Диссертация (1105343), страница 16
Текст из файла (страница 16)
A., Ryabova L. I. Quantum oscillatory properties of thesemimagnetic semiconductor PbTe(Cr). // Phys. Rev. B. – 1998. – V. 58. – N. 16. Pages10430–10434.75. Ivanchik I. I. et al. in Proceedings of the 24th International Conference on Physics ofSemiconductors – Jerusalem – Israel – 1998 (Singapore: World Scientific, 1998) – Pt. VIII B– paper 8.76. Skipetrov E. P., Chernova N.
A., Slynko E. I., Vygranenko Yu .K. Ytterbium-inducedimpurity states and insulator-metal transition under pressure in Pb1 − xGexTe alloys. // PhysicaStatus Solidi B. – 1998. – Volume 210. – Issue 2. – Pages 289–293.77. Isber S., Charar S., Gratens X., Fau C., Averous M., Misra S. K., Golacki Z. EPR study of thehyperfine structure of Yb3+ ion in Pb1 − xYbxS, Pb1 − xYbxSe, and Pb1 − xYbxTe single crystals.// Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. – Volume 54. – Issue 11.
–1996. – Pages 7634-7636.78. Partin D. L. Lead telluride doped with rare‐earth elements. // J. Appl. Phys. – 1985. – V. 57.–P. 1997–2000.79. Skipetrov E. P., Chernova N. A., Skipetrova L. A., Slyn’ko E. I. Electric and magneticcharacterization of impurity-induced states in diluted magnetic Pb1 − yYbyTe semiconductors.// Materials Science and Engineering B.
– 2002. – V. 91–92. – P. 412–415.11380. Skipetrov E. P., Kruleveckaya O. V., Skipetrova L. A., Knotko A. V., Slynko E. I. andSlynko V. E. Galvanomagnetic properties and electronic structure of iron-doped PbTe. //Journal of Applied Physics. – 2015. – V. 118 – N. 19. – P. 195701–1–195701–8.81. Skipetrov E. P., Kruleveckaya O. V., Skipetrova L. A., Slynko E.
I. and Slynko V. E. Fermilevel pinning in Fe-doped PbTe under pressure// Applied Physics Letters. – 2014. – V. 105 –N. 2. – P. 022101–1–022101–5.82. Скипетров Е. П., Кнотько А. В., Слынько Е. И., Слынько В. Е. Кинетика измененияконцентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллуридасвинца с примесями переходных металлов // Физика низких температур. – 2015. – Т. 41– № 2. – С. 185–195.83.Скипетров Е.
П.,Голованов А. Н.,Слынько Е. И.,Слынько В. Е..Электроннаяструктура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием.// Физиканизких температур. – 2013. – Т. 39 – № 1. – С. 98–108.84.Skipetrov E. P.,Golovanov A. N.,Kovalev B. B.,Knotko A. V.,Slyn'ko E. I.andSlyn'ko V. E. Galvanomagnetic properties and electronic structure of Pb1 − x − ySnxVyTe underpressure. // Semiconductor Science and Technology. – 2012. – V. 27 – N. 1. – P. 015019–1–015019–9.85.
Skipetrov E. P., Golovanov A. N., Kovalev B. B., Skipetrova L. A., Mousalitin A. M.,Slynko E. I., Slynko V. E.. Insulator-metal transition in diluted magnetic semiconductorPb1 − x − ySnxVyTe under pressure.// Solid State Phenomena. – 2012. – Vol. 190 – no. 6. –P. 566–569.86. Skipetrov E. P., Golovanov A. N., Kovalev B. B., Mousalitin A. M., Slyn'ko E.
I. andSlyn'ko V. E. Rearrangement of electronic structure of Pb1 − x − ySnxVyTe under pressure. //Journal of Physics: Conference Series. – 2012. – V. 377 – I. 1. – P. 012021–1–012021–4.11487. Скипетров Е. П., Голованов А. Н., Кнотько А. В., Слынько Е. И., Слынько В. Е.ГлубокийуровеньванадиявразбавленныхмагнитныхполупроводникахPb1 − x − ySnxVyTe. // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т. 46 – В. 6. – С. 761–768.88. Скипетров Е. П., Голованов А. Н., Маркина М.
М. и др. Магнитные свойстваразбавленных магнитных полупроводников Pb1 − x – ySnxVyTe. // Сборник трудов XXIIМеждународной конференции "Новое в магнетизме и магнитных материалах" 17 – 21сентября 2012 г. – Астраханский государственный университет, Астрахань, 2012. –С. 106–108.89.Skipetrov E.
P.,Golovanov A. N.,Kovalev B. B.,Skipetrova L. A.,Knotko A. V.,Slynko E. I. and Slynko V. E. Novel IV-VI diluted magnetic semiconductors doped withtransition metals. // AIP Conference Proceedings. – Vol. 1416 of Narrow Gap Systems. –American Institute of Physics (United States) Blacksburg – VA, 2011. – P.
131–134.90.Skipetrov E. P.,Zvereva E. A.,Golovanov A. N.,Pichugin N. A.,Primenko A. E.,Savelieva O. A., Zlomanov V. P., Vinokurov A. A. Magnetic properties of diluted magneticsemiconductors Pb1 − xVxTe. // Solid State Phenomena. – 2009. – V. 152–153. – P. 291–294.91. Skipetrov E.
P., Golovanov A. N., Zvereva E. A., Slynko E. I. and Slynko V. E. Vanadiuminduced deep impurity level in Pb1 – xSnxTe. // Physica B: Condensed Matter. – 2009. – V.404 – I. 23–24. – P. 5262–5265.92. Андрианов Д. Г., Белоконь С. А., Климонский С. О., Лакеенков В. М. ОсцилляцииШубникова-де Гааза в Pb1 – xMnxTe. // ФТП. – 1988. – Т.
22. – В. 4. – С. 670–674.93. Niewodniczanska-Zawadzka J., Szczerbakow A. Photovoltaic effect in Pb1 − xMnxTe // SolidState Comm. – 1980. – V. 34. – I. 11. – P. 887–889.11594. Korczak Z., Subotowicz M. Structural and galvanomagnetic properties of Pb1 − xMnxTe singlecrystals grown by the Brigman-Stockbarger method. // Phys.
Stat. Sol. A – 1983. – V. 77. – I.2. – P. 497–503.95. Хохлов Д. Р. Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова,легированных элементами III группы. : диссертация … кандидата физико–математических наук 01.04.10 / Хохлов Дмитрий Ремович. – Москва, 1991 – 282 с.96. Ivanchik I. I., Khokhlov D. R., Morozov A. V., Terekhov A.
A., Slyn’ko E. I., Slyn’ko V. E.,de Visser A., Dobrovolski W. D. Giant negative magnetoresistance effect in PbTe(Yb, Mn).// Physical Review B. – 2000. – V. 61. – N. 22. – P. R14 889–R14 892.97. Выграненко Ю. К., Слынько В. Е., Слынько Е. И. Электрические свойства твердыхрастворов Pb1 − xGexTe, легированных иттербием. // Неорганические материалы. – 1995.– Т. 31. – В. 10. – C. 1938 – 1339.98. Dobrowolski W. Resonant states in narrow-gap semimagnetic semiconductors. // WorldScientific 1999 – September – №69.
Proc.9th Intern. Conf. on Narrow Gap Semiconductors,ed. N.Puhlmann, H.-U.Muller, M. von Ortenberg – Berlin – Germany – 1999.99. Grodzicka E., Dobrowolski W., Story T., Slynko E. I., Vygranenko Yu. K., Willekens M. M.H., Swagten H. J. M., de Jonge W. J. M.. Resonant state of 4f14/13 Yb ion in Pb1 − xGexTe. //Acta Physica Polonica A. – 1996. – V. 90. – I. 4. – P.
801–804.100. Выграненко Ю. К., Слынько Е. И. Фотоэлектрические свойства твердых растворовPb1 − xGexTe<Ga, Yb>. // ФТП. – 1996. – Т. 30. – В. 10. – С. 1876–1878.101. Терехов А. А. Особенности примесных состояний в твердых растворах PbTe(Yb) иPbTe(Yb, Ga) : дипломная работа 01.04.10/ Терехов Антон Александрович. – Москва,1998 – 63с.102. Морозов А. В., Кожанов А. Е., Артамкин А. И., Слынько Е. И., Слынько В. Е.,Dobrowolski W.
D., Story T., Хохлов Д. Р. Стабилизация уровня Ферми и116отрицательное магнитосопротивление в PbTe(Mn,Cr). // ФТП. – 2004 – Т. 38 – В. 1 – С.30–33.103. Шейнкман М. К., Шик А. Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимостьв полупроводниках. // ФТП. – 1976.
– Т. 10. – В. 2. – С. 209–232.104. Skipetrov E. P., Chernova N. A., Slynko E. I., Vygranenko Yu. K. Energy spectrum andparameters of deep impurity level in Pb1 − xGexTe alloys doped with Yb. // Physical ReviewB. – 1999. – V. 59. – No 20. – P. 12928–12934.105. Story T. IV-VI Semimagnetic Semiconductors with Rare Earth Ions.
// Acta PhysicaPolonica – 1997. – V. 92. – I. 4. – P. 663 – 672.106. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. с. 526.107. Ohtani T., Hayashi R., Nakahira M. Phase transition in V1 + xTe2 (0.04 ≤ x ≤ 0.11) // SolidState Communications. – 1981. – V. 40. – I. 5 – P.
629–631.108. Kossut J., Dobrowolski W., Wilamowski Z., Dietl T., Swiatek K. Correlation of donorelectrons in diluted magnetic semiconductors with iron // Semiconductor Science andTechnology. – 1990. – V. 5. – I. S3. – P. S260–S265.109. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. М.:Мир, 1982.
368 с.110. Кожанов А. Е. Явления переноса в твердых растворах Pb1 − xSnxTe(In) в переменныхэлектрических полях. : диссертация … кандидата физико–математических наук:01.04.09 / Кожанов Александр Евгеньевич. – Москва, 2006. – 136 с.111. Звягин И. П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках.
— Изд.Московского университета Москва, 1984. — 192 с.112. Kawamura H. H. Phase transition in IV-VI compounds // Lect. Notes Phys. – 1980. – V.133. – P. 470-494..














