерывного действия для получения фотоэл-их преобразователей на основе а-Si:Н методом разложения силана.

6. (с1) Каковы цели и режимы получения пленок микрокрист. Si:Н.

7. (с1) Зависимость оптической ширины запрещенной зоны пленок а-Si1-хGex:Н и а-Si1-хСx:Н от состава.

8. (с2) В чем основное противоречие в требованиях к полупроводниковому материалу для носителей информации, основанных на записи потенциального рельефа, и как эти противоречия решаются.

9. (с2) Перечислите основные этапы электронографического процесса.

10. (с2) Методы расширения спектральной зависимости Se электронограф. слоев.

11. (с2) Назовите 4 группы носителей оптической информации на некрист. полупроводниках.

12. (с2) Назовите основные характеристики электронографических слоев.

13. (с2) Изобразите и объясните спектральную зависимость фоточувствительности селенового электрофотограф. слоя.

14. (с3) Основные трудности получения ЭФ слоев на основе а-Si:Н и пути их преодоления.

15. (с5) Изобразите схему установки с емкостной связью для получения пленок а-Si:Н методом разложения силана в плазме тлеющего разряда.

16. (с3) В каких случаях и почему используется метод высокочастотного ионно-плазменного распыления.

17. (с6) Получение пленок а-Si:Н химическим осаждением из газовой фазы: проблемы и пути их решения.

18. (с5) Изобразить и кратко пояснить конструкцию вакуумной установки для получения Se электронограф. цилиндров.

19. (с3) Назовите факторы, определяющие адгезию к подложке.

20. (с3) Назовите методы дискретного (взрывного) испарения для получения пленок ХСП.

21. (с3) Назовите 2 типа установок для получения пленок а-Si:Н методом разложения силана в плазме тлеющего разряда. Какой из этих типов используется при промышленном производстве и почему.

22. (с3) Перечислите достоинства метода получения пленок ионно-плазменным распылением.

23. (с3) Каковы способы увеличения скорости роста пленок а-Si:Н, получаемых методом разложения газа в плазме тлеющего разряда.

24. (с4) Перечислите группы п/п материалов, используемых в ЭФН информации.

25. (с4) Как влияет на характеристики ЭФС введение в селен (Se) висмута (Bi).

26. (с4) Основные преимущества и спектральная зависимость фоточувствительности ЭФ слоев на основе а-Si:Н.

27. (с4) Как должна изменяться ширина запрещенной зоны п/п по толще варизонного ЭФН информации. Обоснуйте ответ.

28. (с5) Конструкция и принцип действия испарителей с квазизамкнутым объемом.

Характеристики

Список файлов ответов (шпаргалок)