Диссертация (1104695), страница 17
Текст из файла (страница 17)
SPIE 3860, 480 (1999).[69] T. Tokayama, O. Imafuji, Y. Kouchi, M. Yuri, A. Yoshikawa, K. Itoh“100-mW high power angled-stripe superluminescent diodes with a new real refractiveindex-guided self-aligned structure,“ IEEE J. Quantum Electron. QE-32, 11, 1981(1996).133[70] P.A. Lobintsov, D.S. Mamedov, V.V. Prokhorov, A.T. Semenov,S.D. Yakubovich, “High-power superluminescent diodes with non-injection outputsections,” Quantum Electron.
34, 3, 209 (2004).[71] A.T. Semenov, V.K. Batovrin, I.A. Garmash, V.R. Shidlovski,M.V. Shramenko, S.D. Yakubovich “(GaAl)As SQW superluminescent diodes withextremely low coherence length,” Electron. Lett. 31, 4, 314 (1995).[72] C.-F. Lin, B.-L. Lee, “Extremely broadband AlGaAs/GaAs superluminescentdiodes,” Appl.
Phys. Lett. 71, 12, 1598 (1997).[73] Е.В. Андреева, Н.А. Волков, Ю.О. Костин, П.И. Лапин, А.А.Мармалюк,Д.Р.Сабитов,С.Д.Якубович,"Широкополосныесуперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основедвуслойных квантоворазмерных гетероструктур," Квант. электроника, 38, 8, 744(2008).[74] G.
Alphonse, “Design of high-power superluminescent diodes with lowspectral modulation,” Proc. SPIE 4648, 125 (2002).[75] P.I.Lapin,D.S.Mamedov, S.D. Yakubovich, M. Wojtkowski,J.G. Fujimoto, “Novel near-IR broad-band light sources for optical coherencetomography based on superluminescent diodes,” Proc. SPIE-OSA 5861, 586108 (2005).[76] Z.Z. Zhang, Z.G. Wang, B.
Xu et al. “High performance quantum-dotsuperluminescent diodes,” IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1, 27 (2004).[77] Лапин П.И., Мамедов Д.С., Мармалюк А.А., Падалица А.А., ЯкубовичС.Д. “Mощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектральногодиапазона 1000—1100 нм,” Квантовая электроника, 36, 4, 315 (2006).[78] S.H. Cho, I.K. Han, Y. Hu, J.H. Song, P.J.S. Heim, M. Dagenais,F.G. Johnson, D.R. Stone, H.Shen, J. Pamulapati, W. Zhou “>90mW CWSuperluminescent Output Power from Single-Angled Facet-Ridge Waveguide Diode at1341.5 mW,” Proceedings on Advanced Semiconductor Lasers and Their Applications, 31,5 (2000).[79]D.S.Mamedov,V.V.Prohorov,S.D.Yakubovich"Broad-BandSuperluminescent Diode Based on Multiquantum Well (InGa)PAs Heterostructure at1550 nm," CLEO/Europe-EQEC 2003, Munich, Germany, CC-Semiconductor Lasers.Conference Technical Digest Paper CC7W (2003).[80] T.-K.
Ong, M. Yin, Z. Yu, Y.-C. Chang, Y.-L. Lam, “High performancequantum well intermixed superluminescent diodes,” Meas. Sci. Technol. 15, 8, 1591(2004).[81] J. Wang, L.T. Li, W. Xu, R. Yu, J. Ramalingam, Z. Wu, W. Zhu, and Xun Li“Ultrabroad-bandwidth and high-power superluminescent light-emitting diodes,” Proc.SPIE 5690, 531 (2005).[82] Kostin Yu.O., Lapin P.I., Shidlovsky V.R., Yakubovich S.D., “Towards100nm Wide SLDs at 840 nm,” Proc. of SPIE, 7139, 713905 1-7 (2008).[83] M.M.
Helstein, В. Mehuys, A. Yariv , “Broadband tunability ofgain-flattened quantum-well semiconductor lasers with an external grating,” Appl.Phys., 54, 11, 1092 (1989).[84]АндрееваЕ.В.,МагдичЛ.Н.,МамедовД.С.,РуенковА.А.,Шраменко М.В., Якубович С.Д., “Перестраиваемый полупроводниковый лазер сакустооптическим фильтров во внешнем оптоволоконном резонаторе,” Квантоваяэлектроника, 36, 4, 324 (2006).[85] S.E. Harris, S.T.K. Nieh, R.S.
Feigelson, “CaMoO4 electronically tunableoptical filters,” Appl. Phys. Lett., 17, 5, p. 223 (1970).[86] Л.Н. Магдич, В.Я. Молчанов, “Акустооптические устройства и ихприменение,” М., Сов. Радио (1978).135[87] Лобинцов А.А «Полупроводниковые оптические усилители бегущейволны ближнего ИК-диапазона спектра и приборы на их основе», Диссертация насоискание учёной степени КТН, ОАО НИИ «Полюс» (2013).[88] W.
Drexler, U. Morgner, R.K. Ghanta, F.X. Kärtner, J.S. Schuman,J.G. Fujimoto, "Ultrahigh-resolution ophthalmic optical coherence tomography," Nat.Med., 7, 502 (2001).[89] K. Shibata, Y. Yoshida, M. Sasaki, K. Ono J.-I. Horic, T. Yagi,T. Nishimura, “Hight-power 660-nm laser diodes for recordable DL DVDs,” Journ. ofSel. Topics in QE, 11, 51, 1193 (2005).[90] A. Padalitsa, A. Marmalyk, I.
Yarotskaya, P. Gorlochuk, Y. Ryaboshtan,S. Ilchenk, A. Lobintsov, S. Yakubovich, “Heterostructures AlGaInP/GaInP grown byMOVPE for SLDs emitting at 670 nm,” 17th Int. Conf. on MVPE, Web-Poster-0-71(2014).[91] W. Drexler, J.G.Fujimoto, “Optical coherence tomography,” Berlin,Heidelberg: Springer-Verlag (2008).[92] Ильченко С.Н., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Якубович С.Д.,“Суперлюминесцентные диоды «ближайшего» ИК диапазона с шириной спектра100 нм,” Квантовая электроника, 42, 11, 961 (2012).[93] Д.В.Батрак, С.А. Богатова, А.В.Бороденко, А.Е.Дракин, А.П.Богатов,“Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоёв InGaAs,используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1,06мкм,”Квантовая электроника, 35, 4, 316 (2005).[94] T.H. Ko, D.C.
Adler, J.G. Fujimoto, D. Mamedov, V. Prokhorov,V. Shidlovski, and S. Yakubovich, “Ultrahigh resolution optical coherence tomographyimaging with broadband superluminescent diode light source,” Optics Express 12: 2112(2004).136[95] Helstein M.M., Mehuys B., Yariv A. “Broadband tunability ofgain flattened quantum well semiconductor lasers with an external grating,” Appl.Phys., 54, 1092 (1989).[96] Ching-Fuh Lin, Bor-Lin Lee.
“Extremely broadband AlGaAs/GaAssuperluminescent diodes,” Appl. Phys. Lett., 71, 1598 (1997).[97] Мамедов Д.С., Прохоров В.В., Якубович С.Д., “Сверхширокополосныймощный суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 920 нм,”Квантовая электроника, 33, 6, 471 (2003).[98] Лапин П.И., Мамедов Д.С., Мармалюк А.А., Падалица А.А., ЯкубовичС.Д., “ Mощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектральногодиапазона 1000—1100 нм ,” Квантовая электроника, 36, 4, 315 (2006).[99] Goldberg L., Mehuys D., “High power superluminescent diode source,”Electron. Lett., 30, 20, 1682 (1994).[100] Takayama T., Imafuji O., Kouchi Y., Yuri M., Yoshikava A., Itoh K.,“100-mW high-power angled-stripe superluminescent diodes with a new real refractiveindex-guided self-aligned structure,” IEEE J.
Quantum Electron., 32, 11, 1981 (1996).[101] Konoplev O.A., Park S., Saini S.S., Merrit S.A., Hu Y., Luciani V.,HeimP.J.S., Enk R., Bowler D., “Half-watt high-power single mode superluminescent LED at1335 nm with single-facet electro-optical efficiency of 28%,” Proc. SPIE Int. Soc.
Opt.Eng., 5739, 66 (2005).[102] Sugo M., Yoshimura R., Shibata Y., “High-power ( >80mW) and highefficiency ( >30%) 1.3 /spl mu/m super-luminescent diodes,” Electron. Lett., 42, 21,1245 (2006).[103] Yamatoya T., Mori S., Koyama F., Iga K. Jpn. J., “High powerGaInAsP/InP strained quantum well superluminescent diode with tapered activeregion,” Appl.
Phys., 38, 1, 9A, 5121 (1999).137[104] Zhang Z.Y., Hogg R.A., Jin P., Choi T.L., Xu B., Wang Z.G., “High-PowerQuantum-Dot Superluminescent LED With Broadband Drive Current InsensitiveEmission Spectra Using a Tapered Active Region,” IEEE Phot. Tech. Lett., 20, 10, 782(2008).[105] Андреева Е.В., Батрак Д.В., Богатов А.П., Лапин П.И., Прохоров В.В.,Якубович С.Д., “Мощный многомодовый суперлюминесцентный диод с длинойволны излучения 840 нм,” Квантовая электроника, 37, 11, 996 (2007).[106] Causa F., Burrow L., “Ripple-Free High-Power Super-Luminescent DiodeArrays,” IEEE J.
Quantum Electron., 43, 11, 1055 (2007).[107] Du G., Xu C., Liu Y., Zhao Y., Wang H., “High-power integratedsuperluminescent light source,” IEEE J. Quantum Electron., 39, 1, 149 (2003).[108] Zang Z., Minato T., Navaretti P., Hinokuma Y., Duelk M., Velez C.,Hamamoto K., “High-Power (>100 mW) Superluminescent Diodes by Using ActiveMultimode Interferometer,” IEEE Phot. Tech.
Lett., 22, 10, 721 (2010).[109] Soldano L.B., Penning E.C.M., “Optical multi-mode interference devicesbased on self-imaging: principles and applications,” J. Lightwave Technol., 13, 4, 615(1995).[110] Лобинцов А.А., Успенский М.Б., Шишкин В.А., Шраменко М.В.,Якубович С.Д., “Высокоэффективный полупроводниковый оптический усилительспектрального диапазона 820 — 860 нм,” Квантовая электроника, 40, 4, 305(2010).[111] Kwong N. S.
“High-Power, Broad-Band 1550 nm Light Source by TandemCombination of a Superluminescent Diode and an Er-Doped Fiber Amplifier,” IEEEPhoton. Tech. Lett., 4, 9, 996 (1992).[112] Baumgartner A., Hitzenberger C.K., Sattmann H., Drexler W.,Fercher A.F., “Signal and Resolution Enhancements in Dual Beam Optical CoherenceTomography of the Human Eye,” J. Biomed Opt., 3, 45 (1998).138[113] Schmitt J.
M., Lee S. L., and Yung K. M. “An optical coherencemicroscope with enhanced resolving power,” Opt. Commun., 142, 203 (1997).[114] Адлер Д.С., Ко Т.Х., Конорев А.К., Мамедов Д.С., Прохоров В.В.,Фуджимото Дж.Дж., Якубович С.Д., “Широкополосный источник излучения наоснове квантоворазмерных суперлюминесцентных диодов для оптическойкогерентной томографии высокого разрешения” Квантовая электроника, 34, 10,915 (2004)[115] Мамедов Д.С., Прохоров В.В., Якубович С.Д. “Сверхширокополосныймощный суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 920 нм,”Квантовая электроника, 33, 6, 471 (2003).[116] Лобинцов А.А., Шраменко М.В., Якубович С.Д., “Полупроводниковыеоптические усилители для спектрального диапазона 1000—1100 нм,” Квантоваяэлектроника, 38, 7, 661 (2008).[117] S.
N. Ilchenko, Yu. O. Kostin, S. D. Yakubovich, “Highly efficientsuperluminescent diodes with central wavelengths of 1310 and 1550 nm,”9th Belarusian-Russian Workshop “Semiconductor Lasers and Systems” Minsk, Book ofPapers, 92-94 (2013)..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
