Автореферат (1149548), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Возможность применения спектроскопии комбинационногорассеяния света для оценки толщины интерфейсного слоя в сверхрешетках AlN/GaN // Научнотехнические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. – 2016. - № 2(242), C. 27-36.(личный вклад – 70%).2.Pankin D.V.,Smirnov M.B., Davydov V.Yu.,Smirnov A.N. Elastic strains effect onfrequencies of delocalized polar phonons in AlN/GaN superlattices // AIP Conf. Proc.
– 2016. – Т.1748.- № 050007. - С. 050007-1 - 050007-6. (личный вклад – 50%).3.Д.В. Панькин, М.Б. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин,Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN //Физика и техника полупроводников. – 2016, - Т. 50, - №8, С.
1064-1069. (личный вклад – 50%)4.Pankin D.V., Smirnov M.B, Influence of AlN/GaN superlattice period on frequency of polaroptical modes // Journal of Physics: Conference Series. - 2016 – Т. 741. – №. 012123. – С. 1-6.(личный вклад – 70%)СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ1.Gleize J. et al. Phonons in a strained hexagonal GaN–AlN superlattice// Appl.
Phys. Lett. 1999.Vol. 74. №5. P. 703 – 705.2.Darakchieva V. et al. Phonon mode behavior in strained wurtzite AlN/GaN superlattices// Phys.Rev. B. 2005. Vol. 71. №115329. P. 1 – 9..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
