0753-orgbiblio (1143284)
Текст из файла
М)!)!ОБРНАУКИ РОССИИ федеральное госуаарс; осиное автономное образовательное учреждение оькгнего образования «Санкт-Петербургский государственный олектротехнннеекий унннереитет гсЛЭТИ» имени ВЛ)«ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») ув. Проф. Панова. д.5, Санкт-Петербург, 197376 телефон: (8!2! 34(г-44-87 Факс, (812) 346-27-58 анна!!! с1вс1г«г'е!геен го Мчгу(юонейесь.нг ОКПО 02068539 ОГРН 1027806875381 ОКВЭД 85 22, 72.1 ОКТМО 40392000000 ИН!Ь'К1П! 7813045402(78!301001 гг "г .
г гг'х, 'г.':гг.гг':ггг~ Нгг 1 ! Председагелго совета по защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук Д2)2.229.02 на базе федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования вСанкт- Петербургский политехнический университет Петра Великого», доктору химических наук, профессору С.Е. Александрову вг нс кагг ггве.гегг Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.
Ульянова (Ленина)» дает свое согласие выступить в качестве ведущей организации по диссертационной работе )Э!унниковой Юлии Владиьгировны «Фпзпкотехнологические основы и пути совершенствования технологии получения кристаллов сапфира для электронной техники», представленной на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27.06 — Технология н оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. Заместитель директора департамента науки СПбГЭТУ «ЛЭТИ» / Д.В.Гайворонский/ Список основных публикаций федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им.
В.И. Ульянова (Ленина)», ведущей органи:шции по диссертации Клунниковой!Олин Владимировны «Физико-технологические основы и пути совершенствования технологии получения кристаллов сапфира для электронной техникил, представленной на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27.06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. 1. )З.Я.Айа)опоча, А.В.Коаугеч, 1Ч.Ч,Мн«Ь1п, 13.!ч.йеГ1са, К.О.Е1апйауа, М.Ч.Еийеп)со, А.Овееч, Б,Н1гзсЬ. 1трпп1у РЬааев ш Ро1усгувга11ше Р11шз оТ Реггое1ес!г1с ОхЫев оГ йе Регочййе-Туре оп йе Вав!з оТ В!2$гТа209 апс1 РЬ(2г,Т!)ОЗ П ОЬЛБЯ РНУБ1С8 ЛЬ113 СНЕМ18ТКЧ Чо1.
44, Ь1о.1, 2018, рр. 15-20, 001: 10.1134/81087659618010029 2. А1е1гзапс1г Овееч, Ь!йо1ау Мт1«Ь1п, йа1Г ЕпсК1шп, МЙЬа!1 УнЬгаоч, Маге-Ре1ег БсЬп1ЫЬ 1)!п1ге Вге!пшапп. А1е)гвалт Ропз!п, Апс$геу Кохутеч, Боегеп Н!гасЬ. ЯЬЫу оЕ 119нЫ гезопапсеа ш во!Ы-11г1цЫ со1прозйе рег1ойс з!гисцнев (р1зопоп1с сгуз1а1з) — йеогейса1 шчезййабопз апс$ ргасйса! арр!ка1юп 1ог ш-!!не апа!уа!з ор сопчеп1юпа! ре1го!ешп ргодпсбк 0 Бепвога апд Лсша[ога В: Сйепнса!, Ч 257, рр. 469-477. МагсЬ 2018 Тумаркин Л.В., Одинсц А.А. Доменный эпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок тнтаната бария-стронция на сапфире д Физика твердого тела. 2018.
Т, 60, № 1. С. 88-93. 4. Тумаркин А.В., Гагарин А.Г., Сапего Е.Н., Грешникова !О.С., Феоктистова Д.А. Зависимость структурных свойств ультратонких пленок титаната бария в системе ВАТ103/ЕАХ8й1-ХМЬ!03/сапфир от качества подслоя манганита лантана-стронция 0 Электроника и микроэлектроника СВЧ, 2018. № 1 (1), С. 43-47. 5. Ро1гакйоч Ь).Ь1„1лЫтйв Ч.А., Рогга1йоч Е.Ь1., Ков1г!п Р.К., Кцлп!па Ь!.А. Ме!Ьод апд ЬЫшпг1«1 ечшргпеп! 1ог йе х-гау о1!угас!!оп сон!го! оГ !Ье 1попосгув1а!!!пе шагег1а1з 1п шас1з!пе «пс1 го«1г«шеи~ епупеег1пй // Лонго«1 ор РЬу«1ся: Сап1егепсе 8ебез е1ес1гоп!с ейск!оп. 2018. Тумаркин Л.В., Серенков И.Т., Сахаров В,И., Афросимов В.В., Одинец А.А. Влияние температуры подложки на начальные стадии роста пленок титаната бария-стронция на сапфире д Физика твердого тела.
2016. Т. 58. № 2. С. 354-359. 7. Тумаркин Л.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Анкудинов А.В., Одинец А,А. Роль упругой энергии в формировании сегнетозлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире 0 Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 4. С. 796-801.
8. Л. В. К.скугеч. Ч. Ь!. Ояабсйу, Е. Л. Ь!епааЬеча, Л, Ч. Тшпаг«1п, А. О. А!!упп!коч, 1. Ч. Ко!е!пйсоч, О. М. Козп1!п. Еп1тапсешсп! о1'Раз! — Лсгюп ор Реггое!ес1г1с Ь)оп-1лпеаг Сеганйс М!сгоюаче Е!еше1нв Ьу Оху8еп Аписа!ш8, С )опгпа! о!'Ас1чапсес! КезеагсЬ 1п !Зупаш!са! агЫ Соп!го! Вузсе1па. 2018, Т.10, С.1905-1908 9. 18ог Ч Ко!е!п!1;оч, Чйа1у Ь! Овас1сйу„йошап Лпйгееч!с!» Р!а1опоч.
Апйгеу О А11упп!1точ, Ча!епбпа Ч Мег)чег)ечи Апаго1у К М!1;Ьа!1оч, Л!еКаапг1г О Оайаг)п, Апг)геу Ч Тип1агМп, Лпйгеу В Когугеч. Яерагайоп о1 йс Ме~аП1с апс! !З1е1ес!г!с Еозвез оГ ТцпаЬ!е Реггое!ес!г!с .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
