Диссертация (1136166), страница 84
Текст из файла (страница 84)
Теория электрических фильтров. — М.: Советское радио, 1980. — 240с.147. Шенен П., Коснар М., Гардан И. и др. Математика и САПР. Кн.1. —М.: Мир, 1988.— 204 с.148. КечиевЛ.Н.,ШнейдерВ.И.СовременныепроблемыобеспеченияЭМСэлектронных модулей быстродействующих цифровых электронных средств. —Технологии ЭМС, 2004, № 4 (11).
с. 50 59.149. АнализаторысигналовFSQпроизводстваRohde&Swartz.Руководствопользователя. — www.rohde-schwarz.ru.150. Нейлор К. Как построить свою экспертную систему. — Пер. с англ. Слепова Н.Н.— М.: Энергоатомиздат, 1991. — 286 с.151. Рамо С., Уиннери Дж. Поля и волны в современной радиотехнике.
— Пер. с англ.под ред. Кобзарева Ю.Б. — М., Ленинград: Государственное издательство техникотеоретической литературы, 1948. — 631 с.152. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев Б.М. Электротехнические материалы.— Л.: Энергия, 1977. — 352 с.153. Драбкин А.Л., Коренберг Е.Б. Антенны. — Серия «Массовая радиобиблиотека»,вып. №1173. — М.: Радио и связь, 1992. — 144 с.154. Ильин В.А., Ким Г.Д.
Линейная алгебра и аналитическая геометрия. — М.:Проспект, 2007. — 400 с.155. Ненашев А.П. Конструирование радиоэлектронных средств. — М.: Высшая школа,1990. — 432 с.156. Баканов Г.Ф., Соколов С.С., Суходольский В.Ю. Основы конструирования итехнологии радиоэлектронных средств. — М.: Радиотехника, 2007. — 368 с.157. Сомов А.М., Старостин В.В., Бенеславский С.Д. Электродинамика. — М.: Горячаялиния — Телеком, 2011. — 200 с.158.
Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике для инженеров и студентоввузов. — М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1974.— 942 с.159. Боровиков В.А., Кинбер Б.Е. Геометрическая теория дифракции. — М., Связь,1978. — 247 с.160. Гмурман В.Е. Теория вероятностей и математическая статистика. — М.: Высшаяшкола, 2003.
— 479 с.161. ГОСТ Р 50414-92 «Совместимость технических средств электромагнитная.Оборудование для испытаний. Камеры экранированные. Классы, основные373параметры, технические требования и методы испытаний». — М.: Издательствостандартов, 1993. — 28 с.162. Design Guidelines for Shielding Effectiveness, Current Carrying Capability and theEnhancement of Composite Materials. — NASA Contactor Report 4748, 1997. — 61 p.163.
White, Donald R.J. A Handbook of Electromagnetic Interference and Compatibility. —Gainesville, Va: Don White Consultants, 1987. — 870 p/164. Кауделл Дж. Номограммы для решения сложных задач экранирования. —Электроника, 1967. — Т.40, №8. — С. 11 – 18.165. Выгодский М.Я. Справочник по элементарной математике. — М.: АСТ Астрель,2006.
— 509 с.166. Гончаренко А.М., Редько В.П. Введение в интегральную оптику. — Минск:Высшая школа, 1975. — 152 с.167. Тамир Т. Интегральная оптика. — М.: Мир, 1978. — 344 с.168. Таблицы физических величин. Справочник. — Под ред. Кикоина И.К. — М.:Атомиздат, 1976. — 1008 с.169. Ильин В.А., Позняк Э.Г. Аналитическая геометрия. — М.: Наука, 1971. — 232 с.170. Сергеев А.Г. Метрология.
— М.: Логос, 2005. — 275 с.171. Ямпольский В.Г., Фролов О.П. Антенны и ЭМС. — М.: Радио и связь, 1983. —272 с.172. Хрулев А.К., Черепанов В.П. Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник. Т.2. —М.: ИП Радиософт, 1998. — 640 с.173.
ГоробецА.И.,СтепаненкоА.И.,КоронкевичВ.М.Справочникпоконструированию радиоэлектронной аппаратуры. — Киев: Технiка, 1985. — 312 с.174. ФГУП СКБ РИАП. Дипольная антенна П6-51 (зав. №322). Руководство поэксплуатации.175. Кушнир В.Ф. Радиоизмерения. — М.: Связь, 1967. — 279 с.176. ГорюновН.Н.,КлейманА.Ю.,КомковН.Н.идр.Справочникпополупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам.
— Под ред.Горюнова Н.Н. — М.: Энергия, 1977. — 744 с.177. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги. Справочник.Т.10. — М.: ИП РадиоСофт, 2001. – 544 с.178. Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника. — С.-Пб., БХВ — Санкт-Петербург, 2000.— 528 с.179. Грачев Н.Н. Психология инженерного труда. — М.: Высшая школа, 1998. — 332 с.374180. Корячко В.П., Курейчик В.М., Норенков И.П. Теоретические основы САПР. — М.:Энергоатомиздат, 1987. — 400 с.181. Разевиг В.Д.
Система сквозного проектирования DesignLab 8.0. — М.: СОЛОНПресс, 2003. — 704 с.182. ГОСТ 23501.101-87 «Системы автоматизированного проектирования. Основныеположения». — М.: Издательство стандартов, 1988. — 11 с.183. КурейчикВ.М.Математическоеобеспечениеконструкторскогоитехнологического проектирования с применением САПР. — М.: Радио и связь,1990.
— 344 с.184. Жаднов В.В., Сарафанов А.В. Управление качеством при проектированиитеплонагруженных радиоэлектронных средств. — М.: СОЛОН-Пресс, 2004. —464 с.185. Автоматизированная система АСОНИКА для проектирования высоконадежныхрадиоэлектронных средств на принципах CALS-технологий.
Т.1. — Под ред.Кофанова Ю.Н., Малютина Н.В., Шалумова А.С. — М.: Энергоатомиздат, 2007 г.— 368 с.186. Динц К.М.. Куприянов А.А., Прокди Р.Г. и др. P-CAD 2006. Схемотехника ипроектирование печатных плат. — М.: Наука и техника, 2009. — 320 с.187. Кофанов Ю.Н., Новиков Е.С., Шалумов А.С. Информационная технологиямоделирования механических процессов в конструкциях радиоэлектронныхсредств. — М.: Радио и связь, 2000. — 160 с.188. Сабунин А.Е. Altium Designer: новое поколение в проектировании электронныхустройств. — М.: Солон-Пресс, 2009. — 432 с.189. Разевиг В.Д.
Система схемотехнического моделирования Micro-CAP V. — М.:Солон, 1997. — 273 с.190. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектированияпечатных плат Design Center (PSpice). — М.: СК Пресс, 1996. — 272 с.191. Сарафанов А.В. Структурная организация подсистемы моделирования тепловыххарактеристик РЭС. — Вестник Красноярского государственного техническогоуниверситета. Сборник научных трудов. Выпуск 4. — Красноярск, КГТУ, 1996.
—с.37 – 42.192. ГОСТ 23501.108 «Системы автоматизированного проектирования. Классификацияи обозначение». — М.: Издательство стандартов, 1985. — 15 с.193. Бушминский И.П. Технология и автоматизация производства радиоэлектроннойаппаратуры. — М.: Радио и связь, 1989. — 624 с.375194. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- инаноэлектронике. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2010.
— 408 с.195. Алексеева Т. В., Бабанская В. Д., Башта Т. М. и др. Техническая диагностикагидравлических приводов. — М.: Машиностроение. 1989. — 263 с.196. Лили С. Автоматизация и социальный прогресс. — М.: Издательство иностраннойлитературы, 1958. — 300 с.376Приложение 1. Примеры описаний моделей на входномязыке WinSPICE 1.03.02В данном приложении приведены примеры описаний, составленных на входномязыке WinSPICE 1.03.02, для следующих моделей и схем, предложенных в работе.1.
Модель ИП КД для диапазона A, диапазонная (к разделу 2.5).2. Модель ИП КД для диапазона B, упрощенная (к разделу 2.5).3. Модель ИП ПД для диапазона А, упрощенная (к разделу 2.5).4. Модель ИП СЗ для диапазона B, упрощенная (к разделу 2.5).5. Модель ИП СКЗ для диапазонов C и D (к разделу 2.5).6. Модель ИП ПД для диапазона Е (к разделу 2.5).7. Модель анализатора кратковременных радиопомех (к разделу 2.6).8. Ячейки первичного анализа (к разделу 3.3).3771. Модель ИП КД для диапазона A, диапазонная (к разделу 2.5)________________KDd_A*Описание модели ИП: ИП KД, диапазонная, диапазон частот от 9 до 150 кГц*Описание входных сигналов*Входной сигналVtime 1000 0 PWL(0 0 10 10)Rt 1000 0 1000*AM-2Vdop 1001 0 PULSE(-1 1 0 0 0 1E-2 2E-2)Rvdop 1001 0 1000Bin 1 0 V=0.01*(1+0.5*V(1001)*sin(6.283*v(1000)*5E4))*AM-1*Bin 1 0 V=1*(1+0.5*sin(6.283*V(1000)*100))*sin(6.283*v(1000)*5E4)*Vin 1 0 PULSE(0 1 0 0 0 2E-5 1E-2)*Vin 1 0 SIN(0 10E-3 150000)*Vin 1 0 SIN(0 1E-3 5E3)*Текущая частота настройки, ГцVfn 102 0 50E3*Сборка схемы по каскадам*Подключение преселектора: in, out, частота настройки,*.subckt preselector in out cfXpresel 1 2 102 preselector*Подключение модели смесителя*.subckt smes in out fnXsmes 2 3 102 smes*Подключение модели ФПЧXpch 3 4 filt_pch*Подключение модели детектораXdet 4 5 det*Подключение модели ИИПXdesip 5 6 indpr*Описание моделей узлов.subckt preselector in out cf*Описание резисторов для замыкания контуровR1 in 0 1000R2 out 0 1000R3 cf 0 1000*описание ЦФУВ - в соответствии с теорией, см.
часть 2.2*Альфа вычисляется согласно теории —*через к-т ослабления (80 дБ) и к-т связи контуров ( он равен 1)BQ 2 0 V=(7.0710678E-4)*V(cf)RBq 2 0 1000*Расчет коэффициента связи контуров:*в числителе - коэффициент связи контуров, стандартно ks=1Bk 3 0 V=1/V(2)RBk 3 0 1000*Значение полного сопротивления в конурах преселекора*равно R=10 Ом, ниже оно разделяется на основное и дополнительное*Рассчет значений L, C, M, и L-скоррекированногоBL 4 0 V=10*V(2)/(6.283185307179586*V(cf))RBL 4 0 1000BC 5 0 V=1/(6.283185307179586*V(cf)*V(2)*10)RBC 5 0 1000BM 6 0 V=V(4)*V(3)RBM 6 0 1000BLcor 7 0 V=V(4)-V(6)RBLcor 7 0 1000*Расчет общего коэффициента усиления на частоте настройки контуровBG0 8 0 V=(6.283185307179586*V(6)*V(cf)*(V(2)^2)/2)^2RBG0 8 0 1000378*Описание ПМ первого каскада преселектора*В схеме введены дополнительные узлы nd1...nd6*Преобразование напряжения в токG01 9 0 in 0 1* Емкость С11B1_C11 C11_1 0 V=V(9,0)*V(5)Vf_C11 C11_2 C11_1 0C11 0 C11_2 1B2_C11 0 9 I=I(Vf_C11)*Основное сопротивление первого контура, равное R(1-k)Vf01 nd1 9 0BR_11 nd1 10 V=-I(Vf01)*10*(1-V(3))* индуктивность L11Vf1_L11 L11_1 10 0B5_L11 L11_2 0 V=I(Vf1_L11)Vf2_L11 L11_3 L11_2 0C_L11 L11_3 0 1B6_L11 L11_1 11 V=I(Vf2_L11)*V(7)*Взаимная индуктивность M1Vf1_M1 M1_1 11 0B5_M1 M1_2 0 V=I(Vf1_M1)Vf2_M1 M1_3 M1_2 0C_M1 M1_3 0 1B6_M1 M1_1 ndd1 V=I(Vf2_M1)*V(6)*Добавочное сопротивление к взаимной инждуктивности, равное kR*ndd1 - добавочный узел в первом каскаде преселектораVf02 nd2 ndd1 0BRd1 nd2 0 V=-I(Vf02)*10*V(3)* индуктивность L12Vf1_L12 L12_1 12 0B5_L12 L12_2 0 V=I(Vf1_L12)Vf2_L12 L12_3 L12_2 0C_L12 L12_3 0 1B6_L12 L12_1 11 V=I(Vf2_L12)*V(7)*Основное сопротивление второго контура, равное (1-k)RVf03 nd3 12 0BR_12 nd3 13 V=-I(Vf03)*10*(1-V(3))* Емкость С12B1_C12 C12_1 0 V=V(13,0)*V(5)Vf_C12 C12_2 C12_1 0C12 0 C12_2 1B2_C12 0 13 I=I(Vf_C12)*описание ПМ второго каскада преселектора*Преобразование напряжения в токG02 14 0 13 0 1* Емкость С21B1_C21 C21_1 0 V=V(14,0)*V(5)Vf_C21 C21_2 C21_1 0C21 0 C21_2 1B2_C21 0 14 I=I(Vf_C21)*Основное сопротивление первого контура, равное (1-k)R*BR_21 14 15 I=V(15,14)/(10*(1-V(3)))Vf04 nd4 14 0BR_21 nd4 15 V=-I(Vf04)*10*(1-V(3))* индуктивность L21Vf1_L21 L21_1 15 0B5_L21 L21_2 0 V=I(Vf1_L21)Vf2_L21 L21_3 L21_2 0C_L21 L21_3 0 1B6_L21 L21_1 16 V=I(Vf2_L21)*V(7)*Взаимная индуктивность M2Vf1_M2 M2_1 16 0B5_M2 M2_2 0 V=I(Vf1_M2)379Vf2_M2 M2_3 M2_2 0C_M2 M2_3 0 1B6_M2 M2_1 ndd2 V=I(Vf2_M2)*V(6)*Добавочное сопротивление к взаимной индуктивности, равное kR*ndd2 - добавочный узел в первом каскаде преселектораVf05 nd5 ndd2 0BRd2 nd5 0 V=-I(Vf05)*10*V(3)* индуктивность L22Vf1_L22 L22_1 16 0B5_L22 L22_2 0 V=I(Vf1_L22)Vf2_L22 L22_3 L22_2 0C_L22 L22_3 0 1B6_L22 L22_1 17 V=I(Vf2_L22)*V(7)*Основное сопротивление второго контура, равное (1-k)RVf06 nd6 17 0BR_22 nd6 18 V=-I(Vf06)*10*(1-V(3))* Емкость С22B1_C22 C22_1 0 V=V(18,0)*V(5)Vf_C22 C22_2 C22_1 0C22 0 C22_2 1B2_C22 0 18 I=I(Vf_C22)*Описание источника, нормирующего коэффициент передачиBout out 0 V=V(18)/V(8).ends preselector*Описание параметрической модели смесителя.subckt smes in out fn*Описание резисторов для замыкания контуровR1 in 0 1000R2 out 0 1000R3 fn 0 1000*Источник задает течение времениVtime1 time1 0 PWL(0 0 10 10)Rtime1 time1 0 1000*В выражении ниже есть значение промежуточной частоты.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
