Протокол приема к защите, сведения о ведущей организации и оппонентах (1105341)
Текст из файла
f l ~ U ~ ~ m ~ m 6 0 6 n.~ YBacMnbeBlU:heKcaHnp HM~onaesm,n. ~ ~ ~ H o B cAKJ IH~ K~C~ ~ HEO~HCOBMYAPK. E@AMOB~h e ~ c a ~ f l pkiBaHOBHa,aa. be me^ AH~TOJIM~~B ~ ~ X M M H P OA.BAMM~H, T ~ EAne~cefiI~BB~WMMM~OBMY,A. AHelIpo~~KkIfiBJIa.4EiMklp C~MCOHOBMY,A. K a 3 a ~ c ~ A~ i~i ~ p e fr ei o p r ~ e a k i ~a. Ko3no~Cepreii I - h ~ o n a e s ~n.r , KynbGarn~c~kifiBJIWHMHPh a ~ o n b e s ~ n.y ,HEIKHTHHCeprefi~ ~ K C ~ H A P O BA.H ~~ O, T H E I K O Br e H H w M f i C ~ M ~ H O B4.HY~ ,P Y ~ E I K O~B a h e ~HMKonae~Ms,~iin.PaGosa ~ I O W M J I~~I B ~ H o B Hn.~ ,CM6eJIb,L(FiH Hk~~onaiiH ~ ~ o n a e s mn., CKE~II€~J?POBEBreHMfi~~BJIoBMY,n.
CMHPHOBheKci3Hnp MB~HOBMY,A. X O X ~ OAMHTPM~~BP~MOBEIY,A. @OMHH kIr0pbAKHHAHHOBHYH a coMcKi3HHe peaofi cTeneHki KaHmaTa 4x43.MaT. HayK IIO CneIJMUIbHOCTM 01.04.09 - @ E I ~ I I K ~HH3KkIX TeMIIepaTflMJI-erOHapHor0COTPYnHMKa Ka@enpb1 o64efi @ W ~ E I K H H @M~HKII KOHAeHCMPOBaI-IHOTO COCTOIIHMXApTaMKMHaAne~cerrkiropesk~~ac r 3 ~ e p r e ~ ~ y ecneKTpc ~ ~ i iM npmecabIe COCTOIIHMX s a ~ a ~Bmy3~orqenesb1xIIOJIyrrpOBO~HHKaXH a OCHOBe TeJUYpHna CBMHuW.Cnvuranu: n p e n c ~ a s n e ~ Ks e3auk1~eAmcepTaqMkiВедущая организация:Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательскийцентр "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт")Адрес: 123182, Россия, г.
Москва, пл. Академика Курчатова, д. 1Сайт: http://www.nrcki.ru/,E-mail: nrcki@nrcki.ruТел: +7 (499) 1969539Cписок основных публикаций работников подразделения ведущей организации, в котором будет докладываться диссертация, по теме диссертации за последние 5 лет:1. Яковлева Е.И., Овешников Л.Н., Кочура А.В., Лисунов К.Г., Лахдеранта Э., АронзонБ.А.
Аномальный эффект Холла в разбавленном магнитном полупроводнике In1 − xMnxSb скластерами MnSb // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2015.– Т. 101. – №. 2. – С. 136-142.2. Овешников Л.Н., Кульбачинский В.А., Давыдов А.Б., Аронзон Б.А.
Аномальныйэффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным δслоем Mn //Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2014. – Т.100. – №. 9. – С. 648-653.3. Лотин А.А., Новодворский О.А., Рыльков В.В., Зуев Д.А., Храмова О. Д., Панков М.А.,Аронзон Б.А., Семисалова А.С., Перов Н.С. Свойства пленок Zn1 − xCoxO, полученныхметодом импульсного лазерного осаждения с использованием скоростной сепарацииосаждаемых частиц //Физика и техника полупроводников. – 2014.
– Т. 48. – №. 4.4. Николаев С.Н., Рыльков В.В., Аронзон Б.А., Маслаков К.И., Лихачев И.А., Пашаев Э.М.,Черноглазов К.Ю., Семисалова А., Перов Н.С, Кульбачинский В.А., Новодворский О.АВысокотемпературный ферромагнетизм Si1 − xMnx пленок, полученных лазернымнапылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости //Физика итехника полупроводников. – 2012. – Т. 46.
– №. 12.Официальные оппоненты:Каган Мирон Соломоновичдоктор физико-математических наук (специальность 01.04.10 – физика полупроводников),старший научный сотрудникФедеральное бюджетное государственное учреждение науки институт радиотехники иэлектроники имени В. А. Котельникова РАНЗаведующий лабораторией № 172 «Электронные процессы в полупроводниковыхматериалах»Адрес: 125009, Москва, ул.
Моховая 11, корп. 7E-mail: kagan@cplire.ruтелефон: +7 (495) 629 33 61Список статей официального оппонента Кагана М.C., близких по теме диссертации, запоследние 5 лет:1. Алтухов И.В.,Дижур С.Е.,Каган М.С.,Папроцкий С.К.,Хвальковский Н.А.,Буравлев А.Д.,Васильев А П.,Задиранов Ю/М.,Ильинская Н Д.,Усикова А А.,Устинов В М. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешетокGaAs/AlAs //Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики.
– 2016. – Т.103. – №. 2. – С. 128-131.2. Каган М.С., Алтухов И.В., Баранов А.Н., Ильинская Н.Д., Папроцкий С.К., Тесье Р.,Усикова А.А. Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодныхсверхрешеток InAs/AlSb //Физика и техника полупроводников. – 2013. – Т. 47. – №. 11.3. Андрианов А.В., Захарьин А.О., Алексеев П.С., Каган М.С. Поляризация терагерцевогоизлучения одноосно-сжатого p-германия при электрическом пробое мелкой акцепторнойпримеси // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2012. – Т.
142. – №. 6. –С. 1204-1211.Васильевский Иван Сергеевичкандидат физико-математических наук (специальность 01.04.09 – физика низкихтемператур),доцентФедеральное государственное автономное образовательное учреждение высшегообразования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», доценткафедры физики конденсированных сред (№67)Адрес: 115409, г.
Москва, Каширское ш., 31E-mail: ivasilevskii@mail.ruтелефон: 8-495-788-56-99, доб. 81-70Список статей официального оппонента Васильевского И.С., близких по темедиссертации, за последние 5 лет:1. Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Клочков А.Н., Лаврухин Д.В., ПушкарёвС.С., Мальцев П.П. Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур ссоставной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs //Физика и техникаполупроводников.
– 2015. – Т. 49. – №. 2.2. Сибирмовский Ю.Д., Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Еремин И.С., Жигунов Д.М.,Каргин Н.И., Стриханов М.Н. Фотолюминесценция массивов квантовых колецGaAs/AlGaAs //Физика и техника полупроводников. – 2015. – Т.
49. – №. 5.3. Галиев Г.Б., Пушкарёв С.С., Васильевский И.С., Климов Е.А., Клочков А.Н., МальцевП.П. Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры иморфологию поверхности метаморфных НЕМТ // Физика и техника полупроводников. –2014. – Т. 48. – №. 1.4. Яременко Н.Г., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Карачевцева М.В., СтраховВ.А.
Определение концентрации двумерных электронов в легированных псевдоморфныхтранзисторных структурах InGaAs/GaAs методом фотолюминесцентной спектроскопии //Радиотехника и электроника. – 2013. – Т. 58. – №. 3. – С. 276..
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
