Диссертация (1105343), страница 15
Текст из файла (страница 15)
H. The Dielectric Properties of the Cubic IV-VICompound Semiconductors. // Journal de Physique Colloques. – 1968 – V. 29 – N. C4. – P.C4–78–C4–83.33. Kanai Ya., Shohno K. Dielectric Constant of PbTe.// Japanese Journal of Applied Physics. –1963 – V. 2 – I. 1 – P. 6–10.34. Akimov B. A., Dmitriev A. V., Khokhlov D. R., Ryabova L. I. Carrier Transport and NonEquilibrium Phenomena in Doped PbTe and Related Materials.// Physica Status Solidi (a). –1993.
– Volume 137. – Issue 1. –Pages 9–55.35. Nimtz G. Narrow-gap lead salts / Nimtz G., Schlicht B. // Narrow Gap Semiconductors.Springer Tracts in Modern Physics – V. 98 / Ed. G. Hohler. – Berlin : Springer-Verlag, 1983– P. 1–117.36. Равич Ю. И., Немов С. А. Прыжковая проводимость по сильно локализованнымпримесным состояниям индия в PbTe и твердых растворов на его основе. // ФТП. –2002. – Т. 36 – В. 1 – С. 3–23.37. Немов С. А., Равич Ю. И. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методыисследования и особенности. // УФН.
– 1998. – Т. 168. – В. 8. – С. 817–842.38. Волков Б. А., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Примеси с переменной валентностью втвердых растворах на основе теллурида свинца. // УФН. – 2002. – Т. 172 – № 8 – С.875–906.10839. Белогорохов А. И., Волков Б. А., Иванчик И. И., Хохлов Д. Р. Модель "DX-подобных"примесных центров в PbTe(Ga). // Письма в ЖЭТФ. – 2000. – Т. 72. – В. 3.
– Стр. 178–182.40. Каширская Л. М., Рябова Л. И., Тананаева О. И., Широкова Н. А. Гальваномагнитныехарактеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и поддавлением. // ФТП. – 1990. – Т. 24. – В. 8. – С. 1349–1353.41. Ivanchik I. I., Khokhlov D. R., Ponomarev S.
V., Slyn’ko E. I., Terekhov A. A., de Visser A.,Vygranenko Yu. K. [Электронный ресурс] // Proceedings of the 24 InternationalConference On the Physics of Semiconductors – ed. D. Gershoni – World Scientific, 1999 –VIII B-8 – 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).42. Niewodniczanska-Zawadzka J., Elsinger G., Palmetshofer L., Lopez-Otero A., Fantner E. J.,Bauer G., Zawadzki W. Influence of exchange interaction on bandstructure of Pb1 − xMnxTe.// Physica B+C.
– 1983. – V. 117–118. – Part 1. – P. 458–460.43. Artamkin A. I., Kozhanov A. E., Arciszewska M., Dobrowolski W. D., Story T., Slynko E. I.,Slynko W. E., Khokhlov D. R. Transport and Magnetic Properties of Pb1 − xMnxTe Dopedwith Cr and Mo. // Acta Physica Polonica A. – 2004. – V. 106. – I.
2. – P. 223–231.44. Кайданов В. И., Мельник Р. Б., Черник И. А. Исследование теллурида свинца спримесью индия. // ФТП. – 1973. – Т. 7. – В. 4. – С. 759 – 762.45. Лыков С. Н., Черник И. А. Осцилляционные эффекты Шубникова-де Газа в теллуридесвинца с примесью индия. // ФТП. – 1980. – Т. 14. – В. 1. – С. 47–54.46. Акимов Б. А., Зломанов В. П., Рябова Л. И., Чудинов С. М., Яценко О. Б. Переходыполупроводник-металл-полупроводик в сплавах Pb1 − xSnxTe(In) под действиемдавления.
// ФТП. – 1979. – Т. 13 – В. 7 – С. 1293–130110947. Grodzicka E., Dobrowolski W., Kossut J., Story T., Witkowska B. Peculiarities of transportproperties in semiconductors with resonant impurities: HgSe:Fe versus PbTe:Cr. //J.Cryst.Growth. – 1994. – V. 138. – P. 1034–1039.48. Story T., Wilamowski Z., Grodzicka E., Dobrowolski W., Witkowska B., Voiron J. PbSe:Cr– new resonant donor system.
// Acta Physica Polonica A. – 1995. – V. 87. – P. 229–231.49.Акимов Б. А.,Брандт Н. Б.,Курбанов К. Р.,Рябова Л. И.,Хасанов А. Т.,Хохлов Д. Р. Фотоэлектрические явления в PbTe, легированном индием. // ФТП. –1983. – Т. 11. – В. 9. – С. 1604–1608.50. Вул Б.
М., Воронова И. Д., Калюжная Г. А., Мамедов Т. С., Рагимова Т. Ш.Особенности явлений переноса в РЬ0,78Sn0,22Te с большим содержанием индия. //Письма в ЖЭТФ. – 1979. – Т. 29. – В. 1. – С. 21–25.51.Вул Б. М.,Гришечкина С. П.,Рагимова Т. Ш.ОфотоэффектевкристаллахPb0,78Sn0,22Te. // ФТП. – 1982. – Т.
16. – № 8. – С. 1452–1458.52.Акимов Б. А.,Брандт Н. Б.,Богословский С. А.,Рябова Л. И.,Чудинов С. М.Неравновесное металлическое состояние в сплавах Pb1 − xSnxTe (In). // Письма в ЖЭТФ.– 1979. – Т. 29. – В. 1. – С. 11–14.53.Акимов Б. А.,Брандт Н. Б.,Никифоров В. Н.,Соковишин В. В.,Яценко О. Я.Неравновесные состояния в сплавах PbSnTe(In), индуцированые электрическим полем.// Материалы V Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещеннойзоной и полуметаллам. – Львов. – 1980.
– Т. 2. – С. 80–82.54.Гейман К. И.,Драбкин И. А.,Матвеенко A. B.,Можаев Е. А.,Парфеньев Р. В.Аномальные электрические свойства слоев Pb1 − xSnxTe с примесью индия. // ФТП. –1977. – Т. 11. – В. 5. – С. 846–854.11055. Möllmann K.-P., Siche D. and Zajnudinov S., Doping of PbTe with Ga during Growth fromthe Vapour Phase. // Crystal Research and Technology. – 1986.
V. 21. – I. 10. – P. 1273–1280.56. Белоконь С. А., Верещагина Л. Н., Иванчик И. И., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Характеризменения свойств PbTe<Ga> при изменении степени легирования. // ФТП. – 1992. – Т.26. – В. 2. – С. 264–269.57. Akimov B. A., Brandt N. B., Klimonskiy S. O., Ryabova L.
I., Khokhlov D. R. Dynamics ofthe semiconductor-metal transition induced by infrared illumination in Pb1 − xSnx Te(In)alloys. // Physics Letters A. – 1982. – V. 88. – I. 9. – P. 483–486.58. Акимов Б. А., Зломанов В. П., Рябова Л.
И., Хохлов Д. Р. Перспективные материалыИК-оптоэлектроники на основе соединений группы А4В6. // Высокочистые вещества. –1991. – Т. 6. – С. 22–35.59.Волков Б. А.,Воронова И. Д.,Шотов А. П.Логарифмическаярелаксациядолговременной фотопроводимости в Pb1 − xSnxTe(In). // ДАН СССР, сер. "Физика". –1987. – Т. 293. – В. З. – С. 602–606.60.
Вул Б. М., Воронова И. Д., Гришечкина С. П., Рагимова Т. Ш. Накопление и времярелаксации электронов при фотоэффекте в Pb0,78Sn0,22Te. // Письма в ЖЭТФ. – 1981. –Т. 33. – В. 6. – С. 346–350.61. Martinez A., Abbundi R. J., Houston B., Davis J. L. and Allgaier R. S. Effect of illuminationand magnetic fields on the electron transport properties of Pb0.75Sn0.25Te doped with indium.// Journal of Applied Physics. – 1985.
– V. 57. – No. 4 – P. 1165–1170.62. Martinez A., Santiago F., Davis J. L., Houston B., Drew H. D. Decay kinetics ofphotoconductivity of PbSnTe doped with indium. // Journal of Applied Physics. – 1985. –V. 58. – No. 12 – P. 4618–4620.11163. Möllmann K.-P., Herrmann K. H., Enderlein R. Direct observation of ferroelectric phase inPb1 − xSnxTe. // Physica B+C. – 1983.
– V. 117–118. – Part 2. – P. 582–584.64 Herrmann K. H., Möllmann K.-P., Wendt M. Photoeffects in strongly gallium-doped leadtelluride above critical temperature. // Physica Status Solidi (a). – 1983. – V. 80. – I. 2. –P. 541–546.65. Лебедев А. И., Айтикеева Т.
Д. Фотопроводимость и рекомбинационные процессы вPbTe, легированном Ga. // ФТП. – 1984. – Т. 18. – В. 11 – С. 1964–1967.66. Троян Ю. Г., Сизов Ф. Ф., Лакеенков В. М. Фотоэлектрические свойства высокоомныхмонокристаллов PbTe(Ga).// ФТП. – 1986. – Т. 20. – В. 10 – С. 1776–1781.67.Akimov B. A.,Bogoyavlenskiy V. A.,Ryabova L. I,Vasil'kov V. N.,Zimin S. P.Photoconductivity kinetics in high resistivity n-PbTe(Ga) epitaxial films. // SemiconductorScience and Technology. – 1999.
– V. 14. – No. 8. – P. 679–684.68. Акимов Б. А., Богоявленский В. А., Рябова Л. И., Васильков В. Н. Особенностифотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев n-PbTe(Ga). // ФТП. – 2001. – Т. 35. –В. 5. – С. 524–527.69. Akimov B. A., Bogoyavlenskiy V. A., Ryabova L. I., Vasil'kov V. N. Experimental study ofnegative photoconductivity in n-PbTe(Ga) epitaxial films. // Phys.
Rev. B. – 2000. – V. 61. –I. 23. – P. 16045-16051.70.Акимов Б. А.,Брандт Н. Б.,Рябова Л. И.,Соковишин В. В.Долговременныерелаксационные процессы, индуцированные квантующим магнитным полем, вметаллической фазе сплавов Pb1 − xSnxTe(In). // ЖЭТФ.
– 1984. – Т. 87. – В. 4(10). – С.1349–1360.71. Львова Н. А. Модификация энергетического спектра теллурида свинца при введениииндия, марганца и хрома. : диссертация … кандидата физико–математических наук:01.04.09 / Львова Наталья Анатольевна. – Троицк, 1994. – 139 с.11272. Тетеркин В. В., Сизов Ф.
Ф., Прокофьева Л. В., Громовой Ю. С., Виноградова М. Н.Резонансные состояния примесей переходных элементов (Ti, Cr) в PbTe. // ФТТ. –1983. – Т. 17. – В. 5. – С. 782–785.73. Wilamowski Z., Story T. The ground state of a magnetic impurity determined by thehybridization with conduction band. // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. –1995. – Volume 140–144. – Part 3. – Pages 1731–1732.74. Akimov B. A., Lvova N.














