Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1149651), страница 17

Файл №1149651 Диссертация (Пространственная модуляция экситонной восприимчивости квантовых ям InGaAsGaAs сфокусированными ионными пучками) 17 страницаДиссертация (1149651) страница 172019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 17)

[и др.] // Appl. Phys.Lett. — 1999. — Vol. 75. — No. 22. — Pp. 3488-3490.125[9] Focused ion beam implantation induced site selective growth of InAs quantumdots / Mehta M. [и др.] // Appl. Phys. Lett. — 2007. — Vol. 91. — P. 123108.[10] Site controlled self-organization of InAs quantum dots / Kohmoto S. [и др.] //Materials Science and Engineering B. — 2002. — Vol. 88. — Pp.

292-297.[11] Schmidt O.G. Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots // Berlin:Springer, 2007. — 722 p.[12] VCSELs with monolithic coupling to internal horizontal waveguides usingintegrated diffraction gratings / Louderback D.A. [и др.] // Electronics Letters.— 2004. — Vol. 40. — No. 17. — Pp. 1064-1065.[13] Three-DimensionalIntegrationofVCSEL-BasedOptoelectronics/Louderback D.A. [и др.] // Proceedings of SPIE.

— 2005. — Vol. 5737.— Pp. 50-61.[14] Spectrum of radiation diffracted by laser-induced gratings in GaAs/AlGaAsquantum wells / Gorshunov A.G. [и др.] // Journal of Experimental andTheoretical Physics. — 1996. — Vol. 82. — No. 2. — Pp. 356-360.[15] Exciton polaritons in semiconductor waveguides / Walker P.M. [и др.] // Appl.Phys. Lett. — 2013. — Vol. 102. — P. 012109.[16] Ultra-low-power hybrid light-matter solitons / Walker P.M.

[и др.] // NatureCommun. — 2015. — Vol. 6. — P. 8317.[17] Quantum Beats in Hybrid Metal–Semiconductor Nanostructures / Dass C.K.[и др.] // ACS Photonics. — 2015. — Vol. 2. — No. 9. — Pp. 1341-1347.[18] Frenkel J. On the transformation of light into heat in solids I // Phys. Rev. —1931. — Vol. 37. — Pp. 17-44.[19] Gross E.F., Karryev N.A. Exciton optical spectrum // DAN SSSR. — 1952. —Vol. 84. — P. 261.[20] Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Scienceand Technology.

Group III: Condensed Matter / Dietl T. [и др.] // Berlin:Springer, 2008. — Vol.44. — 349 p.126[21] Benedict M.G., Trifonov E.D. Coherent reflection as superradiation from theboundary of a resonant medium // Phys. Rev. A. — 1988. — Vol. 38. — No. 6.— Pp. 2854-2862.[22] Ivchenko E.L. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures //Harrow: Alpha Science International, Ltd., 2005. — 439 p.[23] Phonon broadening of excitons in GaAs/AlGaAs quantum wells / Gammon D.[и др.] // Phys.

Rev. B. — 1995. — Vol. 51. — No. 23. — Pp. 16785-16789.[24] Increasing of AlGaAs/GaAs quantum well robustness to resonant excitationby lowering Al concentration in barriers / Solovev I.A. [и др.] // Journal ofPhysics: Conference Series. — 2015. — Vol. 643. — P. 012085.[25] Poltavtsev S.V., Ovsyankin V.V., Stroganov B.V.

Coherent resonant scatteringand free induction decay of 2D-excitons in GaAs SQW // Phys. Status SolidiC. — 2009. — Vol. 6. — No. 2. — Pp. 483–487.[26] Resonant Light Scattering by a Gradient Quantum Well / Davydov V.G. [идр.] // Optics and Spectroscopy. — 2009. — Vol. 107. — No. 6. — Pp. 981-986.[27] Trench formation and lateral damage induced by gallium milling of silicon/ Russo M.F.

Jr. [и др.] // Appl. Surface Science. — 2008. — Vol. 255. —Pp. 828–830.[28] Ziegler J.F. SRIM-2003 // Nucl. Instr. and Methods in Phys. Research B. —2004. — Vol. 219–220. — Pp. 1027–1036.[29] Ziegler J.F., Ziegler M.D., Biersack J.P. SRIM – The stopping and range ofions in matter // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. —2010. — Vol. 268.

— Pp. 1818–1823.[30] Si depth profiles in focused-ion-beam implanted GaAs / Bamba Y. [и др.] //Japanese J. Appl. Phys. — 1985. — Vol. 24. — No. 1. — Pp. L6-L8.[31] Measurement of the damage profile of ion-implanted GaAs using an automatedoptical profiler / Gal M. [и др.] // Nuclear Instruments and Methods in PhysicsResearch B. — 2001. — Vol. 173. — Pp. 528-532.127[32] Grossklaus K.A., Millunchick J.M. Mechanisms of nanodot formation underfocused ion beam irradiation in compound semiconductors // J. Appl. Phys. —2011. — Vol. 109. — P. 014319.[33] Helium bubbles in silicon: Structure and optical properties / Siegele R. [и др.]// Appl. Phys. Lett.

— 1995. — Vol. 66. — No. 11. — Pp. 1319-1321.[34] Giguere A., Desrosiers N., Terreault B. Blistering effects of low energy hydrogenand helium ions implanted in GaAs(100) crystals // Nuclear Instruments andMethods in Physics Research B. — 2006. — Vol. 242. — Pp. 620–622.[35] The effect of low-energy Ga ions on GaAsAlGaAs heterostructures /Linfield E.H. [и др.] // Sernicond.

Sci. Technol. — 1990. — Vol. 5. — Pp. 385390.[36] The enhancement of quantum well intermixing through repeated ionimplantation / Poole P.J. [и др.] // Semicond. Sci. Technoi. — 1994. — Vol. 9.— Pp. 2134-2137.[37] Large energy shifts in GaAs-AlGaAs quantum wells by proton irradiationinduced intermixing / Tan H.H. [и др.] // Appl. Phys. Lett. — 1996.

— Vol. 68.— No. 17. — Pp. 2401-2403.[38] Optical properties of electron beam and g-ray irradiated InGaAs/GaAsquantum well and quantum dot structures / Aierken A. [и др.] // RadiationPhysics and Chemistry. — 2013. — Vol. 83. — Pp. 42–47.[39] Quantum Information Processing with Semiconductor Macroatoms / Biolatti E.[и др.] // Phys. Rev. Lett. — 2000. — Vol. 85. — No. 26.

— Pp. 5647-5650.[40] Rabi oscillations of excitons in single quantum dots / Stievater T.H. [и др.] //Phys. Rev. Lett. — 2001. — Vol. 83. — P. 133603.[41] Exciton Rabi oscillation in a single quantum dot / Kamada H. [и др.] // Phys.Rev. Lett. — 2001. — Vol. 87. — P. 246401.[42] Rabi oscillations in the excitonic ground-state transition of InGaAs quantumdots / Borri P. [и др.] // Phys. Rev. B.

— 2002. — Vol. 66. — P. 081306.128[43] An all-optical quantum gate in a semiconductor quantum dot / Li X. [и др.]// Science. — 2003. — Vol. 301. — Pp. 809–811.[44] Optical control of excitons in a pair of quantum dots coupled by thedipole–dipole interaction / Unold T. [и др.] // Phys. Rev. Lett.

— 2005. —Vol. 94. — P. 137404.[45] Exciton interaction effects in the emission spectra of single free-standingInGaAs/GaAs quantum dots / Steffen R. [и др.] // Surface Science. — 1996.— Vol. 361-362. — Pp. 805-809.[46] Photoluminescence study of deep etched InGaAs/GaAs quantum wires and dotsdefined by low-voltage electron beam lithography / Steffen R. [и др.] // Appl.Phys. Lett. — 1996.

— Vol. 68. — No. 2. — Pp. 223-225.[47] Low voltage electron-beam lithography based InGaAs/GaAs quantum dotarrays with 1 meV luminescence linewidths / Wang K.H. [и др.] // J. Vac.Sci. Technol. B. — 1997. — Vol. 15. — No. 6. — Pp. 2829-2831.[48] Uniform InGaAs quantum dot arrays fabricated using nanosphere lithography/ Qian X. [и др.] // Appl. Phys. Lett. — 2008. — Vol.

93. — P. 231907.[49] High-optical-quality nanosphere lithographically formed InGaAs quantum dotsusing molecular beam epitaxy assisted GaAs mass transport and overgrowth/ Qian X. [и др.] // J. Vac. Sci. Technol. B. — 2010. — Vol. 28. — No.

3. —Pp. C3C9-C3C14.[50] Pekar S.I. The theory of electromagnetic waves in a crystal in which excitonsare produced // Soviet Physics JETP. — 1958. — Vol. 6 (33). — No. 4. —Pp. 785-796.[51] An Introduction to Helium Ion Microscopy / Notte J. [и др.] // Microscopyand Microanalysis. — 2006. — Vol. 12. — Pp. 126-127.[52] Ward B.W., Notte J.A., Economou N.P. Helium ion microscope: A new toolfor nanoscale microscopy and metrology // J. Vac. Sci.

Technol. B. — 2006. —Vol. 24. — Pp. 2871-2874.129[53] Petrov Yu.V., Vyvenko O.F., Bondarenko A.S. Scanning Helium IonMicroscope: Distribution of Secondary Electrons and Ion Channeling // Journalof Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2010.— Vol. 4.

— No. 5. — Pp. 792–795.[54] Robinson M.T., Torrenx I.M. Computer simulation of atomic-displacementcascades in solids in the binary-collision approximation // Phys. Rev. B. —1974. — Vol. 9. — No. 12. — Pp. 5008-5024.[55] Damage production in semiconductor materials by a focused Ga+ ion beam /Menzel R.

[и др.] // J. Appl. Phys. — 2000. — Vol. 88. — Pp. 5658-5661.[56] FIB processing of silicon in the nanoscale regime / Lugstein A. [и др.] / Appl.Phys. A. — 2003. — Vol. 76. — Pp. 545–548.[57] Towards the creation of quantum dots using FIB technology / Kitslaar P. [идр.] // Microelectronic Engineering. — 2006. — Vol. 83. — Pp. 811–814.[58] Kinetics of carbon nanopillar formation on a pyrolytic graphite surface duringreactions induced by a focused electron beam / Zhdanov G.S. [и др.] // Bulletinof the Russian Academy of Sciences: Physics.

— 2013. — Vol. 77. — No. 8. —Pp. 935-938..

Характеристики

Список файлов диссертации

Пространственная модуляция экситонной восприимчивости квантовых ям InGaAsGaAs сфокусированными ионными пучками
Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
7033
Авторов
на СтудИзбе
260
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее